第一章硅晶体结构课件

Si集成电路工艺基础

南开大学信息技术科学学院何炜瑜Si集成电路工艺基础南开大学信息技术科学学院本课程主要讲述硅集成电路制造的各单项工艺，介绍各项工艺的物理基础和基本原理，主要内容包括硅的晶体结构、氧化、扩散、离子注入、物理气相沉积、化学气相沉积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连，最后简要介绍集成电路的工艺集成。本课程也是从事微电子相关领域（如太阳电池、半导体器件、激光器、LED和TFT等）的研究和工作的基础课程。课程的主要内容本课程主要讲述硅集成电路制造的各单项工艺，介绍各项工艺的物理本课程学习的目的通过学习本课程，可以：了解并掌握常用的半导体工艺技术；能够简要叙述集成电路每一个工艺过程；了解基本的集成电路制备过程；能够从事半导体工艺相关的工作。本课程学习的目的通过学习本课程，可以：教材与参考书教材：关旭东，硅集成电路工艺基础，北京大学出版社，2003年10月。参考书：MichaelQuirk,JulianSerda著，韩郑生等译，半导体制造技术(SemiconductorManufacturingTechnology)，电子工业出版社，2004年1月(中英文版)StephenA.Campbell著，周润德译，微电子制造科学原理与工程技术（TheScienceandEngineeringofMicroelectronicFabrication），电子工业出版社，2004年1月（中/英文版均有）张兴/黄如/刘晓彦，微电子学概论，北京大学出版社，2000年1月教材与参考书教材：关旭东，硅集成电路工艺基础，北京大学出版社教学方式：课堂讲授为主，每周2学时。成绩评定：期末考试：80%，考勤+作业：20%。教学方式与成绩评定教学方式：教学方式与成绩评定集成电路发展的简要历史集成电路产业的发展趋势集成电路的基本工艺流程前言集成电路发展的简要历史前言1947年12月16日贝尔实验室的WillianShockley、JohnBardeen、WalterBrattain，以Ge为半导体材料，发明了用于替代真空管的固态晶体管，成功使用一个电接触型的“可变电阻”----即今天被称为三极管“Transistor”的器件得到放大倍数为100的放大电路。

第一个晶体管，美国Bell实验室，1947年。集成电路(IC)发展的简要历史1947年12月16日贝尔实验室的WillianShock第一个晶体管的发明者：WillianShockley、JohnBardeen、WalterBrattain第一个晶体管的发明者：1950年代——晶体管技术不断发展1952年，第一个单晶Ge晶体管。1954年，第一个单晶硅晶体管，德州仪器公司，GordonTeal。1957年，加利福尼亚州的仙童半导体公司（FairChildSemiconductor）制造出第一个商用平面晶体管。——平面技术。1958年，德州仪器(TI)公司，制造出第一个集成电路(IC)器件，半导体产业向前迈进了重要的一步。1950年代——晶体管技术不断发展1952年，第一个单晶G第一个集成电路(IC)器件。1958年7月24日，德州仪器（TexasInstruments）的雇员JackKilby，在笔记本中写道：如果电路元件，比如电阻，电容可以使用同种材料制造，则有可能将整个电路加工在单个片子上“singlechip”。当时的真空条件很差的情况下，Kilby于当年的9月12日制造了具有5个集成元件的简单振荡电路，1959年Kilby提交了专利申请US3,138,743："Miniaturizedelectroniccircuits"并获得授权。2000年Kilby和其他两位物理学家一起分享了诺贝尔物理奖。

第一个集成电路(IC)器件。1961年，第一个Si集成电路(IC)产品，由德州仪器(TexasInstrument)的JackKilby制备完成。

1961年，第一个Si集成电路(IC)产品，由德州仪器(T1960年代——集成电路产业快速发展1、在技术上，新材料和工艺技术不断出现，集成电路工艺快速进步。1963年，CMOS晶体管发明，San和Wanlass。1966年，多晶硅栅技术出现。1968年，离子注入技术被应用于半导体器件制造中。1960年代——集成电路产业快速发展1、在技术上，新材料2、半导体制造商激增。1961年，Signetics公司。1968年，RobertNoyce、GordonMoor、AndrewGrove成立了Intel公司。1969年，JerrySanders和其他FairChildSemiconductor科学家成立了AMD（AdvancedMicrDevices）公司。2、半导体制造商激增。3、半导体产业出现分工。

出现了专门从事供应的行业，这些行业提供半导体产业必需的化学材料和设备。3、半导体产业出现分工。1970年代——行业竞争加剧

随着集成电路的发展，电路的集成度逐渐提高。1、工艺技术发展1971年，Intel采用nMOS技术制成了世界上第一个微处理器Intel4004。在20世纪的整个70年代和80年代初，nMOS技术成为集成电路的主流技术。1979年，在多晶硅栅技术的基础上，开发出了硅化物栅技术，降低了栅极电阻。1970年代——行业竞争加剧随着集成电路的2、70年代生产设备实现了半自动操作3、出现了标准化组织1970年，SEMI(SemiconductorEquipmentandMeterialsInternational)国际半导体设备及材料协会成立。1977年，SIA(SemiconductorIndustryAssociation)半导体协会成立。4、建厂费用激增2、70年代生产设备实现了半自动操作1980年代——自动化1、工艺技术进步，低功耗的CMOS技术成为主流。1980年，出现了带侧墙的漏端轻掺杂结构（LDD）。1983年，出现了氮化SiO2栅介质材料，改善器件的可靠性。1985年，出现了双掺杂多晶硅栅的CMOS结构。80年代后期，IBM发展了CMP（化学机械抛光）工艺。1987年，IBM研制成功0.1μmMOSFET,标志着当代超深亚微米MOS技术基本成熟。同年，Intel在386CPU中引入1.2μmCMOS技术——至此CMOS技术占据了集成电路中的统治地位。1980年代——自动化1、工艺技术进步，低功耗的CMOS技术2、生产设备自动化

包括全部的重要硅片加工步骤，大幅度减少工艺中的操作者，这使得硅片制造厂的启动成本快速增加，到80年代后期，上涨到接近10亿美元。2、生产设备自动化1990年代——1、芯片的最小特征尺寸(CriticalDesign,CD)进一步缩小到1μm以下，进入ULSI时代。2、金属化与多层互连技术的发展，使得芯片的集成度、速度进一步提高，同时降低了功耗，减少工艺步骤。3、集成电路设计全部采用计算机CAD。1990年代——1、芯片的最小特征尺寸(CriticalIC规模分类IC规模缩写芯片集成的器件数量SmallScaleIntegration（小规模）SSI2to50MediumScaleIntegration（中规模）MSI50to5,000LargeScaleIntegration（大规模）LSI5,000to100,000VeryLargeScaleIntegration（非常大规模）VLSI100,000to10,000,000UltraLargeScaleIntegration（超大规模）ULSI10,000,000to1,000,000,000SuperLargeScaleIntegration（甚大规模）SLSIOver1,000,000,000IC规模分类IC规模缩写芯片集成的器件数量SmallSc1、提高芯片性能

缩小最小特征尺寸(CriticalDesign)。特征尺寸：芯片上的物理尺寸，如线宽、间距、接触孔等。2000年，SolidStateTechnology的技术总结与展望：

19881992199519971999200120022005CD(m)1.00.50.350.250.180.150.130.10集成电路产业的发展趋势1、提高芯片性能2000年，SolidStateTec2)提高集成度到了1980年代，这一定律的速率放缓到18个月。摩尔定律：随着半导体工艺技术的发展，每过12个月集成电路的晶体管数量增加一倍，而价格保持不变。Intel的创建者之一GordenMoore于1964年发现这一定律。摩尔定律2)提高集成度到了1980年代，这一定律的速率放缓到18个3)降低功耗3)降低功耗半导体工业的发展路线图199519971999200120042007最小特征尺寸（μm）0.350.250.180.130.100.07动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory,简称DRAM芯片)每片芯片的字节数每字节的成本（毫分）64M0.017256M0.0071G0.0034G0.00116G0.000564G0.0002微处理器（Microprocessor）每cm2面积的晶体管数每个晶体管的成本（毫分）4M17M0.513M0.225M0.150M0.0590M0.02专用集成电路(applicationspecificintegratedcircuits，ASIC)每cm2面积的晶体管数每个晶体管的成本（毫分）2M0.34M0.17M0.0513M0.0325M0.0240M0.01硅片尺寸（mm）200200200-300300300300半导体工业的发展路线图1995199719992001200特征尺寸和硅片尺寸特征尺寸越来越小，硅片尺寸越来越大，因而集成电路的规模越来越大。特征尺寸和硅片尺寸特征尺寸越来越小，硅片尺寸越来越集成电路几何学上的限制密集排列的每一个硅原子由原子核和外层电子构成，原子具有一定的尺寸，这决定了集成电路的特征尺寸不可能无限小下去。集成电路几何学上的限制密集排列的每一个硅原子由原子核和外层电集成电路器件的限制•原子尺寸为：数Å；•需要一定数量的原子才能形成器件；•这使得集成电路的最小特征尺寸限制在约为100Å或0.01微米；•这一最小特征尺寸大约包含30个硅原子。集成电路器件的限制•原子尺寸为：数Å；目前已知的特征尺寸最小的晶体管，由日本NEC于1997年制备完成（14nm）目前已知的特征尺寸最小的晶体管，由日本NEC于1997年制备2提高芯片的可靠性随着生产过程超净化的实现，对化学试剂纯度的可控制，以及各种检测和测试技术的提高，使芯片的可靠性越来越高。2提高芯片的可靠性随着生产过程超净化的实随着集成电路产业的发展，对超净环境的要求越来越高。随着集成电路产业的发展，对超净环境的要求越来越高。3降低价格1946到1996年，半导体微芯片的价格下降了一亿倍。

3降低价格1946到1996年，半导体微芯片的价格下降了一集成电路的基本工艺流程集成电路的基本工艺流程第一章硅的晶体结构

1.1硅晶体结构的特点第一章硅的晶体结构

1.1硅晶体结构的特点单晶结构---晶体由单一的晶格连续组成单晶结构---晶体由单一的晶格连续组成多晶结构---晶体由相同结构的很多小晶粒无规则地堆积而成多晶结构---晶体由相同结构的很多小晶粒无规则地堆积而成非晶结构---固体原子无规则地堆积而成非晶结构---固体原子无规则地堆积而成晶格：

配置有原子、分子、离子或其集团的空间点阵，可以看成是由质点在三维空间按一定规则周期重复性排列所构成，这种周期性结构为晶格。

晶胞：能够最大限度地反映晶体对称性质的最小单元。晶格常数：晶胞的边长300K时，a＝5.4305Å（Si），5.6463Å（Ge）1

晶胞晶格：配置有原子、分子、离子或其集团的空间点阵，可以看成是简立方晶格简立方晶格体心立方晶格ijka1a2a3o体心立方晶格ijka1a2a3o面心立方晶格a1a2a3金刚石、硅、锗的晶格为金刚石结构，属于面心立方。面心立方晶格a1a2a3金刚石、硅、锗的晶格为金刚石结构，属顶角上每个原子为8个晶胞共有，81/8＝1面心上共有6个原子，每个原子被2个晶胞共有，61/2＝3体对角线上的原子完全属于该晶胞所有，41+3+4＝8一个晶胞含有8个原子2硅晶体原子密度金刚石结构的立方晶胞两套面心立方格子组成的复式格子顶角上每个原子为8个晶胞共有，81/8＝11+3+4＝82晶胞体积为：a3

一个原子占据的空间为：a3/8原子密度——单位体积含有的原子个数为：8/a3＝51022/cm3——硅 4.421022/cm3——锗

晶胞体积为：a33共价四面体硅为元素周期表中四族元素，每个原子有4个价电子，形成晶体时，可以形成4个共价键。一个原子在四面体的中心，另外4个同它共价的原子在4面体的顶角上，成为共价四面体。硅形成的共价四面体的键称为四面体键，键之间的夹角为109º28′。最小原子间距，即正四面体中心到顶角原子的距离，是体对角线长的1/4，为。3共价四面体硅为元素周期表中四族元素，每个原子有4个价电子4晶体内部的空隙

空间利用率：原子体积晶胞中原子占据的体积空间利用率原子填充晶胞空间的百分比则空间利用率为：34％4晶体内部的空隙空间利用率：原子填充晶胞空间的百分比则空1.2晶向与晶面晶向：一族晶列所指的共同方向，称为晶向。

晶面：晶格中同一平面上的格点构成一个晶面。1.2晶向与晶面晶向：一族晶列所指的共同方向，称为晶向。<100>：<110>：<111>：线密度最大

原子线密度<100>：线密度最大原子线密度{100}

{110}{111}原子面密度2{100}原子面密度21.3硅晶体中的缺陷点缺陷间隙杂质肖特基缺陷弗仑克尔缺陷1.3硅晶体中的缺陷点缺陷间隙杂质线缺陷---位错位错与滑移矢量平行，为螺位错。位错与滑移矢量垂直，为刃位错。线缺陷---位错位错与滑移矢量平行，位错与滑移矢量垂直，1.4硅中的杂质替位式杂质间隙式杂质对于Ⅲ、Ⅴ族杂质，只有当其成为替位式杂质时，才能起到施主或受主的作用。对于重金属杂质，以离子形式存在于间隙中氧原子以Si－O－Si键合态存在间隙中，形成所谓的“成键间隙”状态。碳原子形成微沉淀形式的碳－硅络合物1.4硅中的杂质替位式杂质第一章硅晶体结构ppt课件硅衬底及掺杂剂硅衬底及掺杂剂单晶硅的N型掺杂单晶硅的N型掺杂单晶硅的P型掺杂单晶硅的P型掺杂掺杂浓度和电阻率的对应关系掺杂浓度和电阻率的对应关系半径比硅小的杂质，如B、P，对周围晶格产生张应力而半径比硅大的杂质，如As，对周围晶格产生压应力“应力补偿”原理，消除失配位错。——完美扩散掺杂过程中引起的应力半径比硅小的杂质，如B、P，对周围晶格产生张应力掺杂过程中引形成替位式杂质的条件（1）原子大小：与原晶格上的原子大小接近。（2）原子外部电子壳层和晶体结构具有相似性固溶度：杂质在硅晶体中的溶解度掺有杂质B、P的硅晶体，只能形成有限替位固溶体硅中替位式杂质的形式形成替位式杂质的条件硅中替位式杂质的形式选择硅的原因：地球储量丰富，相对便宜。热稳定性好。SiO2比较容易制备，是一种性能优良的介质膜。SiO2能够用来作为扩散掺杂的掩膜使用。1.5

硅片的制备选择硅的原因：1.5硅片的制备原子序数14原子量28.0855发现者JönsJacobBerzelius,Sweden,1824命名的来源来自于拉丁文“silicis”，意思为极硬的东西（flint）。单晶硅的键长2.352Å固体的密度2.33g/cm3摩尔体积12.06cm3声速2200m/sec电阻率100,000μΩ×cm表面光反射率28%熔点1414℃沸点2900℃硅的特性原子序数14原子量28.0855发现者JönsJacob石英沙：二氧化硅；a)石英沙冶金硅（粗硅），metallicgradesilicon(MGS)；b)冶金硅粉末+HCl三氯硅烷（TCS）；通过气化和浓缩提纯三氯硅烷；c)三氯硅烷+H2多晶电子纯硅（ElectronicGradeSilicon，EGS）d)熔融的多晶电子纯硅（EGS）单晶硅锭e)整型处理：去掉两端、径向研磨、定位边；单晶硅锭切片、磨片倒角、刻蚀、抛光；激光刻号，封装。从石英沙到硅片的制备过程石英沙：二氧化硅；从石英沙到硅片的制备过程a)石英沙冶金硅为高温反应过程。a)石英沙冶金硅为高温反应过程。将冶金硅压碎，制成冶金硅粉，通过与无水HCl反应生成粗三氯硅烷：Si（固体）+3HCl（气体）

SiHCl3（气体）＋H2（气体）

b)提纯：三氯硅烷法：冶金硅三氯硅烷（TCS）+第一步硅提纯将冶金硅压碎，制成冶金硅粉，通过与无水HCl反应生成粗三氯Si（固体）+4HCl（气体）SiCl4（气体）＋2H2（气体）Si（固体）+2HCl（气体）SiH2Cl2（气体）Si（固体）+HCl（气体）＋H2（气体）SiH3Cl（气体）SiHCl3（气体）＋SiH3Cl（气体）2SiH2Cl2（气体）SiCl4（气体）＋H2（气体）SiHCl3（气体）＋HCl（气体）杂质氯化物如：BCl3、PCl3、AlCl3副产物：SiCl4、SiH3Cl、2SiH2Cl2等存在的杂质Si（固体）+4HCl（气体）SiCl4（气体）＋2H2对粗三氯硅烷进行精馏原理：利用各组分沸点的不同来达到分离杂质的目的。对粗三氯硅烷进行精馏原理：利用各组分沸点的不同来达到分离杂质精馏后的三氯硅烷的纯度可达9“N”精馏后的三氯硅烷的纯度可达9“N”c)三氯硅烷（TCS）电子纯硅（EGS）c)三氯硅烷（TCS）电子纯硅（EGS）精馏后的三氯硅烷，被高纯度H2带入“西门子反应器”(还原炉)。炉中先将细硅棒通电加热，控制温度在1050～1150℃西门子反应器精馏后的三氯硅烷，被高纯度H2带入“西门子反应器”(还原炉三氯硅烷法的优点：生产成本低、效率高三氯硅烷法的缺点：三氯硅烷遇水形成具有腐蚀性的HCl气体，设备中重金属Fe、Ni等被腐蚀，从而污染三氯硅烷。三氯硅烷法的优点：生产成本低、效率高硅烷法提纯硅烷发生器：将Mg2Si与NH4Cl混合纯化系统：低温精馏＋吸附提纯分解炉：与三氯硅烷法的还原炉基本相同

合成炉硅烷发生器纯化系统分解炉冶金硅粉Mg屑NH4ClMg2SiNH3SiH4纯SiH4多晶硅硅烷法提纯硅烷发生器：将Mg2Si与NH4Cl混合合成炉硅烷d)电子纯硅单晶硅锭1、直拉法CZ(Czochralski)

2、区熔法(FZ)d)电子纯硅单晶硅锭1、直拉法CZ(Czochralsk1、CZ(Czochralski)直拉法拉单晶1、CZ(Czochralski)直拉法拉单晶第一章硅晶体结构ppt课件拉晶过程直径约1～2mm长约15～20mm剩余熔硅20％左右时换料中，不断通入保护气体将晶体直径长大到所要求的尺寸待润和良好后，再开始提拉拉晶过程直径约1～2mm剩余熔硅20％左右时将晶体直径长大到第一章硅晶体结构ppt课件影响拉晶质量主要参数：拉伸速率、旋转速率、温度升高温度或提高拉速，直径变小降低温度或拉速，直径变大生长棱影响拉晶质量的因素影响拉晶质量的因素掺杂将杂质直接加到硅粉中，形成熔体极轻(cm-3)轻中重<10141014~10161016~1019>1019n-，p-n-，p-n，pn+，p+掺杂极轻(cm-3)轻中重<10141014~101610CZ:杂质主要由石英坩锅分解而产生的氧——有益但必须加以控制的杂质益：少量的氧可以作为吸附中心弊：加热，氧将深入硅片内部杂质控制CZ:杂质主要由石英坩锅分解而产生的氧——有益但必须加以控制1952年，