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文档简介

7.4

压控振荡器

7.4.1概述振荡频率随外加控制电压变化而变化——压控振荡器（VCO）

主要性能指标：压控特性曲线（1）频率范围

fmax～fmin理想频率受控特性（2）线性度——对理想线性控制特性的偏移（3）压控灵敏度——A0（VCO增益）单位：或7.4压控振荡器7.4.1概述振荡频率随外加控1（4）调制带宽——允许控制电压变化的最大速率（5）工作电压——振荡器工作电压和控制电压（6）噪声——主要是相位噪声小构成VCO的一般方法①

LC振荡器——改变回路电抗元件值，实现频率控制②

多谐振荡器——用改变电容充放电电流大小或各级的

延迟时间，实现对频率的控制需用压控电抗元件优点：带有选频回路，频谱较纯，相位噪声较小优点：无调谐回路，易于集成缺点：频谱纯度不够好（4）调制带宽——允许控制电压变化的最大速率（5）工作电压—27.4.2变容二极管压控振荡器变容二极管——势垒电容随外加电压而变化②

结电容

与外加电压的变化规律

工作时的基本要点①二极管反向偏置，外加电压变化时二极管应始终保持不导通~7.4.2变容二极管压控振荡器变容二极管——势垒电容随外3变容二极管压控振荡器典型电路举例电路分析：PNP管，电源＋5V偏置电阻：旁路电容：变容二极管控制电压（正电压）交流通路图电路特征：①晶体管共基组态②两只二极管串联③振荡频率由四个电抗元件共同决定变容二极管压控振荡器典型电路举例电路分析：PNP管，电源＋54石英晶体压控振荡器交流通路图电路原理：①并联型晶体振荡器——晶体呈感性②晶体的负载电容为：③

控制电压改变，从而改变晶体振荡器的频率石英晶体压控振荡器交流通路图电路原理：①并联型晶体振荡器—5晶体压控振荡器的压控特点——可调频率变化范围很小

原因：晶体呈感性的区域（~

）很小

展宽频率范围方法——串联电感将晶体呈电感的范围从结果：则振荡器的可调频率范围也相应展宽。晶体压控振荡器的压控特点——可调频率变化范围很小原因：晶体67.4.3射极耦合多谐振荡器①交叉耦合的两个晶体管构成正反馈

②对电容器在两个门限电平之间

交替地进行充、放电形成振荡

电路特点：7.4.3射极耦合多谐振荡器①交叉耦合的两个晶体管②7结论:控制充电电流I的大小或者改变电容器C的大小,可以控制多谐振荡器频率

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