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文档简介

InP〔HEMT〕和异质结双极晶体管〔HBT〕等方面。由于与InPInGaAs层的载流子溶度和电子迁移率格外高，超过与GaAsInPGHz有很大的应用前景。InP电集成电路〔OEIC〕40Gb/s工艺技术及深亚微米制造技术进展越来越显示出起异乎寻常的特性，青睐。InP1.4eV能电池，并由于其具有高抗辐射性能被用于空间卫星的太阳能电池。多晶的合成相比照较困难。但是人们还是制造了很多方法用以合成InPInP相转为固相的相变过程，材料的相图、热导率、堆垛层错能、分剪切应力、杂质分凝等是打算单晶生长的关键因素。人们承受了多种方法来进展InPLEC、改进的LEC、压力掌握LEC、VGF/VB及HB/HGFInPInP种潜能始终是InPLEC液封直拉〔LEC〕法始终是InP可以生长φ100～φ150mm的InPLECInP1968年MullinB2O3作为掩盖剂用LECInP高的，因此不能像硅那样直接承受CZ坩应加热坩埚中的提拉开头结晶。拉制过程中调整熔体温度可以掌握晶体的直径。的温度就会渐渐上升，从而使晶体的直径缩小。晶体离开熔体后，温LEC进展自动化生长InPInPLEC势。大量的工艺和理论争论说明单晶生长中并不存在临界放肩角的寸，需要选择适宜的放肩角度以避开孪晶的产生，并使工艺成熟化。率的重要条件。在屡次试验中觉察一般生长大直径单晶时承受大于75°简洁造成径向温度梯度不均匀，引起晶体生长不对称，产生孪晶。在性影响不大，从一般理论意义上讲，也有利于应力的释放，一些数据说明在放肩时有向外生长孪晶的单晶位错数量较少。180°平放肩使工艺过于临界，适当承受在引晶时缓慢拉速〔2～4mm/h〕可以使工艺操作简洁，并且B2O3晶体的上外表时缓慢流回到熔体中，不至于在晶体的肩部外表造成“剥皮”现象，也有利于削减应力积存。部生长的孪晶的产生几率，更适宜＜100＞方向的单晶生长。这可能利于单晶生长。果而是多重综合影响的结果，因此综合考虑，综合调整。因此，承受平放肩技术，调整径向温度梯度，晶体放肩角可到达75°以上，大大缩短了晶体生长的时间，增加了大直径单晶的比例，90°。使晶体最大直142mm。改进的LEC为了减小传统LECLEC〔热罩〕TB－LEC埚B2O3加速了从熔体中生长出InP方开小口的方式可以抑制磷的离解〔4〕。压力掌握LEC磷蒸气压掌握LEC技术又称为VCZ〔

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