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半导体电介质陶瓷阻挡层电容器(第三类介电材料)大多数含TiO2的材料,无论其TiO2是以单相还是同其它化合物结合形式存在,当处于还原气氛下烧成时材料均将导电。而添加适量的杂质原子对材料的抗还原性会产生很大影响。通常受主掺杂原子有利于提高材料的抗还原能力,而施主原子则将降低材料的抗还原性。若在空气或氧气下退火,大多数材料均可重新获得高阻抗态。出现部分再氧化的介电材料示意图157半导体电介质陶瓷阻挡层电容器(第三类介电材料)(a)再氧化层元件Reoxidizedlayerunits将约0.5mm厚的BaTio或SrTio圆片经过还原气氛烧结等工艺,可制成高阻抗表面氧化层元件。在圆片的表面刷上银电极涂层,并在大约800℃下煅烧。银电极涂层含有PbO-Bi2O3-B2O3等可形成玻璃态的氧化物,外加约Imol%的受主杂质,如铜。因此在钛酸盐表面形成大约10pm的绝缘薄层,它可使得电极和半导电钛酸盐相互隔离,并具有很高的电容特性。由于大部分电容器电压作用于二个介电薄层上,从而使得工作电压低,一般为10V左右,
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