NAND闪存内部结构解析_第1页
NAND闪存内部结构解析_第2页
NAND闪存内部结构解析_第3页
NAND闪存内部结构解析_第4页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

第第页NAND闪存内部结构解析NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。

市场上主流的掉电还能保存数据的存储（芯片）主要有，EEP（ROM），NORFLASH,NANDFLASH，EMMC,UFS。

闪存的内部存储结构是金属-氧化层-（半导体）-场效（晶体管）(（MOSFET）)，里面有一个浮置栅极(FloatingGate)，它便是真正存储数据的单元。请看下图：

数据在闪存的存储单元中是以电荷(electricalcharge)形式存储的。存储电荷的多少，取决于图中的控制栅极(Controlgate)所被施加的电压，其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。而数据的表示，以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示。

1.对于NAND闪存的写入(（编程）)，就是控制ControlGate去充电(对ControlGate施加电压)，使得浮置栅极存储的电荷够多，超过阈值Vth，就表示0。

2.对于NANDFlash的擦除(Erase)，就是对浮置栅极放电，低于阈值Vth，就表示1。

NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应，（电流）穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。(见下图)而这个绝缘层会随着擦写而耗损。而随着制程的提升，FG层容纳的（电子）会变少，而绝缘层也会变的越来越薄，所以耗损能力也会相应降低，这就是为什么新制程的颗粒寿命反而越来越短的原因。以（intel）为例，40nm的MLC闪存寿命大约为5000次，而25nm仅为3000次，到了19nm只剩下2000，而部分（厂商）的16nmMLC闪存则只有1500次的寿命。

图是一个8Gb50nm的SLC颗粒内部架构，每个page有33,792个存储单元，每个存储单元代表1bit(SLC)，所以每个page容量为4096By（te）+128Byte(SA区)。每个Block由64个page组成，所以每个Block容量为262,114Byte+8192Byte(SA区)。Page是NANDFlash上最小的读取/写入(编程)单位(一个Page上的单元共享一根字符线W（or）dline)，Block是NANDFla

人人文库> 全部分类> 应用文书 > 项目管理

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论