71222p03太阳能控制器设计

引 绪 、功能介 AT89C51单片 MOSEFT 光 蓄电 3、电路设 、电压电 PCB 5测试分 结 致 参考文 ，我们的土地是主要依靠水力发电在这一阶段水资源的不平衡众所周知我国现在最需要的就是开发那些电力比较缺乏地区或者是不能依靠水力发电的地区的电力资源这些地区在我国的西部比较集中包括内蒙古，青海，等省，这些地方由于地理的原因每天的光照时间长，土地广阔，常规动力设施建设电力工程的成本对于当地而言也是比较高的电能地地供给与需求地之间地比较突出但是能无处不在也可以说是零成本所以利用能发电就不会存在这些问题而且能够很好的解决这些偏远地方的电力问题但是光只有在白天有夜晚的人每年对电力的需求又将会是一个问题所以本文的设计就是能够将白天的能转化为电能起来供晚上使用，阴天的时候也可以使用，这样我们就能很方便的用电，不在受用电的困扰。，，，，多西部少地现象，也不会手陆地海洋地影响能在任何地方都有，我们可以和一般地什么石油、煤矿还不同能首先是一次能源，它不像煤矿石油一样会枯竭，还有就是能是非常干净地一种能源能地能源质量比较高，不，，，A/DA/D基础的，51单片机也是我的计划这个系统的主要的控制原件。能电池的电实验我知道当电池电压14.4V±0.5，能电A/DA/D8CPU、32I/O48166（5）、全双工串行通信、两个中断优先级、128BRAM64KB4，328I/O2VCC(P40):5V2）23）4器存期的期间，PSEN地址低字节的内存。在外部器的，ALE仍在不断的频率输出信号，在FLASHPROG4）32P0（P39-P32):P08I/Op0.0-择使用10000欧电阻，此外，在外部程序和数据器时，P0端是分时间8（A0-7）/数据总线（D0-D7)。P1（P1-P8):P18I/Op1.0-P1.7，每个都I/O以被独立地控制，内部上拉电阻，类似于P1。此外在外部器时，P2口送出地址（A8-15）。口，P1TLC549是TI8位A/D用8位开关电容依次近来实现A/D转换，转换的速度小于17us，最大转换40000HZ，4MHZ3V6V。它能快捷的选=参考=2.5V。且要求：（REF+）－（REF-）≥1V。我在网上查到一些TLC5490.3V，最高电压在电源电压图源极S和漏极D。导电通道与横向导电装置并联，表面，这一结构限制其电流容量。。莫斯采用两只功率管和漏扩散过程，移居到的另一侧表面，以便 P地时候，内部有电流通过，二极管发光被检测到，然后产生光电流，3、4间导通。反之，当光耦内部地发光二极管地电流相当于零地时候，3、4图我们平时一般见到的能电池，它的本体上就是大面积的P/N结二极管半导体材料，此二极管是一种N区和P区，形成之间的节点。对于能电池光伏能量转换来说，器件的基本要求是半导体结构的电子非对称性。P/NP没有污染，也不会产生，方便使用，无时无刻不在。图（2.5）能电池产生光伏效铅酸蓄电池作为简单的能电池被广泛的使用。铅酸蓄电池要特点具有很好地过充和过放能力。而且铅酸蓄电池地长，安全可靠不用。铅12V，全电压是14.1~14.5V；13.2V如图四所示是系统设计的电路图，首先我们看到的是一个能电池，R1R251管。。通情况由电脉冲调制器来控制控制的一个过程，MOSFET管栅极偏压。 1

Q2

Vin1

T1VV

U4

C1C23

U1AT89S51

22VCCP0.0/AD039CLK1 38

88Vin

6 3

P0.2/AD237P0.3AD336P0.4/AD435DO2P0.5/AD534P0.6/AD6

AD13

44

CLK7DO6DO1CS5 4 RST

P0.7/AD7

T0/P3.4

2345

AD23

44

VCC8CLK7DO6DO2CS5

X2

X1

P2.1/A922 P2.0/A821

C6

我的这篇 里面能电池是蓄电池，所以存在着一下基本地过度充放电比如电池是不是安全的电池能够使用多久还有就是要选对电池的使用模式。我们平常所了解地电池一般有三个基本地模式，每一个模式都是不一样的都有所差别的三个模式通常情况下分别是浮充快充过充这三个阶段本文所采用地设计是最常见也是最容易实现地恒压充电但是我们知道一般地充电方式都是先采用恒流充电等电压达到一定的标准的时候采用恒流充电本文采用恒压充电的原因就是其简单容易控制也能达到最佳的充电的状态其他的充电方实验我了解到当蓄电池的电压在11V12.5V14.8V。1流二极管D2、MOSFET管等构成。当没有光能地电压小于蓄电池地电压地时候，此时D1开始工作，不然就会出现蓄电池给能电池充电了。通过控1 2并且并联在检测电路B1两端，在电压电路地运作，大小比例为10:1。我们R1，R214.8V地时候，取接地电压为1.3V，和A/D转换TLC549的输入值一致。图（3.4）电压电C1C1K1U5VGS电压达到一定值时，Q1如图所示，图中所展示的是单片机的电路，包含单片机的本身,其中包10uF10uF10C1 .0C2 .1 .2 .356 RST X2X1T0/P3.4T1/P3.5WR/P3.6VCC40P0.0/AD039P0.1/AD138P0.2/AD237P0.3AD336P0.4/AD435P0.5/AD534P0.6/AD6.7/AD7 31P2.7/A1528P2.6/A1427P2.5/A1326P2.4/A1225P2.3/A1124.2/A10 23.0/A8 R1R1871234图（3.6）单片机及其电VCC。8 8 765

2 334LM7805LM780512V，5VVinVinV

104PCBYNYNYN因为是自己的小实验，支付不了能电池的费用，所以本文设计中使12V直流电源来模 14.5V12V-14.5V10.8V10.8V12V12V1A3612V10V的时候，MOSFETQ210v-12v的时候，Q1打开给电池充电，绿灯亮；当电压在12v-14v的时候，充电，绿14V，MOSFETQ1 全文，基本上围绕51单片机以及单片机的结构，这是最主要的。其次就是其中的光耦，当时是实验的时候我忘记加防反接的二极管D1，电路烧毁了。然获的。我本来很少去馆，但是为了完成我的毕业设计，我几乎天天泡在图馆里，但是检测还是一遍一遍的不过啊，所以我又反复的修改，不断完自动布线，然后将上面地一层手工进行修改，完善完善，然后得到了现在中给老师发过去，