存储器产业专题报告之一：中国企业有机会在3DNAND Flash领域实现弯道超车

阅读正文之后的信息披露和法律声明 存储器行业 存储器行业和微处理器是绕不开的课题。本篇报告通过50+页的篇幅，详细论证了存储器Flash等子行业的应用领域、竞争格局、市场规模、未来发展趋势等，最后认为中动，这使得大公司总有扩大产Flash，随着平面工艺尺寸缩减难度越来越大，在16nm左右，采用平面缩减工艺中国可借助3DNandFlash技术转换机会实现弯道超车。从产值角度看，存储器占半导体产品产值的22%，在半导体产品中算“大件”。发展存储器产业，对国家整个半导体产业的进步拉动效应明显。2DNandFlash的进步主要是通过微缩技术实现的，而3DNandFlash的关键技术是极度复杂的刻蚀和薄膜工艺，技术工艺差别较大，而且美光、SK海力士等巨头在3DNandFlash布局方面走的并不远。如果中国企业现在通过技术合作，快速切入该领域，在这个技术变革过程中很有可能在存储器领域实现弯道超车。力成等为其晶圆制造和封测的合作伙伴。国内存储器产业链相关的企业有兆易创新h制造)、中芯国际(0981.HK，存储器芯片晶圆制造)等，另外未来如果存储器产料、封测、模组、控制器芯片等配套风险提示：行业景气度剧烈波动、技术更新换代等行业研究持首次相关研究SAC执业证书编号：S06tseccomSAC执业证书编号：S4060002bhtseccom3219816ccom11阅读正文之后的信息披露和法律声明 1.存储器行业发展特点 91.1存储器产业近两年景气度高，相关企业盈利颇丰 91.2存储器长期发展的不确定性因素 92.存储器的分类 113.DRAM市场分析 14DRAM点：技术更新快、周期风暴、寡头垄断 14 3.3DRAM下游应用市场 19 及可穿戴拉动利基型DRAM 21DRAM定、Mobile比重继续增加、新技术 23 4.NandFlash市场分析 25 shD NANDFlash高速增长、国内市场增长快 33 h NORFlash 44 22可穿戴设备拉动 46 7.其他存储技术 50 8.1存储器与微处理器，占据超四成的半导体产值 51 9.投资建议：关注存储器产业链上下游 52附录.部分专用名词说明 5333图1美光营收和净利润的波动性(百万美元) 9图2SKHynix营收和净利润的波动性(千亿韩元) 9图3美光(MU.O)股价相对涨幅 9图4华亚科(3474.TW)股价相对涨幅 9 图7全球智能手机渗透率已高 10图8存储器按结构和特性分类 129存储器按级别分类 13 图122008-2014年DRAM合约价波动图(单位：美元) 15 图15全球DRAM产业由三星电子、SK海力士、美光三强鼎立 17 图182012-2017年DRAM市场总营收及其预测(百万美元) 21RAM 图202014年Q2全球MobileDRAM营业收入排名(单位：亿元) 23 图232012年全球NAND市场销售额比例分布(亿元) 26图242012年中国NAND市场销售额比例分布(亿元) 26 44NANDFlash单位：亿元) 28图27eMMC和NandFlash读取速率对比(MB/s) 28 图29近期eMMC价格与容量关系(美元) 29图30近期eMCP价格与架构关系(美元) 30图31SSD近期价格与容量的关系(美元) 30 NDFlash 图35NANDFlash近两年品牌营业收入(百万美元) 34NANDFlash单位：亿美元) 34图372008-2015年中国NANDFlash市场规模及预测(按销售额，单位：亿元) 35图38近年来NandFlash价格走势(美元) 35 图412014年SLC、MLC、TLC价格对比 38iPhoneGTLCMLC对比 39iPhoneGTLCMLC对比 39 图452012年全球NORFlash市场份额分布(亿美元) 41 图482012年全球NORFlash芯片市场区域结构(按销售额，单位：亿美元) 43图492012年中国NOR市场销售额比例分布(亿元) 43 NORFlash与增长率及未来几年预测 45NORFlash与增长率及未来几年预测 4655美元) 46 47NandDRAM、寿命等方面的比较 47 ash 66表1三种主要存储器的比较 13 表3主要DRAM芯片厂纳米制程技术时程图(Roadmap) 19表4主要NANDFlash芯片厂纳米制程技术时程图(Roadmap) 26表5各大存储厂商3DNandFlash技术路线图 33D 表7主要的新兴存储技术比较 5077阅读正文之后的信息披露和法律声明投资要点从产值角度看，存储器和微处理器是半导体产业的两大件，分别占半导体产品产值不开的课题。本篇报告通过50+页的篇幅，详细论证了存储器(Memory)行业的发展本篇深度报告编写的目的：1)存储器是半导体产业重要的组成部分，通过对存储器产业的研究，让投资者更深地理解半导体行业的发展规律；2)提示关注国内存储器产业链的投资机会。国内存储器产业链相关的企业有兆易创新(IPO排队，NORFlashK材料、封测、模组、控制器芯片等配套都可能有投资机会，我们保持密切关注。新换代快，用户和产品粘性弱，容易被取代。市场容量可以被迅速推动，如智能手机的内种方式对大公司而言似乎总是正确。市场行情好的时候扩张可以薄利多销挤占市场，行所以从供给角度看竞争格局比较稳定；2)且从需求角度看，智能手机市场的爆发，对y高景气状态表示疑虑，波动性特点可能很难改变，理由主要有：1)存储器行业波动性宏观经济波动正相关，存储器景气波动幅度甚至大于宏观经济的波动；2)供应角度：通过研究存储器行业及各大相关公司的发展历史，也可以发现存储器行业的长期波动性海力士、美光等当前并未停止大肆扩张的脚步，所以我们对存储器产业的周期波动特性放松警惕。sh88阅读正文之后的信息披露和法律声明h动增长率将有所回升。入该领域，在这个技术变革过程中很有可能在存储器领域实现弯道超车。991.存储器行业发展特点具有高度的标准化特性，更新换代快，用户和产品粘性弱，容易取代。市场容量可以被扩大规模的冲动，而这种方式对大公司而言似乎总是正确。市场行情好的时候扩张可以薄利多销挤占市场，行情差的时候大公司耐受能力强从而将对手拖垮。图1美光营收和净利润的波动性(百万美元)0(320)200000(320)营业总收入(百万美元)净利润(百万美元)16358150009073878889073878884828234527256885272480350003045185011906767200620072008(1619)2200620072008(1619)201120122013(1032)2014(1835)(5000)资料来源：Wind，海通证券研究所整理图2SKHynix营收和净利润的波动性(千亿韩元)2005000500(50)(100)营收(千亿韩元)净利润(千亿韩元)营收(千亿韩元)141.65119.73101.88101.6284.3476.6575.6976.6575.6964.9528.95228.9512.733.28.29-9-4.642009201020112012200920102011201220132014H1-47.21.1存储器产业近两年景气度高，相关企业盈利颇丰所以从供应角度看竞争格局比较稳定；2)且从需求角度看，智能手机市场的爆发，对图3美光(MU.O)股价相对涨幅图4华亚科(3474.TW)股价相对涨幅资料来源：Wind，海通证券研究所整理(收盘价截止到2015.1.16)1.2存储器长期发展的不确定性因素业长期维持高景气状态表示疑虑，波动性特点可能很难改变，惟有强资本实力、拥先进占相对有利地位。阅读正文之后的信息披露和法律声明阅读正文之后的信息披露和法律声明需求的周期性：国际经济形势波动、智能终端的渗透率存储器行业波动性的原因之一就是宏观经济的波动性影响存储器的需求，历史上存储器价格波动基本都跟宏观经济波动正相关，存储器景气波动幅度甚至大于宏观经济的D济的重4332211099989796959493OECD综合领先指标:G7(点，右轴)现货平均价:DRAM:DDR21Gb128Mx8800MHz(美金，左轴)网、智能家居、智能硬件等产业还未明显起动，对存储器的总体需求有待观察。所以我图6全球智能手机出货增速下滑3503002502005000500全球智能手机出货量(百万台，左轴)YoY(%，右轴)100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%图7全球智能手机渗透率已高00%全球手机出货量(百万台，左轴)智能手机渗透率(%，右轴)供应的周期性：各大厂商的扩张基因继续隐现DRAM头垄断局面，各大阅读正文之后的信息披露和法律声明器行业及各大相关公司的发展历史，也可以发现存储器行业的在业界也是臭名昭著。甚至在2006年，三星电子三名高官因涉嫌操纵内存价格而被美引起业界一片哀嚎。这一惯用手段贯穿三星电子过往发展史，甚星“成功法宝”之一。三星的最新扩张：三星DRAM产品有4个厂，均为12寸产线，均建置于韩国华在台湾也有产线，并和台湾茂德有长期合作，同时在欧洲有研发中心。SK海力士扩建鉴于以上分析，我们认为存储器产业最大的特性就是景气周期波动性大。后续我们DRAMNandFlashNorFlash及发展趋势等。2.存储器的分类存储器可定义为将信息数字化后再以利用电、磁或光学等方式的媒体加以存储的设D机结构中，按是否可以直接被CPU读取可以分为内存(主存，如RAM)和外存(如ROM，硬盘等)，按掉电后是否保存信息分为易失性存储器(volatileMemory)和非易阅读正文之后的信息披露和法律声明图8存储器按结构和特性分类券研究所整理DRAM和Flash。DRAM主要包括用于智能ower市场份额已经超过标准DRAM；最后一类是利基型DRAM(NicheDRAM)，包括AMM阅读正文之后的信息披露和法律声明时钟周期0时钟周期0图9存储器按级别分类寄存器寄存器一一级缓存SRAM二二级缓存SRAM主主存(内存)(DRAM→SDRAM→DDR1→DDR2→DDR3→DDR4。。。)外部存储器外部存储器FlashROMHDDSSDCD，磁带。。。)网络存储器理D表1三种主要存储器的比较特性DRAMNANDFlashNORFlash挥发性易失性非易失性非易失性随机读取50ns25000ns100ns带宽100MB/s10MB/s1MB/s寿命无限10^4-510^5功耗高低低软件容易难适中擦除不能可以可以主要厂家三星、SK海力士、美光三星、SK海力士、美光、东芝/闪迪旺宏、兆易、华邦、宜扬典型应用DDR、GDDR、LPDDReMMCEMCPSSDU盘IOT、可穿戴、智能手机理AMsh阅读正文之后的信息披露和法律声明80%0%60%50%40%30%20%%20132014220132014DRAMNANDNOR证券研究所整理RAM3.1DRAM行业历史发展特点：技术更新快、周期风暴、寡头垄断技术更新换代快(又称SDRDRAM)。在1996-2002年期间，SDRAM逐步取代了其他DRAM称雄PC内存市场。在SDRAM基础上，又发展了双倍速率同步动态随机存取內存DDRDDR还衍生除了专用于图形处理的GDDR，用于移动平台的低功耗LPDDR(mobile理阅读正文之后的信息披露和法律声明C危机后，台湾DRAM厂商被迫转型，日本尔必达被AM图122008-2014年DRAM合约价波动图(单位：美元)4332211043322110现货平均价:DRAM:DDR21Gb128Mx8800MHz(美金)阅读正文之后的信息披露和法律声明研发能力较强的美国。到了80年代产品进入了成长期，产品的品质、价格决定了市场DRAM移与厂商数量减少研究所整理DRAMSK鼎立其他美光三星0%海力士海力士s阅读正文之后的信息披露和法律声明表2主要DRAM公司2014第二、三季度营业收入(百万美元)及市场份额排名公司Q3营业收入Q2营业收入环比Q3市场份额Q2市场份额1三星samsung5019423718.46%41.7%2SK海力士Hynix319129747.30%26.5%27.4%3美光MicronGroup286527294.98%23.7%25.2%44363963.6%3.7%5华邦winBond75665.42%1.5%1.5%6力晶powerchip其他22488225-5.56%10.22%0.8%布比较MobileDRAM封装(MultiChipPackage,MCP)等产品。ComputingDRAM主导航、数位相机、数位摄影机、数位单眼相机(DSLR)等消费型产品;GraphicDRAM主要应用于笔电、桌上型电脑等可大量且高速执行绘图运算之资讯运算产品。MobileAMMCPinem阅读正文之后的信息披露和法律声明存储原厂三星SK海力士美光金士顿DRAM产线YESYESYESYESDRAM制程25nm29nm28nmPSC产线38nm海通证券研究所整理率、利润、3D技术等方面均处于绝对领先位置。三星在小时，技术难度带来的成本增加将超过规模效应的效益，因此普遍由美光主导，南科(2014年9华亚科(inotera)由于与美光议价结构的关系，继续保持DRAM厂中获利最佳的位置，2014年第三季利润率高达到51.9%。公司计划2015年更新产线，以求后续顺利转20nm制程。南亚科(NanyaTechnology)目前以生产利基型存储器为主，2014年第三季营业力晶(Powerchip)受代工业务价格下滑影响，在2014年第三季DRAM营业收入DRAM游应用市场阅读正文之后的信息披露和法律声明mobileDDRLPDDRLowpowerDDR)，以及少量的PSRAM；用PC其它21%Consumer4%Server12%Mobile32%M阅读正文之后的信息披露和法律声明及可穿戴拉动利基型DRAM。图182012-2017年DRAM市场总营收及其预测(百万美元)000201220132014E2015E2016E2017EPCDRAMMobileDRAM阅读正文之后的信息披露和法律声明M持高利润态势。AMMeXchange华邦电子,南华邦电子,1%1%1%美光,22.60%三星电子,45.40%SK海力士,阅读正文之后的信息披露和法律声明QMobileDRAM：亿元)0三星电子SK海力士美光南亚科华邦电子MAM和一般消费性电子追求大容量、高速率不同，物联网更多地追求稳定性和低功耗而对容市场，Be年供不应求，稳定获利SKDRAM供不应求。相比阅读正文之后的信息披露和法律声明商提高MobileDRAM比t%90%80%70%60%50%40%30%20%%2005200620072008200920102011201220132014E2015E2016E2017E2018EM分则由于智能手机与平板在中国市场的热销，主流产品也逐渐由标准型内存转为移动内存，加上中国自有智能手机品牌厂成为重要的需求来源。除了中兴与华为外销比例较高以外，大部分中国品牌厂仍以内销为主。以2014年总消耗量做计算，中国地区就占了AM阅读正文之后的信息披露和法律声明45%40%35%30%25%20%15%10% 5%%2014嵌入式：(AIMM，消费电子，智能家电)2018企业级：服务器(企业和云服务)，网络证券研究所整理面加剧排名第三的美光制程进度落后于韩国两企业，长期看恐加剧寡头垄断局面。三星mM各厂以获利为先DRAM产业转为寡占市场结构，仅存的三大DRAM厂皆以获利导向为优先，谨慎动存储器，挤压了标准型DRAM产出，让标准型存储器市场价格维持高价水位。稳定成长获利的一年。新技术快速导入m些新技术短期不会影响整体存储器市场格局。NandFlash市场分析阅读正文之后的信息披露和法律声明市场比例基本一致。图232012年全球NAND市场销售额比例分布(亿元)图242012年中国NAND市场销售额比例分布(亿元)美光,其其他,5.7,东芝东芝/闪迪,28%海力士,13%三星,237.6,38%美光,0%3.6,22%东芝/闪迪,53.8,27%三星,海力士,76.8,39%,12%其他,0.8,资料来源：产业信息网，海通证券研究所整理资料来源：产业信息网，海通证券研究所整理m表4主要NANDFlash芯片厂纳米制程技术时程图(Roadmap)厂商201120122013201420152015制程等级2xnm2ynm1xnm1ynm1znm3DNAND三星27nm21nm19nm16nm14nm24nm东芝/闪迪24nm19nm19nm16nm12nm28nm美光25nm20nm20nm18nm15nm32nmSK海力士26nm20nm20nm16nm13nm32nm海通证券研究所整理h阅读正文之后的信息披露和法律声明MLCSK海力士、美光、C架构比MLC架构要快速三倍以上。再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比场需求。C然而由于具有成本优势，适合做消费电子移动设备的大容量存储，未来市场份额将会进应用分布其他3%移动存储25%consumer2%ssd31%mobile39%证券研究所整理阅读正文之后的信息披露和法律声明265.423.2162.1193.14265.423.2162.1193.148.8169.3136.7271.7151.849.4138.0227.933.7188.652.2130.853.4132.4100090080070060050040030020010002013年2014年E2015年EFlashCardUSBHandsetTabletPMPOthers证券研究所整理eMMCeMCPkage起的方式。eMCP(eMMC+MCP)是将eMMC进行MCP封装，而成的智能手机内嵌机更薄，更方便升级。通过标准接口管理闪存，可以简化手机存储器的设计，更新速度快，加速产品研发速度，降低功耗，节省空间，提升容量及速度，因此在智能手机及平。阅读正文之后的信息披露和法律声明计主要有台湾慧荣科技(siliconMotion)，台湾群联(Phison)，台湾擎泰科技，台湾5%。其中，三星电子(SamsungElectronics)占35.6%的市场份额，成为全球第一的证券研究所整理图29近期eMMC价格与容量关系(美元)研究所整理阅读正文之后的信息披露和法律声明图30近期eMCP价格与架构关系(美元)研究所整理SSD始增长SSD目前主要用在企业级产品中，并保持较高增长速率。IHS预计到2018年之前，企业级SSD的使用数量将保持每年39%的增长率。在笔记本上，2015年SSD在笔记本电脑的搭载率可望提升至26%。在平板电脑中，除了微软(Microsoft)推出的SurfacePro采用SATA固态硬盘(SSD)，其他大多数平板电脑也是以eMMC做为标准的存储器配置，市场空间不大。图31SSD近期价格与容量的关系(美元)研究所整理设计主要有三星、希捷，台湾慧荣科技(siliconMotion)，台湾群联(Phison)，台湾阅读正文之后的信息披露和法律声明SSD引爆市场。从需求面来看，固态硬盘(SSD)求压力将由2014年第4季延续到2015年上半年。000SSD需求量(GB,左轴)YOY(%，右轴)2011201220132014E2015E台湾慧荣科技(siliconMotion)，台湾群联(Phison)，台湾擎泰科技SKymedi，台湾鑫创科技(solidstatesystem)，台湾安国(alcor)，台湾银灿科技(innostor)，深圳硅格(siliconGo)。图33USB2.0和3.0价格对比(单位：人民币)研究所整理阅读正文之后的信息披露和法律声明各家产能继续扩大NANDFlash储器模hQsh东芝及闪迪(SanDiSK)加快日本Fab5第2期量产，同时东芝对Fab5扩建也于M其它,0.40%IntelIntel,6.60%SKHynix,9.50%三星,30.80%Micron,SanDisk,东芝,20.50%D格局阅读正文之后的信息披露和法律声明nmNANDDNAND相布局3D各大存储厂商3DNandFlash技术路线图厂商架构技术送样时间量产时间简图三星Samsung3DTCAT/VG2014年Q1东芝/闪迪Toshiba/SandiSK3DP-BiCS2014年Q12015年下半年美光Micron3DDGTFT2014年Q2待定SK海力士SK-Hynix3DSMArt2014年Q32015年海通证券研究所整理DSSD供应商包括NANDFlash大厂，如三星电子(SamsungElectronics)、东芝目前最早将3DNANDFLASH技术实用化的的公司还是三星的32层的堆叠SK海力士(SKHynix)在固态硬盘(SSD)市场表现出色，同时将从2015年量产3D的IMFT所生产的3DNAND将具有32层堆叠，每颗MLC颗粒可提供256Gb(32GB)、TLC则是384Gb(48GB)的容量。eMMC受移动智能终端的拉动，NANDFlash增长迅猛，甚至已经超过DRAM。eMMC前景看好，也带来新竞争者进入市场。三星电子(SamsungElectronics)仍shiba4.4NANDFlash市场规模：高速增长、国内市场增长快阅读正文之后的信息披露和法律声明2014年NANDFlash市场应用成长动能仍集中在固态硬盘(SSD)和内嵌式存储器图35NANDFlash近两年品牌营业收入(百万美元)三星东芝SanDiskMicronSKHynixIntel013Q113Q213Q313Q414Q114Q214Q3NANDFlash成本随着制程演进而持续下滑，各种终端应用如SSD与eMMC等0025020002008200920102011201220132014E2015E证券研究所整理NANDFlash脑驱动因素来自于中低端机种；平板电脑恐因产品提早进入成熟期与硬件规格差异化缩小090080070060050040030020002008200920102011201220132014E2015E证券研究所整理价格走势h当)增加幅度只有8%的年成长，供给端重心将会放在半导体制程微缩最后一个世代hTLC图38近年来NandFlash价格走势(美元)z阅读正文之后的信息披露和法律声明DSSDeMMC关控制芯片的发展，两大领域的控制芯片应用再度变化。期供过于求为疲软。上半年高端智能手机及平板销售低迷，中低端智能手机虽然畅销，但搭载季Nand价格短暂止跌。固态硬盘(SSD)销售虽然开始升温，但消费电子领域主要只已逾3成。供过于求压力将由2014年第4季延续到2015年上半年。DNand中移动设备份额基本不T阅读正文之后的信息披露和法律声明cconsumer3%其他其他15%ssd39%mobile40%证券研究所整理D很快会到来。证券研究所整理阅读正文之后的信息披露和法律声明厂商2014年2D(1y)2015年3D3D技术三星16nm14nm32/24nmCTF(电荷撷取Flash)东芝/闪迪16nm12nm28nmp-BiCS(管道成形位元可变成本)SK海力士16nm13nm32nmVSAT(垂直堆叠阵列Flash)美光/英特尔16nm15nm32nmHKMG(高介电金属栅极)理TLC升阅读正文之后的信息披露和法律声明星和江波龙的TLCeMMC产品，由于在平板市场和盒子等市场上价格特别敏感，4GB0MB/s(RandomTest)MB/s(RandomTest)86420HYNIXMLCTOSHIBAMLCSANDISKTLCiPhoneMLCTLC事件减缓了TLC扩展步伐。以前，苹果在iOS设备iPhone统内存作为缓存，进而提升性能，甚至比MLC还快近2倍，但这一状况在4096KB之后机型拷进行贝时，系统内存并没有针对磁盘进行快速存取，不过在数据拷贝的过程中整eMMC但如果eMMC换代速度出现瓶颈，UFS(UniversalFlashStorage，通用闪存存储)可能在未来的几2011年电子设备工程联合委员会(JointElectronDeviceEngineeringCouncil，UFS主要在速率上优于eMMC。UFS2.0速率为1400M/S，约是当前最先进的S2.0能够同时并行处理多个命令且通过排序确保整体速度最快。这一点类似DDR取代阅读正文之后的信息披露和法律声明5.8Gbps2.9Gbps15.8Gbps2.9Gbps104Mbps200Mbps400Mbps300MbpsM还要多，只不过由于它可以相对更快地完成操作而更早地切换到待机状态，从而实现功SMB/s70006000500040003000200010000eMMC4.41eMMC4.5eMMC5.0UFS1.0eMMC4.41eMMC4.5eMMC5.0UFS1.0UFS2.0HS-G2理一定能得到市场的仍可。毕竟如今台式电脑闪存速率也就500M/S，过高的速率对用户体发展过程中，价格一直是敏感的，很多新标准虽然技术上领先，但因为推广或是其他RFlash5.1NORFlash市场现状：份额小、市场集中在亚太企业只进行闪存芯片的设计环节，制造和封测等环节均委托第三方代工厂进行。头图452012年全球NORFlash市场份额分布(亿美元)其他,3.4,宜扬科技,宜扬科技,兆易创新,.8,华邦,3.7,三星,3.1,索,8.9,其他,6.3,8%兆易创新,8.3,11%美光,18.4,25%华邦,8.1,三星,7,9%旺宏,10.3,飞索,16.6,22%h、飞索，在略微下滑，三星保持不变，而台湾旺宏、宏旺则迎来明显增长。巨头逐步淡出NORFlash芯片市场，为国内NOR技，兆易科挤，旺宏等。中游产业包括代工流片和封测，代工厂商主要有台积电、中芯L阅读正文之后的信息披露和法律声明阅读正文之后的信息披露和法律声明书，海通证券研究所整理阅读正文之后的信息披露和法律声明美洲,3.8,欧洲,4.4,亚太地区,26.5,76%证券研究所整理Flash图492012年中国NOR市场销售额比例分布(亿元)其他,6.3,%兆易创新,%美光,18.4,25%华邦,8.1,三星,7,9%旺宏,10.3,飞索,16.6,22%证券研究所整理阅读正文之后的信息披露和法律声明NORFlash游行业应用hNORFlash量网、智能家居市场NorFlash应用的另一大重要场景就是网络通信设备和智能家居，尤其是近期兴起阅读正文之后的信息披露和法律声明bAND终端电子产品因内部指令执行、系统数据交换等功能需要，必需配置相应容量的代码存.3NORFlash市场规模：下滑速度放缓NORFlash部分传统市场如功能手机、硬盘、网络设备仍具有较大的市场空间，部分新hashNORFlash与增长率及未来几年预测605040302002008200920102011201220132014E2015E销售额(亿美元)增长率证券研究所整理阅读正文之后的信息披露和法律声明NORFlash与增长率及未来几年预测100908070605040302002008200920102011201220132014E2015E销售额(亿元)增长率2%0%-2%-4%-6%-8%-10%-12%-14%-16%证券研究所整理量编码型快闪存储器(NORFlash)需求，有望拉动NORFlash市场止跌。备拉动SPINORFlash流30252015105025.125.122.817.313.59.57.56.66.52008200920102011201220132014E2015E证券研究所整理阅读正文之后的信息披露和法律声明接下来是美光。图542008-2015年国内串行NORFlash市场规模统计预测(按销售额，单位：亿元)6050403020045.445.449334.933.528.927.129.729.12008200920102011201220132014E2015E证券研究所整理物联网、智能家居、可穿戴拉动物联网中大量应用的嵌入式电子、医疗电子、汽车电子等，需要大容量NORFlash。量编码型快闪存储器(NORFlash)需求。穿戴装置如智能手表或智能眼镜等，多是针对单一功能所设计，而且对低功耗要求更高，让程式运算速度更快且功耗更低的NORFlash到新的增长点。NandDRAM本、寿命等方面的比较证券研究所整理阅读正文之后的信息披露和法律声明研发新的存储技术，目标就是在延迟、耐久性、非易失性和成本方面此外，新兴存储器由于非易失性随机存储、高度读取方面的特点，传统PCIe无法发挥最大性能，需要使用NVMe(non-volatileMemory)接口。证券研究所整理PCRAM(相变存储器)OUM)是目前研究最多的新型存储器。相变存储器(PCRAM)是基于奥弗辛斯基效应的元件，因此又称为弗辛斯基电效应统一存储器(OUM，Ovonicsunifiedmemory)。其最为核心的是以硫属化合物为基础的相变材料，基本原理是通过电流脉冲控制相变材料在晶态和非晶态之间来回转换，晶态和非晶态对应材料电阻的巨大差异，通过电阻率的作是，用高电压短脉冲写入数据(使材料非晶化)，通过低电压长脉冲读取数据(测电阻率)，用中电压长脉冲擦除数据(使材料晶相化)。PCRAM是目前研究最多、距离市场最近的新型存储器，各大闪存公司均在布局主知识产权的相变存储器在中科院上海微系统与信息技术研究所诞生。美阅读正文之后的信息披露和法律声明RRAM取存储器)电阻)是另一种可能的下一代非易失性存储技术。其速度可与SRAM匹敌，而成本与RRAM具有诸多优点，一是制备简单。存储单元为金属-氧化物-金属三明治结构，可通过溅射、气相沉积等常规的薄膜工艺制备；二是擦写速度快。擦写速度由触发电阻MRRAMRRAM成熟，预MRAM器)MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一种非挥发性的磁性随机存储器。磁阻内存采用两块纳米级铁磁体，在界面上用一个非磁金属层或绝缘层来夹持一个Rr卫星就宣布使用飞思卡尔半导体公司生产的MRAM替换其所有的闪存元件。EverspinTechnologies是目前MRAM晶片主要厂商，目前产品最大记忆体容量为64Mb；而FeRAM(铁电存储器)AM的铁电效应实现数据存储，即在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子达后原子位置不变。阅读正文之后的信息披露和法律声明表7主要的新兴存储技术比较类别缩写优点缺点备注相变存储器PRAM寿命高、读取快、非易失性、密度CMOS温度敏感，晶化一致性控制最为成熟，三星、IBM记忆电阻RRAM寿命高、读取快、非易失性、密度高、成本低、CMOS工艺兼容、3D化技术难度低、无散热问题理论机理还不成熟，漏电流问题发展较快，Crossbar，美光铁电存储器FRAM读取快、非易失性、抗干扰破坏性读取，容量小医疗设备，富士通，东芝、英飞凌磁存储器MRAM寿命高、读取快、非易失性结构复杂，容量小honewell，Freescale，芝海通证券研究所整理7.其他存储技术只读存储器ROM(readonlymemory)特点是非易失性存储，即把信息写入存储ROMROM微机的监控程序、。可编程只读存储器EPROM(ErasableProgrammableReadOnlyMemory)可利光。电子抹除式可复写只读存储器EEPROM(ElectricallyErasableProgrammable此不需要透明窗。PSRAMDRAM功耗而设计，早起用在功能机的D阅读正文之后的信息披露和法律声明8.1存储器与微处理器，占据超四成的半导体产值存储器和微处理器是半导体产业的两大件，也是半导体产业的基石。发展半导体产据显示，2013年全球半导体行业市场规模达到3043亿美元，图57全球半导体分产品市场占比通证券研究所整理从产值角度看，存储器占半导体产品产值的22%，在半导体产品中算“大件”。经过20多年的发展，中国半导体产业整体仍然大幅落后于海外国家和地区，在存储器领域更是基本上属于一穷二白。发展存储器产业，对国家整个半导体产业的进步拉动效应明显。8.2NandFlash从平面转向3D，中国可借此实现弯道超车券研究所整理阅读正文之后的信息披露和法律声明入该领域，在这个技术变革过程中很有可能在存储器领域实现弯道超车。存储器产业技术门槛和资金门槛高，切入该领域必需要有国家的大力支持，中国企9.投资建议：关注存储器产业链上下游美光外协订单较多，台湾华亚科、南茂、力成等为其晶圆制造和封测的合作伙伴。国内上市，目前涉及NorFlash晶圆制造)、中芯国际(0981.HK，存储器芯片晶圆制造)等，另外未来如果存储器产业在中国大力发展起来，国内的相关设备、材料、封测、模风险提示：行业景气度剧烈波动、技术更新换代等阅读正文之后的信息披露和法律声明附录.部分专用名词说明随机存取存储器NANDFlash型快闪记忆体NORFlash机存储器器双倍数据传输率存储器多媒体卡多级单元FlashSLCFlash单层单元FlashTLCFlash三层单元Flash商set-topbox(STB)顶盒overthetop(OTT)iPSPINORFlash传销NORFlash电存储器磁存储器相变存储器级明级个股相对大盘涨幅在15%以上；个股相对大盘涨幅介于5%与15%之间；个股相对大盘涨幅介于-5%与5%之间；15%。业投资评级信息披露分析师声明子行业本人具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格，以勤勉的职业态度，独立、客观地出具本报告。本报告所采用的数据和信息分析师负责的股票研究范围投资评级说明投资评级的比较标准投资评级分为股票评级和行业评级的6个月内的市场表现为比较行业指数)的涨跌幅相对同期的海通综指的投资建议的评级标准报告发布日后的6个月内的公司股价(或行业指数)的涨跌幅相对同期的海通综指的涨法律声明本报告仅供海通证券股份有限公司(以下简称“本公司”)的客户使用。本公司不会因接收人收到本报告而视其为客户。在任何情况下，本报告中的信息或所表述的意见并不构成对任何人的投资建议。在任何情况下，本公司不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致本报告所载的资料、意见及推测仅反映本公司于发布本报告当日的判断，本报告所指的证券或投资标的的价格、价值及投资收入可能市场有风险，投资需谨慎。本报告所载的信息、材料及结论只提供特定客户作参考，不构成投资建议，也没有考虑到个别客户特殊的投资目标、财务状况或需要。客户应考虑本报告中的任何意见或建议是否符合其特定状况。在法律许可的情况下，海通证券及其所属司提供投资银行服务或其他服务。本报告仅向特定客户传送，未经海通证券研究所书面授权，本研究报告的任何部分均不得以任何方式制作任何形式的拷贝、复印件或复制品，或再次分发给任何其他人，或以任何侵犯本公司版权的其他方式使用。所有本报告中使用的商标、服务标记及标记均为本公处为海通证券研究所，且证券投资咨询业务。阅读正文之后的信息披露和法律声明阅读正文之后的信息披露和法律声明限公司研究所路颖所长eccom金融产品研究团队开佳(021)23219448韵婷(021)23219419罗震(021)23219326唐洋运(021)23219004孙志远(021)23219443陈亮(021)23219914陈瑶(021)23219645伍彦妮(021)23219774桑柳玉(021)23219686陈韵骋(021)23219444本俊(021)23212001联系人经济研究团队)23212042潇啸(021)23219394系人王丹(021)23219885于博(021)23219820)23212042宁(021)23219431霞(021)2321980745981shankj@ niyt@ luozh@tangyy@szy7856@cl7884@chenyao@wyn6254@sly6635@cyc6613@tbj8936@fl4@jhtseccom金融工程研究团队19449(021)23219395(021)23219732(021)23219745(021)23219370(021)23219773(021)23219948人021)23219760余浩淼(021)23219883沈泽承(021)23212067021)23212230wuxx@zhengyb@fengjr@ zhujt@zxw6607@zym6586@jxj8404@dg9378@yhm9591@szc9633@ylq9619@jc9001@xxhtseccomwd@jc9001@lin@zx6701@2198192231副所长jc9001@htseccomcom究团队