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文档简介
VG=VP(夹断电压VG>VP， 由-VG产生从SfiD的纵向电场分量EA；由VD产生从DfiS的电场EB电子从SfiD
=ID=
)=I0exp( +V*/m*
III
*Vp-j0 =
h*
V*本征漏压（V、V几何结构综合作用)DDG杂浓度fl），为有电力线从源区fi栅区，纵向电场分量EA›（SfiD）fi势垒高度›，对VD›若VD›fi势垒fl（并移向源区） ID› EA›fi势垒ID结果，使ID›变缓慢（偏离小电流时的指数关系），I-+i+lni=u VG›fi 如JFET、SIT等，当结构参数和偏置条件改变时， 若两栅区间距很小、掺杂浓度很低，-V很高， 相反，则不易出现整个沟道的夹断，而可能因在。n<<NDI-V特性呈指数关系。 一、类(真空）三极管特性
1当G-S极间加IB（即G极对地加正电压，相当于发射 V V当VG<<VT(负栅压）时，形成（N），fi
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