半导体名词解释

四川洪芯微科技Acetone丙酮丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3性质：无色，具剌激性薄荷臭味的液体用途：在FAB内的用途，主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具稍微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。允许浓度：1000ppmActiveArea主动区域MOS核心区域，即源，汲，闸极区域AEI蚀刻后检查AEI即AfterEtchingInspection，在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。AEI的目的有四：提高产品良率，避开不良品外流。到达品质的全都性和制程的重复性。显示制程力量的指标。防止特别扩大，节约本钱通常AEI检查出来的不良品，非必要时很少做修改。由于除去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性转变牢靠性变差、缺点密度增加。生产本钱增高，以及良率降低的缺点。Al-Cu-Si铝硅铜Target，其成份为0.5%铜，1%硅及98.5%铝，一般制程通常是使用99%铝1%硅．后来为了金属电荷迁移现象(Electromigration)故渗加0.5%铜降低金属电荷迁移AlkalineIons碱金属雕子如Na+，K+，破坏氧化层完整性，增加漏电密度，减小少子寿命，引起移动电荷，影响器件稳定性。其主要来源是：炉管的石英材料，制程气体及光阻等不纯物。Alloy合金半导体制程在蚀刻出金属连线后，必需加强Al与SiO2间interface的严密度，故进展Alloy步骤，以450℃作用30min，增加Al与Si的严密程度，防止Al层的剥落及削减欧姆接触的电阻值，使RC的值尽量削减。Aluminum铝一种金属元素，质地坚韧而轻，有延展性，简洁导电。普遍用于半导体器件间的金属连线，但因其易引起spike及Electromigration，故实际中会在其中参加适量的Cu或SiAnneal回火又称退火：也叫热处理，集成电路工艺中全部的在氮气等不活泼气氛中进展的热处理过程都可以称为退火。激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流子，起到杂质的作用。消退损伤：离子植入后回火是为了修复因高能加速的离子直接打入芯片而产生的损毁〔。时间差异来掌握全部或局部的活化植入离子的功能氧化制程中的回火主要是为了降低界面态电荷，降低SiO2的晶格构造退火方式：炉退火1四川洪芯微科技快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等)Angstrom埃(Å)是一个长度单位，1Å=10-10,其大小为1此单位常用于IC制程上，表示膜层(如SiO2，POLY，SIN‥)厚度时用Argon氩气ArcChamber弧光反响室弧光反响室,事实上就是一个直流式的电浆产生器。由于所操作的电流－对－电压的区域是在弧光电浆内。APM(Ammonia,hydrogen-PeroxideMixing)又称SC-1(StandardCleaningsolution-1)主要化学试剂是NH4OH/H2O2/D.I.water,常用比率为1：1：6。能有效去处除无机颗粒，有机沉淀及假设干金属玷污，去除颗粒力量随NH4OH增加而增加。BackingPump辅抽泵在高真空系统中，要想很快建立我们所需的高真空，单纯靠高真空泵是不行的〔因高真空泵启动时系统必需已经在低真空条件下〕，所以我们在系统中参加一个辅抽泵〔如油泵先对系统建立初真空，再由高真空泵对系统建立高真空。Bake,Softbake,Hardbake烘培、软烤、预烤烘烤〔Bake〕:在集成电路芯片的制造过程中，将芯片置于稍高温(60ºC~250ºC)的烘箱或热板上均可谓之烘烤。随其目的不同，可区分为软烤(Softbake)与预烤(Hardbake)。软烤(Softbake):且可增加光阻与芯片的附着力。预烤(Hardbake):又称为蚀刻前烘烤(pre-etchbake)，主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻(wetetching)更为重要，预烤不完全常会造成过蚀刻。BarrierLayer阻障层为了防止铝合金与硅的的接触界面发生尖峰〔spiking〕现象，并降低彼此的接触电阻，在铝合金与硅之间参加一层称为阻障层的导体材料，常见的有Ti/TiN及TiW。BB：Bird”sBeak鸟嘴在用Si3N4作为掩膜制作fieldoxideSi3N4PadOxide2四川洪芯微科技Layer集中至Si-Substrate外表而形成SiO2，因此Si3N4边缘向内会产生一个鸟嘴状的氧化层，即所谓的Bird”sBeak。其大小与坡度可由转变Si3N4与PadOxide的厚度比及FieldOxidation的温度与厚度来掌握Boat晶舟Boat原意是单木舟。在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送及加工，这种承载芯片的工具，我们称之为Boa。一般Boat有两种材质，一是石英Quart，另一碳化硅SiSiCBoat(Drivein及LPSiN的场合。SiCBoatQuartzBoatBOE(BufferOxideEtching)B.O.E.是HFNH4F依不同比例混合而成。6:1BOE蚀刻即表示HF:NH4F=l:6的成份混合而成。HF为主要的蚀刻液，NH4FNH4F固定[H”]的浓度，使之保持肯定的蚀刻率。HFBoundaryLayer边界层假设流体在芯片外表流速为零，则流体在层流区及芯片外表将有一个流速梯度存在，称为边界层〔BoundaryLayer〕BPSG(boron-phosphor-silicate-glass)BPSG:为硼磷硅玻璃，含有B,P元素的SiO2,参加B,P可以降低Flow温度，并且P吸附一些杂质离子，流淌性比较好，作为ILD的平坦化介质。3四川洪芯微科技BreakdownVoltage崩溃电压左图是一个典型PN二极管的电流对电压曲线，由于上升，这个现象称为电崩溃。而使崩溃现象发生的临界电压称为崩溃电压，如图中的VBDBufferLayer缓冲层通常此层沉积于两个热膨胀系数相差较大的两层之间,缓冲两者因直接接触而产生的应力作用。我们制程最常见的缓冲层即SiO2，它用来缓冲SiN4与Si直接接触产生的应力，从而提升Si3N4对Si外表附着力量SiN4SiO2Si

BufferlayerC1cleanClean的一种制程，它包括DHF(稀释HF)---APM(NH4OH-H2O2-H2Omixed)---HPM(HCl-H2O2-H2Omixed)Burnin预烧试验「预烧」(Burnin)为牢靠性测试的一种，旨在检验出那些在使用初期即损坏的产品，而在出货前予以剔除。(产品)式(FailureMode)提早显现出来，到达筛选、剔除「早期夭折」产品的目的。预烧试验分为「静态预烧」(StaticBurnin)与「动态预烧」(DynamicBurnin)两种，前者在试状况的讯号输入，故较接近实际况，也较严格。根本上，每一批产品在出货前，皆须作百分之百的预烧试验，但由于本钱及交货期等因素，有些产品就只作抽样(局部)的预烧试验，通过后才货。另外，对于一些我们认为它品质4四川洪芯微科技够稳定且够水准的产品，亦可以抽样的方式进展。固然，具有高信任度的产品，皆须通过百分之百的预烧试验CarrierGas载气〔液体或气体N2携带液态TEOS进炉管，N2即可称为载气。Chamber真空室，反响室专指一密闭的空间，而有特别的用途、诸如抽真空，气体反响或金属溅镀等。因此常需对此空间的种种外在或内在环境加以掌握；例如外在粒子数(particle)、湿度等及内在温度、压力、气逞流量、粒子数等到达最正确的反响条件。Channel;缝道MOS的闸极加上电压〔PMOS为负，NMOS为正。则闸极下的电子或电洞会被其电场所吸引或排斥而使闸极下的区域形成一反转层(Inversionlayer)。也就是其下的半导体p-type变成N-typeSi，N-typep-typeSi，而与源极和汲极成同type，故能导通汲极和源极。我们就称此反转层为“通道“。信道的长度“ChannelLength“MOS组件的参数有着极重要的影响，故我们对POLYCD的掌握需要格外慎重ChannelStopImplantation通道阻绝植入在集成电路中，各电晶体彼此间则以场氧化层〔FOX〕加以隔离的，由于场氧化层上方常有金属导线通过，为了防止金属层，场氧化层，底材硅产生类似NMOS的电容效应，场氧化层下方的区域常掺有掺质浓度很高的P型层，以防止类似NMOS破坏电晶体间的隔离。这层P型层通常称为“ChannelStop”这层掺质是以离子植入〔Implantation〕的方式完成的，所以称为通道阻绝植入。B11SiN1500APadOxideP- P-Well

PRSiN1500APadOxideN-WellP-subChemicalMechanicalPolishing化学机械研磨法〔FOX〕,CMOS电晶体，金属层及介电层等构成IC的各个构造而传统半导体制程用以执行芯片外表平坦化的技术，以介电层SiO2的平坦为例，计有高温热流法、各种回蚀技术及旋涂式玻璃法。当VLSI的制程推动到0.35以下后，以上这些技术已不CMP制程。所谓CPM就是利用在外表布满研磨颗粒的研磨垫〔polishingpad〕，对凸凹不平的晶体外表，藉由化学助剂〔reagent〕的关心，以化学反响和机械式研磨等双重的加工动作，来进展其外表平坦化的处理。5四川洪芯微科技ChargeTrapping电荷陷入无特定分布位置，主要是由于MOS操作时产生的电子或电洞被氧化层内的杂质或不饱和键所捕陷造成。可以通过适当的回火来降低其浓度。ChemicalVaporDeposition化学气相沉积方式经过边界层传递到芯片的外表。反响物在外表相见后藉着芯片外表供给的能量，沉积反最终进入主气流并被抽气装置抽离化学气相沉积的五个主要的步骤。反响物以集中通过界面边界层反响物吸附在晶片外表化学沉积反响发生〔d〕Byproduct及局部生成物以集中通过界面边界层〔e〕Byproduct及局部生成物与未反响物进入主气流里,并离开系统Chip,Die晶粒一片芯片(OR晶圆，即Wafer)上有很多一样的方形小单位，这些小单位即称为晶粒。同一芯片上的每个晶粒都是一样的构造，具有一样的功能，每个晶粒经包装后，可制成一颗颗我们日常生活中常见的IC，故每一芯片所能制造出的IC数量是很可观的。同样地，假设因制造的疏忽而产生的缺点，往住就会涉及成百成千个产品。CleanRoom干净室6四川洪芯微科技又称无尘室。半导体加工的环境是高净化空间，恒温恒湿，对微粒要求格外高。常用class表示等级〔class1即一立方米直径大于0.5微米的微粒只有一颗〕。CMOS〔ComplementaryMetalOxideSemiconductor互补式金氧半导体〕金属氧化膜半导体(MOS,Metal-OxideSemicoductor)其制造程序及先在单晶硅上形成绝缘氧化膜，再沉积一层复晶硅(或金属)做为闸极，利用加到闸极的电场来掌握MOS组件的开关(导电或不导电)。依据导电载子的种类，MOS又可分成两种类型:NMOS(由电子导电)和PMOS(由电洞导电)(CMOS,ComplementaryMOS〕则是由NMOS及PMOS组合而成，具有省电，抗噪声力量强、一Particle免役力好等很多优点，是超大规模集成电路(VLSI)的主流。GATEMETAL(orPOLY-SI)OXIDESILICONCDA〔CompressedDryAir〕压缩枯燥空气通常指压力在60到110psi之间的空气，作为控气动阀的领气阀的气体源。CompressiveStress挤压应力7四川洪芯微科技如下图假设在抱负的底材上进展薄膜沉积,反响完成后,由于薄膜与底材的热材如图b应力〔TensileStress〕之下；相反，薄c〔CompressiveStress〕之下Compressor压缩机将空气压缩形成高压气体的设备。Contaminant污染物Constant-Surface-ConcentrationDiffusion恒定源:通常杂质在半导体高温集中有两种方式:Constant-Surface-ConcentrationDiffusion(恒定源集中):ThevaporsourcemaintainsaconstantlevelofsurfaceconcentrationduringtheentireDiffusionperiod(likePOCl3dope) 这个集中模式，是假设离子在界面上所具备的浓度，并不随集中的进展而转变。且始终为一个定值所建立。换句话说，不管离子的集中持续多久，离子在界面上的浓度将维持在一个定值下。Afixedamountofdopantisdepositedintothesemiconductorsurfaceinthinlayer,andthedopantsubsequentlydiffuseintothesemiconductor(likeionimplantation,drivein)a Constant-Surface-ConcentrationDiffusionb Constant-Total-DopantDiffusionCrack龟裂(或裂痕)CROSSSection横截面IC的制造，根本上是由一层一层的图案积存上去，而为了了解积存图案的构造，以改善制程，或解决制程问题，以电子显微镜(SEM)来观看，而切割横截面，观看横截面的方式，是其中较为普遍的一种。8四川洪芯微科技CryogenicPump低温泵将一个外表温度降到极低，甚至结近确定零度时，与这个外表相接触的气体分子，将会产生相变化，而分散在低温外表上，称为低温分散。还有一些气体虽然不能分散，但与低温外表接触后，将由于外表与分子间的凡得瓦力〔VanderWaalsForce〕而吸附在低温外表上，CryogenicPump体分子沉着器里排出，以到达降低容器压力的目的。Cryopump原理:Cryopump为高真空pump，应当和低真空pump10-2mbar,否则无法工作。当吸附气片吸附水泡，里面的特别气体吸附〔成液态状〕Curing固化当以SOG来做介电层和平坦化的技术时，由于SOG是一种由溶剂与含有介电材质的材料，经混合而形成的一种液态介电材料，以旋涂〔Spin-onCoating〕的方式涂布在芯片的外表，必需经过热处理来趋离SOG本身所含的溶剂，称之为Curing.CycleTime生产周期时间指原料由投入生产线到产品于生产线产出所须的生产/制造时间。在TI-Acer，生产周期时尚两种解释:一为wafer-outtim“(Processcycletime)“芯片产出周期时间“乃指单一批号的芯片由投入到产出所须的生产/制造时间。“制程周期时间“则指全部芯片于单一工站平均生产/均生产/制造时间，而各工站(从头至尾)平均生产/制造的加总即为该制程的制程周期时间。目前TI-AcerLineReport的生产周期时间乃探用“制程周期时间“。一般而言，生产周期时间可以以下公式概略推算之：在制品〔WIP〕生产周期时间＝CVShift:

产能〔Throughout〕利用量测MOS电晶体在不同条件下的电容－电压关系曲线MOS氧化层品质的一种技术。一般要求CVShift<0.1VC—Vshift：加电压量电容21oC/min

250℃

3min Wafercooling30℃MeasureC-Vat30oC MeasureC-Vat30oC不断加电压在30℃时量取一条C—V25030℃时再量取一条C—V曲线，觉察两条C—V曲线并不会完全重合，只有当C-Vshift0.1V方符合标准。9四川洪芯微科技DCMagnetronSputter磁控DC溅镀机为了使离子在往金属靶外表移动时获得足够的能量，除了提高极板间的电压外，还必需使离子在阴极暗区内所患病的碰撞次数降低，就必需降低溅渡的压力，越低越好，以增长离子的平均自由径。这样一来，单位体积内的气体分子数降低，使得电浆里的离子浓度也降低，导致溅渡薄膜的沉积速率变慢。解决之道就是在DCPLASMA里，参加一组或几组永久性电磁。利用电磁力，使电浆里的电子呈螺旋式的运动，借着电子与气体分子间的碰撞的次数增加，让离子的浓度不至于压力的调降而急剧的削减，又能使电浆内的离子浓度与离子能量到达抱负的范围，以提升金属的沉积速率。DCPlasma直流电浆电浆是人类近代物化史上重大的觉察之一，指的是一个患病局部别子化的气体，气体里面的组成有各种带电荷的电子，离子，及不带电的分子和原子团等。电浆产生器的两金属极板上加上直流电压而产生的电浆我们称为直流电浆。DCSputtering直流溅镀法脱离电浆的带正电荷离子，在暗区的电场的加速下，将获得极高的能量，当离子与阴电极产生轰击之后，基于能量传递的原理，离子轰击除了会产生二次电子以外，还会把电极表面的原子给“打击”出来，称为sputtering.电极板加直流电压称为DCSputtering.先决条件两个极板必需是导体,以避开带电荷粒子在电极板外表的累积。阴极为导电材料，称为靶〔Target〕DCS10四川洪芯微科技SiH2Cl2DefectDensity缺点密度“缺点密度“系指芯片单位面积上(如每平方公分，每平方英寸等)有多少“缺点数“之意，此缺点数一般可分两大类：A.可视性缺点B不行视性缺点。前者可藉由一般光学显微镜检查出来(如桥接、断线)后者则须藉助较周密电子仪器检验(如晶格缺陷)由于芯片制造过程甚为简单漫长，芯片上缺点数愈少，产品良率品质必定愈佳，故“缺点密度“常被用来当做一个工厂制造的产品品质好坏的指标。Densify密化CVD沈积后由于所沈积的薄膜(ThinFilm)的密度很低，故以高温步骤使薄膜中的分子重结合以提高其密度，此种高温步骤即称为密化。密化通常以炉管在800℃以上的温度完成，但也可在RTP(RapidThermalProcess)(快速升降温机台)完成。空乏型DepletionMOS：操作性质与增加型MOS相反，它的通道不必要任何闸极的加压〔V适当的Vg下才消逝。DepositionRate沉积速率表示薄膜成长快慢的参数。一般单位Å/minDepthofWell井深

〕便已存在，而必需在gDrivein将离子往下推所到达的深度。DesignRule设计标准由于半导体制程技术，系一门专业、精巧又简单的技术，简洁受到不同制造设备制程方法(RECIPE)的影响，故在考虑各项产品如何从事制造技术完善、成功地制造出来时，须有一套标准来做有关技术上的规定，此即“DesignRule“，其系依照各种不同产品的需求、规格，制造设备及制程方法、制程力量，各项相关电性参数规格等考虑，订正了如：各制程层次、线路之间距离、线宽等的规格。各制程层次厚度、深度等的规格。各项电性参数等的规格。等规格，以供产品设计者及制程技术工程师等人遵循、参考DHFDiluteHF，一般用来去除nativeoxide，稀释的HF(DiluteHF)HF：H2O=1:50Die晶粒一片芯片(OR晶圆，即Wafer)上有很多一样的方形小单位，这些小单位即称为晶粒。同一芯片上的每个晶粒都是一样的构造，具有一样的功能，每个晶粒经包装后，可制成一颗颗我们日常生活中常见的IC，故每一芯片所能制造出的IC数量是很可观的。同样地，假设因制造的疏忽而产生的缺点，往住就会涉及成百成千个产品。Dielectric介电材料Si2,S3N我们需要的介电材料要求：良好的stepcoverage，2.低介电常数，3.高崩溃电压，4.低应力，5.平坦性好。介电材料的性质良好的Stepcoverage、低介电常数、平坦性。抱负保护层的性质沉积均匀、抗裂力量、低针孔密度、能抵抗水气及碱金属离子的穿透，硬度佳。主要介电材质:SiO2 PSG与BPSG Si3N4DielectricConstant介电常数.介电常数是表征电容性能的一重要参数，越小越好,它与导电性能成反比。£=Cd/S,C=£S/dDiffusion集中11四川洪芯微科技植入的方式做集中源(即红墨水)。因固态集中比液体慢很多(约数亿年)，故以进炉管加高温的方式，使集中在数小时内完成DiffusionCoefficient集中系数集中系数是描述杂质在晶体中集中快慢的一个参数。这与集中条件下的温度，压强，浓度成正比。D=D0exp(-Ea/KT)D0是外插至无限大温度所得的集中系数(cm2/s)Ea是活化能(ev)在低浓度时,集中系数对温度倒数为线性关系,而与浓度无关DiffusionFurnace集中炉在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子植入的方式做集中源(即红墨水)。因固态集中比液体慢很多(约数亿年)，故以进炉管加高温的方式，使集中在数小时内完成。这样的炉管就叫做集中炉。DiffusionPump集中式泵10-5Torr.Dimple凹痕外表上稍微的下陷或凹陷。DIWater去离子水IC制造过程中，常需要用酸碱溶液来蚀刻，清洗芯片。这些步骤之后，又须利用水把芯片外表残留的酸碱去除。而且水的用量是相当大。然而IC工业用水，并不是一般的自来水，而是自来水或地下水经过一系列的纯化而成。原来Particle，经厂务的设备将之杀菌过滤和纯化后，即可把金属离子等杂质去除，所得的水即称为“去离子水“。专供IC制造的用。Donor施体我们将使原本本征的半导体产生多余电子的杂质，称为施体。如掺入p的状况。Dopant掺杂在原本本征的半导体里主动的植入或通过集中的方法将其它的原子或离子掺入进去，到达转变其电性能的方法。如离子植入。DopantDrivein杂质的赶入我们离子植入后，一般植入的离子分布达不到我们的要求，我们通过进炉管加高温的方式将离子进展集中，以到达我们对离子分布的要求，同时对离子植入造成的缺陷进展修复。12四川洪芯微科技Source掺杂源我们将通过集中的方法进展掺杂的物资叫掺杂源，例如将Poly里掺入P的POCl3我们将其叫掺杂源。Doping掺入杂质为使组件运作，芯片必需掺以杂质，一般常用的有：预置:集中;或利用沉积时同时进展预置。离子植入:先使杂质游离，然后加速植入芯片。Dosage剂量表示离子数的一个参数。DRAM,SRAM动态，静态随机存取内存随机存取记忆器可分动态及静态两种，主要的差异在于动态随机存取内存(DRAM)，在一段时间(一般是0.5ms~5ms〕后，数据会消逝，故必需在数据未消逝前读取原数据再重写(refresh)，此为其最大缺点，此外速度较慢也是其缺点。而DRAM的最大好处为，其每一记忆单元(bit)只需一个Transistor(晶体管〕+一个Capacitor(电容器)，故最省面积，而有最高的密度。而SRAM则有不需重写、速度快的优点，但是密度低，其每一记忆单元(bit)有两类:需要六个Transistor(晶体管〕2﹒四个Transistor(晶体管〕+两个Loadresistor(负载电阻)。DRAPC或其它不需高速且记忆容量大的记忆器，而SRAM(Monitor)、打印机(Printer)等周掌握或工业掌握上。Drain汲极GN-S

汲极N-DP-Si通过掺杂，使其电性与底材P-Si相反的，我们将其称为汲极与源极。DriveIn驱入离子植入(ionimplantation)虽然能较准确地选择杂质数量，但受限于离子能量，无法将杂质打入芯片较深(um级)温度去进展，一方面将杂质集中到较深的区域，且使杂质原子占据硅原子位置，产生所要的只将外表的杂质往半导体内更深入的推动。在驱入时，常通入一些氧气﹒(Vacancy)，这些缺陷会有助于杂质原子的集中速度。另外，由于驱入是藉原子的集中，因此其方向性是各方均等，甚至有可能从芯片逸出(out-diffusion)，这是需要留意的DryOxidation干式氧化化。如我们的Gate-OX，这种方法生成的SiO2质量比较好，但生成速度比较慢。DrypumpDrypump是最根本的真空pump,它是利用螺杆原理来工作的，它主要的特点是可以从大气压下直接开头抽气，所以可以单独使用。13四川洪芯微科技一般真空度要求不高〔E-3torr以下〕如CVD及furnace仅使用drypump即可特点：FewermovingpartsHigherReliabilityLesscomplexityHighspeedDummyWafer挡片

Drypump用在chamber由大气压下直接抽真空，可以维持进出口压差105倍Drypump有电源〔电源使马达带动螺杆式转子转动〕有N2purge(稀释防止particle沉积在间隙内)Collingwater(防止温度过高使pump无法运转)对制程起肯定关心作用的硅片，区分于产品、控片，一般对其质量要求不是很高。由于炉管的两端温度不稳定，气体的流量不稳定，所以我们在Boat的两端放入不是产品的硅片，我们将这样的硅片叫挡片。离子植入假设产品缺乏，则需补上非产品的硅片，即挡片Electron/Hole电子/电洞电子是构成原子的带电粒子，带有一单位的负电荷，围绕在原子核四周，形成原子。电洞是晶体中，在原子核间的共享电子，因受热干扰或杂质原子取代，电子离开原有的位置所遗留下来的“空缺“ 因缺少一个电子，无法维持电中性，可视为带有一单位的正电荷。ElectricalBreakdown电崩溃当NMOS的沟道缩短，沟道接近汲极地区的载子将倍增，这些因载子倍增所产生的电子，npn现象加强，热电子的数量增加，足使更多的载子倍增，当超过闸极氧化层的承受力量时，就击穿闸氧化层，我们将这种现象叫电崩溃。Electromigration电子迁移所谓电子迁移，乃指在电流作用下的金属。此系电子的动量传给带正电的金属离子所造成的。当组件尺寸愈缩小时，相对地电流密度则愈来愈大;当此大电流经过集成电路中的薄金属层时，某些地方的金属离子会积存起来，而某些地方则有金属空缺情形，如此一来，积存金属会使邻近的导体短路，而金属空缺则会引起断路。材料搬动主要原动力为晶界集中。以溅镀法所沉积的Al，经过适当的Anneal之后，通常是以多晶〔Poly-Crystalline〕形式存在，当导电时，由于电场的影响，Al原子将沿着晶粒界面〔Grain-Boundary〕移动。有些方法可增加铝膜导体对电迁移的抗力，例如:参加抗电移力量较强的金属，如CuEllipsometer椭圆测厚仪14四川洪芯微科技将波长的入射光分成线性偏极或圆偏极，照耀2023-7-17在待射芯片，利用所得的不同椭圆偏极光的强度讯号，以Fourier分析及Fresnel方程式，求得待测芯片膜厚与折射率的仪器，称为椭圆测厚仪。简洁的构造如以下图所示:Laser QuarterwavePlatePolarizerOFFON

RotaryAnalyzer

Detectorunpolarized

Linearly

OFF ONpolarized

Sample

OFF ONpolarized

Linearly

signalEM〔ElectronMigrationTest〕电子迁移牢靠度测试(GrainBoundaries)集中(Diffusion)，使金属线产生空洞(Void)，甚至断裂，形成失效。其对牢靠度评估可用电流密度线性模型求出：SLITTYPE WEDGETYPEAF＝[J(stress)/J(op)]n×exp[Ea/Kb(1/T(top)-1/T(stress))]TF＝AF×T(stress)bamboograinboundaryF(tensilestress)migrationofAlatomsFnucleationofavoid voidF AlSislit-likevoidformationEnergy能量15四川洪芯微科技能量是物理学的专知名词。如以下图，BAl00伏，假设在A板上有一电子受B板正电吸引而加速跑到B板，这时电子在B板就比在A100电子伏特的能量。A Be-0V 100VEnhanceMOS：|Vg|>|Vt|时，处于“开〔ON〕”的状态，且当|Vg|<|Vt|时，电晶体则在“关〔OFF〕”的状态。它的通道必需在闸极处于适当的电压下时才会形成。EPIWAFER磊晶芯片磊晶系在晶体外表成长一层晶体。SiWaferEpitaxialGrowthEpiLayerSiWaferEpitaxy磊晶外延附生：一种矿物的结晶附于另一矿物结晶外表的生长，这样两种矿物的结晶基层就会有同样的构造来源EPROM〔Erasable-ProgrammableROM〕电子可程序只读存储器MASKROM内所存的数据是在FAB像任天堂玩耍卡内的MASKROM，存的是金牌玛丽，就无法变成双截龙。而EPROM是在ROM内加一特别构造叫AFAMDROM它会使ROM内的数据消逝，每一个记忆单位都归零。然后工程人员再依程序的标准，用300101…存入不同的数据。也就是说假设任天堂玩耍卡内使用的是EPROM，那么您打腻了金牌玛丽，就把卡匣照紫光，然后灌双截龙的程序进去。卡匣就变成双截龙卡，不用去交换店交换了。ESD静电破坏ElectrostaticDamage静电放电ElectrostaticDischarge自然界的物质均由原子组成，而原子又由质子、中子及电子组成，在寻常状态下，物质呈中性，而在日常活动中，会使物质失去电子，或得到电子﹒此即产生一静电，得到电子的物质为带负静电，失去电子即带正静电。静电大小会随着日常的工作环境而有所不同，如下表所示。16四川洪芯微科技10-20﹪相对湿度10-20﹪相对湿度65-95﹪相对湿度走过地毯35,0001,500走过塑料地扳12,000250在椅子上工作6,000100拿起塑料活页夹袋7,00060020,0001,000拿起塑料带工作椅垫摩擦18,0001,500

〔Volt〕l日常工作所产生的静电强度表当物质产生静电后，随时会放电，假设放到电子组件上，例如IC，则会将组件破坏而使不能正常工作，此即为静电破坏或静电放电。防止静电破坏方法有二：¬在组件设计上加上静电保护电路。-在工作环境上削减静电。例如工作桌的接地线，测试员的静电环，在运送上使用防静电胶套及海绵等等。ETCH蚀刻一层所需要的薄膜，再利用微影技术在这层薄膜上，以光阻定义出所欲制造的电路图案，再利用化学或物理方式将不需要的部份去除，此种去除步骤，便称为蚀刻(ETCH)。一般蚀刻可分为湿式蚀刻(WETETCH)，及干式蚀刻(DRYETCH)两种。所谓湿蚀刻乃是利用化学品(通常是酸液)与所欲蚀刻的薄膜，起化学反响，产生气体或可溶性，生成物，达到图案定义的目的。而所谓干蚀刻，则是利用干蚀刻机台产生电浆将所欲蚀刻的薄膜，反响产生气体，由PUMP抽走到达图案定表的目的。Evaporation蒸镀将我们的蒸镀源放在坩埚里加热，当温度上升到接近蒸镀源的熔点四周。这时，原本处于固态的蒸镀源的蒸发力量将特别强，利用这些被蒸发出来的蒸镀源原子，我们在其上方不远处的芯片外表上，进展薄膜沉积。我们将这种方法叫蒸镀。限制与缺点合金〔Alloy〕或化合物的沉积成分不易掌握沉积膜的阶梯掩盖力量〔StepCoverage〕较差薄膜的纯度不易掌握在先进的VLSI梯掩盖力量的溅镀〔Sputtering〕法所取代Exposure曝光其意表略同于照相机底片的感光在基集成电路的制造过程中，定义出精细的光阻图形为其中重要的步骤，以运用最广的5XStepper为例，其方式为以对紫外线敏感的光阻膜作为类似照相机底片，光罩上则有我们所设计的各种图形，以特别波长的光线(G-LINE436NM)照耀光罩后，经过缩小镜片(ReductionLens)5倍缩小后，准确地定义在底片上(芯片上的光阻膜)经过显影后，即可将照到光(正光阻)的光阻显掉，而得到我们想要的各种精细图形，以作为蚀刻或离子植入用。17四川洪芯微科技，否则会发生光线污染现象，而扰乱精细的光阻图形。ExtractionElectrode萃取电极如右图，ExtractionElectrode是离子植入机中用来将Source的Arc反响室中的离子以电压萃取出来的两个电极板。由电子抑制极板〔SuppressionElectrode〕极板〔GroundElectrode〕两局部组成。Fab晶圆厂Fabrication为“装配“或“制造“Manufacture意思一样。半导体制造程序，其步骤繁FAB系Fabrication的缩写，指的是“工厂“之意。我们常称FAB为“晶圆区“，例如：进去“FAB“之前须穿上防尘衣。FaradayCup法拉第杯是离子植入机中在植入前用来测量离子束电流的装置。FieldOxide场氧化层Field直译的意思是“场”。如运动场，足球场和武道场等的场都叫做Field。它的涵义就是一个有特地用途的区域。在ICMOS场区之上大部份会长一层厚的氧化层Filament灯丝在离子植入机的离子源反响室里用来产生电子以解离气体用。通常承受钨、钽及钼等高温金属。利用直流电的加热，使灯丝外表释放出所谓“热离化电子”。Filtration过滤用过滤器〔FILTER,为一半透亮膜折迭而成〕将液体或气体中的杂质给过滤掉，此称为Filtration〔过滤〕故IC制造业对干净度的要求是格外的严，故各种使用的液体或气体〔包括大气〕必需借着过滤以到达干净的要求。待过滤的液体及气体能经过过滤器且成功地将杂质挡下，必需借着一个pump制造压差来完成，如何选择一组恰当的过滤器及PUMP是首要的课题。FixedOxideCharge固定氧化层电荷位于离Si-SiO2接口30Å的氧化层内，通常为正电荷。与氧化条件、退火条件及硅外表方向有关。Foundry客户托付加工客户托付加工主要是承受客户托付，生产客户自有权利的产品，也就是客户供给光罩，由联华来生产制造，在将成品出售给客户，只收取代工费用，这种纯粹代工，不涉及销售的方18四川洪芯微科技式在国际间较通常的称呼就叫硅代工SiliconFoundr。FourPointProbe四点测针是量测芯片片阻值(SheetResistance)Rs的仪器其原理如下:Current VA B C D上图ABCD四针，A、D间通以电流I，B、C两针量取电压差(ΔV)，则Rs=K．ΔV/I．K是比例常数，和机台及针尖距离有关FTIR傅氏转换红外线光谱FTIR乃利用红外线光谱经傅利叶转换进而分析杂质浓度的光谱器。Routine应用者，计有:BPSG/PSG的含磷、含硼量推测。芯片的含氧、含碳量推测磊晶的厚度量测进展中需进一步Setup者有:氮化硅中氢含量推测复晶硅中含氧量推测光阻特性分析FTIR为一极便利的器，STD的建立为整个量测的重点，由于其中多利用光学原理，芯片状况(i.e.晶背处理状况)对量测结果影响至巨GasCabinet气体储柜储存气体钢瓶的柜子，一般是处于负压状态，防止气体泄露到外部。Gate闸极GateValve闸阀用来掌握气体压力的掌握装置。通常闸阀开启愈大，气体于反响室内呈现的压力较低，反之，开启愈小，压力较高。GateOxide闸极氧化层GOI〔GateOxideIntegrity〕闸极氧化层完整性半导体组件中，闸极氧化层的完整与否，关系着电容上电荷的存放力量，故需设计一适当流程，其主要目的在测闸极氧化层的崩溃电压(breakdownvoltage)、有效氧化层厚度等，以模拟闸极氧化层的品质及可信任度，通常即以此崩溃电压值表示GOI的优劣程度Gettering吸附GateOxide是MOSFET(金氧半场效晶体管)中，相当重要的闸极之下的氧化层。此氧化层厚度较薄，且品质要求也较严格“Gettering“--系于半导休制程中，由于可能受到晶格缺陷“(CrystalDefect)或金属类杂质(JunctionLeakage);如何将这些晶格缺陷、金属杂质摒除解决的种种技术上做法，就叫做“Gettering“(吸附),吸附一般又可分“内部的吸附°IntrinsicGettering。及“外部的吸附“一ExtrinsicGettering前者系在下线制造之前先利用特别高温步让谋晶圆外表的「晶格缺陷或含氧量」尽量降低。后者系利用外在方法如:晶背伤言、磷化物(POCL3)预置ETC将晶圆外表的缺陷及杂质等尽量吸附到晶圆反面。二者均可有效改善上述问题。GrainSize颗粒大小19四川洪芯微科技一起而成。这些颗粒有大有小，尺寸不一。而且材料的特性也会由于颗粒大小而变化，故常要留意其大小变化GRRStudyGaugeRepeatabilityandReproducibility量测仪器重复性与再现性的争论--以推断量测仪器是否符合制程参数掌握的需要TruStandaerdRepeatabilityTruStandaerdHEPA高效率过滤器HEPA(HighEfficiencyParticulateAirFilter)为CleanRoom玻璃纎维制成，可将0.1μm或0.3μm以上的微粒滤去99.97﹪，压力损失约12.5mm-H2O。层流台能保持Class100以下的干净度，即靠HEPA达成。目前除层流台使用HEPA外，其它如烤箱、旋转机，为了到达掌握Particle的效果﹒也都装有HEPA的设计。H2SO4硫酸SulfuricAcid硫酸目前最广泛使用的工业化学品。强力腐蚀性，浓稠，油状液体，依纯度不同，由无色至暗棕色，与水以各种不同比例互溶。甚具活性。溶解大部份的金属。浓硫酸具氧化，脱水，磺化大局部的有机化合物，常常引起焦黑。比重1.84，沸点315℃。与水混合时，须格外留神，由于放热引起爆炸性的溅泼，永久是将酸加到水中，而非加水至酸中。不留神被溅到，用大量水冲洗。目前在在线，主要用于SO清洗及光阻去除H3PO4磷酸PhosphoricAcid磷酸无色无味起泡液体或透亮晶形固体。依温度，浓度而定。在20℃5075﹪强度为易流淌液体，85﹪为似糖浆，100%1.83442.35213﹪失去Y2H2O，形成焦磷酸。溶于水，乙醇，腐蚀铁及合金。对皮肤，眼睛有剌激性，不留神被溅到，可用水冲洗。目前磷酸用于SI3N485﹪156℃，SI3N4SIO230:1HCl氯化氢〔盐酸〕HydrochloricAcid盐酸。20四川洪芯微科技市面出售的“38%1.19。氯化氢溶解在水中有各种不同的浓度。可溶于水，酒精，苯，不行燃。用途广泛。可用于食品加工，金属的酸洗与清洁，工业酸化，一般的清洗，试验试药。不留神被溅到，用大量水冲洗。目前在线，主要用于RCA清洗Hillocks小凸起金属溅镀后为使金属与硅基(Si-Substrate)有良好的欧姆式接触需先经融合过程。在融合过程中因铝与硅的热膨胀系数不同，(铝将会膨胀较快)，而造成部份的铝无法向外扩张只得向上膨胀造成小山丘状的“凸起物”〔Hillock〕HNO3硝酸NitricAcid硝酸透亮，无色或微黄色，发烟，易吸湿的腐蚀性液体，能腐蚀大部份金属。其黄色是由于曝光所产生的二氧化氮，为强氧化剂，可与水混合，沸点781.504。对皮肤有腐蚀性，为强氧化剂，与有机物接触有起火危急。清洗炉管用。Hotelectron热电子：以加强型NMOS为例，当MOS管的通道长度变短，通道内的横向电场将增加，这使通道内由于这些电子的能量比其它尚处在在热平衡状态的电子要高，所以称为热电子。所以漏极四周的电子便有时机被这些热电子撞击而提升至导带，而产生很多的电子-电洞。HotElectronEffect热电子效应VLSI的时代，ShortChannelDevice势在必行，而目前一般Circuit应用上又未打算更改==Ionization〔撞击游离化〕现象发生于Drain邻近区域。伴随而生的Electron-Holepairs(电子电洞对)，绝大部份经由Drain(Electrons)orSub.(Holes)导流掉。但基于统计观点，总会有少部份Electrons〔i.e.Hot-Electrons)所具Energy，足以抑制Si-SiO2的BarrierHeight(能障)，而射入SiO2，且深〔Trap〕Hot-Electrons射入过程中打断Si-HInterfaceTrap于Si-SiO2NMOSPerformance的退化(Degradation)现象。HPM〔hydrochloricacidhydrogenperoxidemixture〕HCl+H2O2+DIWater混合液体的简称，常用来去除移动金属离子。HFHydrofluoricAcid氢氟酸，常用来去除氧化层的清洗制程。IC(IntegratedCircuit集成电路集成电路是一九五八年由美国的德卅仪器公司所制造的。它是将一个完整的电子电路处理由于它能将原本需要很多零件的电子电路集中缩小，因此被称为集成电路。它具备优于传统电子电路的三个特性：体积小、价廉、牢靠。依照其集积化的程度可区分为小型(SSI)、中型(MSI)、大型(LSI)、超大型(VLSI)集成电路Implant离子植入离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量打算，掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)打算掺杂的均匀性好温度低：小于600℃可以准确掌握杂质分布可以注入各种各样的元素横向扩展比集中要小得多。可以对化合物半导体进展掺杂Inter-LayerDielectrics内层介电材料21四川洪芯微科技简称ILD,指第一层金属层与Si底材之间的介电层，我们常用的是BPSG.Impurity杂质纯粹的硅是金刚石构造，在室温下不易导电。〔如图一〕。这时如参加一些B11As75“电洞“或“载子“，加以偏压后就可轻易导电。参加的东西即称为杂质。(图二，图三)。图一矿石构造Si Si| |Si—Si—Si|Si图二电洞Si SiΟ |Si—B11—Si|Si图三Si Si| |Si—As75—Si|•Si 載子IntrinsicStress内应力材质的缺陷与施加与物体的外力，是两个构成物体受应力的主要来源，前者就称为内应(IntrinsicStress)，后者则称为外应力〔ExtrinsicStress〕,IntrinsicStress是薄膜产生龟裂的主要缘由，它又分为拉伸应力〔TensileStress〕和挤压应力〔CompressiveStress〕两种。IonImplanter离子植入机IonSource离子源离子植入机中产生所要植入杂质离子的局部，主要由ArcChamber,Filament组成，杂质气体或固体通入ArcChamber，由Filament产生的电子进展解离而产生离子。IPA异丙醇IsopropylAlcohol的简称，在半导体制造中，用来作为清洗溶剂，常用来擦拭机台操作面板等，也作为SOG等化学液体的溶剂。IsotropicEtching等向性蚀刻在蚀刻反响中，除了纵向反响发生外﹒横向反响亦同时发生(见左图)，此种蚀刻即称之为等向性蚀刻，一般化学湿蚀刻多发生此种现象。(Anisotropic)〔见右图〕Horizontal

Vertical

PhotoResist

PhotoResist22四川洪芯微科技Latchup:闭锁效应CMOSPMOS的漏极与NMOS图〔1〕所示的寄生的pnpn二极管。这种pnpn二极管的电流〔I〕对电压〔V〕的操作曲线则如图。其中图中的IH，为使pnpn二极管处于运作〔Acting〕状态时所需的最低电流称之为“引发电流〔triggeringcurrent〕”。当I≥IH发生之后，CMOS电“闭锁〔Latchup〕”。即，假设CMOSCMOS组件里的“pnpn二极管”，有可能处于运作的状态，而影响到CMOS的正常运作。所以在使用CMOS的设计时，务必留意使这个pnpn二极管随时处于“闭”的状态，即I<IH，以防止“闭锁现象”的发生。CMOSn〔PMOS〕NMOS彼此间的远离而不发生。不过这将使半导体组件在芯片上的集成度下降，所以并不是很好的方法最普遍防闭锁的方法是“外延硅底材〔EPIsubstrate〕”这种防制方法的原理，是在原本高掺杂的底材上，加上一层稍微掺杂的单晶硅层，已做为CMOS制程的的底材。因此CMOS是直接建筑在低掺杂的EPI层上〔不是以往的底材上〕groundplanEPI〔但要比阱深度厚，则图中的直立的pnp双载子寄生电晶体的电流将不易横向流向寄生的npn电晶体，而流向高掺杂的硅底材〔掺杂浓度高导电性好。因此硅底材接地，寄生pnpnpn的闭锁现象就可以被抑制了。外延单晶硅层的厚度宜薄，这样发生闭锁的引发电流将越高，闭锁将不容易发生，但考虑到EPI层太薄，底材杂质将会进入EPI层，造成浓度的转变，故需严格掌握以避开EPI太薄或太厚所带来的问题。Layout布局LayoutICCAD(计算机关心设计)，转换成实际制作IC时，所需要的光罩布局，以便去制作光罩。由于此一布局工作﹒关系到光罩作出后是和原设计者的要求符合，因此必需依据肯定的规章，好比﹒而布局完成后的图形便是IC工厂制作时所看到的光罩图形。LightlyDopedDrain轻掺杂集极简称LDD，可以防止热电子效应(HotElectron/CarrierEffect)；方法是承受离子植入法，在原来的MOS的源极和汲极接近通道的地方，再增加一组掺杂程度较原来n型的源极与汲极为低的n型区。缺点是制程简单且轻掺杂使S/D串联电阻增大，导致组件操作速度降低。LocalOxidation区域氧化法LocalOxidationofSiliconLOCOS,是FieldOxide一种制作方法,即在有SiN层作为幕罩的状况下让芯片进入炉管进展FieldOxide的制作。23四川洪芯微科技LoadLock传送室LoadLockLoadLock的差异如以下图ChamberVacuumChamber ChamberVacuumorAtmospheric

Load

LockAtmospheric Casette Casette系统起初门均关闭，其传送芯片的动作为：传送芯片→翻开LoadLockA→将芯片放入，关闭，抽真空→翻开¯OK→翻开，将芯片移至→,LoadLockB→送出芯片→关上´真空→系统恢复起初状。LotNumber批号批号乃为在线全部材料的“身份证“，keyin批号如同申报流淌户口，经由SMS系统藉以管制追踪每批材料的所在站别，并得以查出每批材料的具体相关数据，故为生产过程中的重7:XX年号929394以此类推

XXXX流水序号000010000200003*批号的产生乃于最初投片时由SMS系统自动产生。LPCVD低压化学气象沉积法LPCVD的全名是LowPressureChemicalVaporDeposition,即低压化学气相沉积。24四川洪芯微科技ICMask光罩；罩幕在微影的阶段中，必要的线路或MOS电晶体的局部构造，将被印制在一片玻璃片上，这片印有集成电路图形的玻璃片称为光罩〔Mask〕；在离子植入或LOCOS氧化时，上面会有一层氧化层或SiN层作为幕罩〔Mask〕，以降低离子植入时的通道效应或氧化时的阻挡。MFC〔MassFlowController〕简称MFC,是直接测量气体流量的一种装置，常用在流淌气体的掌握上。主要是由一个质流感应器，一个旁流管及一个可调整阀构成。Micro,Micrometer,Micron微，微米Micro为10-6, 1Micro＝10-61Micrometer＝10-6m＝1Micron＝1μm1μ10-6m。m〔原子大小〕1μ＝10,000Å约为一万个原子积存而成的厚度或长度。MobileIonCharge移动性离子电荷一般消灭在热氧化层中，主要来自钠及钾等贱金属杂质，影响到氧化层的电性；这些杂质可以借由在氧化制程中参加适量的HCl来防范。MOS金属半导体构成IC的晶体管结缸可分为两型一双载子型(bipolar)和MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)。双载子型IC的运算速度较快但电力消耗较大，制造工程也简单，并不是VLSI的主流。而MOS型是由电场效应晶体管(FET)集积化而成。先在硅上形成绝缘氧化膜之后，再由它上面的外加电极(金属或复晶硅)参加电场来掌握某动作，制程上比较简洁，也较不耗电，最早成为有用化的是P-MOSN-MOS也被承受。一旦进入VLSI的领域之后﹒NMOS的功率消耗还是太大了，于是由P-MOS及N-MOS组合而成(CMOS，ComplementaryMOS)遂成为主流。N2,Nitrogen氮气4/5是氮气，氮气是一安定的惰性气体，由于取得不难且安定，故Fab内常用以当作Purge(CarrierGas)、及稀释(Dilute)用途，另外氮气在零下196℃(77°F)以下即以液态存在，故常被用做真空冷却源。NWell N井SiNPadOxideP-sub N-Well在半导体行业里，一般在P-Sub上植入P以形成N-well,以便为后期形成PMOS.Nanospec一种用于量测膜厚的测量仪器。P/N-TypeSemiconductor P/N型半导体一般金属由于阻值相当低(10-2Ω-cm以下)，因此称之为良导体，而氧化物等阻值高至105Ω-cm以上，称之非导体或绝缘体。假设阻值在10-2~10-5Ω-cm之间，则名为半导体。25四川洪芯微科技ICSi(硅)是四价键结(共价键)的构造，假设掺杂有如砷(As)，磷(P)等五价元素，且占据硅原子的地位(SubstitutionalSites)，则多出一个电子，可用来导电，使导电性增加，称之为N型半导体。假设掺杂硼(B)等三价元素，且仍如此连续的电子填补，称之为定电洞传导，亦使硅的导电性增加，称为P型半导体。因此N型半导体中，其主要常电粒子为带负电的电子，而在P型半导体中，则为常正电的电洞。在平衡状况下(室温)不管N型或P型半导体，其电子均与电洞浓度的乘积值不变。故一方浓度增加，另一方即相对削减。NativeOxide原始氧化层〔一〕〔二〕所示的氧化反响，然后在芯片的外表长出一层二氧化硅层。由于〔二〕式所示的氧化反响涉及到水分子，虽然进展反响的水分子不见得是以液态的形式存在，但我们习惯以干式氧化DryOxidatio〕来称呼〔一〕式的反响，而以湿式氧化WetOxidatio〕来表示〔二〕式。由于这两个反响在室温下便得以进展，所以硅芯片的外表通常都会由一层厚度约在数个Å到20Å不等的SiO2SiO2,则称为“原始氧化层〔NativeOxidation〕”。Si(s) + O2(g) = SiO2(s) (一)Si(s) + 2H2O(g)= SiO2(s) +2H2(g)〕 (二)NeedleValve针阀针状阀装在圆锥形阀座上的有细杆的阀，用于准确地调整液体或气体的流淌。NitricAcid硝酸一种腐蚀性液态无机酸HNO3,通常由氨的催化氧化或硫酸与硝酸盐反响制得,主要用作氧化剂(如火箭推动剂),并用于硝化作用以及肥料、炸药、染料、硝基烷和各种其它有机化合物的制造中。硝酸是透亮，无色或微黄色，发烟，易吸湿的腐蚀性液体，能腐蚀大部份金属。其黄色是由于曝光所产生的二氧化氮，为强氧化剂，可与水混合，沸点78℃，比重1.504。对皮肤有腐蚀性，为强氧化剂，与有机物接触有起火危急。清洗炉管用。NSG NondopedSilicateGlass无渗入杂质硅酸盐玻璃NSG为半导体集成电路中的绝缘层材料，通常以化学气相沉积的方式生成，具有良好的均匀掩盖特性以及良好的绝缘性质。有助于后续平坦化制程薄膜的生成。Nozzle喷嘴管嘴，喷嘴管子等对象的尾端的带有开口的突起局部，用于掌握和引导水流。OCAPOCAP是OutofControlActionPlan的缩写，中文称为制程特别处理程序更具体的说，OCAP乃是由一连串的问题及行动指示所组成，以流程图的方式来指示我们，当制程违反管制规章时，应实行的步骤及措施。OCAP是由制造部、制程、设备一同来制定及检讨。OCAP须不断的修订，以符合生产线实际的需要。OhmicContact欧姆式接触件操作时，大局部的电压降在于活动区(Activeregion)而不在接触面。欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件：(BarrierHeight)半导体有高浓度的杂质掺入(N≧1012cm-3)前者可使界面电流中热激发局部(ThermionicEmission)增加;后者则使界面空乏区变窄，电子26四川洪芯微科技有更多的时机直接穿透(Tunneling)Rc阻值降低。假设半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(EnergyCap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触，必需于半导体外表掺杂高浓度杂质，形成Metal--norMetal-p+-p等构造。OI(OperationInstruction)操作指南它是我们在操作机台,维护机台等操作状况时的操作手册,作指南才会保证安全，保证工作的顺当进展。OilpumpOilpump构造:Oiltemperaturecontroller有很长的lifetimeOilpump中oil的品质对pump有很大影响，油品好，pump抽气力量强，使用时间长Oil的作用：润滑、降温顺密封。ONO〔OxideNitrideOxide氧化层-氮化层-氧化层〕半导体组件，常以ONO三层构造做为介电质(类似电容器)，以储存电荷，使得数据得以在此处存取。在此氧化层-氮化层-中，则可阻挡缺陷(pinhole)的延展，故此三层构造可互补所缺。Oxygen氧气-183℃液化成浅蓝色的液体，在-218℃固化。在海平20%体积的氧，溶于水和乙醇，不行燃，可以助燃。在电浆光阻去除中，O2主要用来去除光阻用。在电浆干蚀刻中，O混入CF气体中，可增加CF气体的蚀刻速度。2, 4 4目前O2气主要用途在于电浆光阻去除。利用O2在电浆中产生氧的自由基(RADICAL)，与光阻中的有机物反响产生CO2和H2O气体蒸发，到达去除光阻的效果。Outgassing出气主要是指剩余的溶剂或水气，来源于未经完全固化的光阻、SOG或其他物质。以下图是离子植入时因离子轰击硅片外表的光阻而发生的出气现象。Oxidation氧化物质原子失去电子的化学反响,也就是物质与氧化合的过程。脱氢,尤指在氧或其它氧化剂作用时脱氢通过增加电负性的比例来转变一种化合物半导体中热氧化(Oxidation)：在炉管中通入O2(或H2O)与Si反响形成二氧化硅(SiO2)氧化层OxidationFurnace氧化炉氧化炉是芯片制造的根底，其主要功用就是对硅片进展氧化制程，生成所需的二氧化硅层。集中炉是集成电路生产工艺中用来对半导体进展掺杂，即在高温条件下将掺杂材料集中入27四川洪芯微科技OxideTrappedCharge氧化层阻陷电荷Qot,这类电荷没有特定的分布位置，主要是由于芯片过程中的其它制程，如离子植入、电浆蚀刻以及物理气相沉积所引起的电子及电洞，被氧化层内的杂质或未饱和键所扑捉而陷入所造成的。所以带正电或负电则不肯定。P磷1516个中子所组成。离子植入的磷离子，是由气体PH3，经灯丝加热分解得到的P+离子，借着Extraction抽出气源室经加速管加速后﹒布植在芯片上。是一种N-type离子，用做磷植入，S/D植入PWell P井P-Well N-WellP-sub在半导体行业里，一般在P-Sub上植入B以形成P-well,以便为后期形成NMOS.PadOxide垫氧化层在制程中主要是起到缓冲层,一般做为SIN的垫底以抵消SIN的应力，并且阻挡光阻污染Si芯片外表。其制程条件为：2 温度：950℃~1100℃; 气体：O或O+TDCE(含氯的碳氢化合物2 2压力：接近1ATM; SiO厚度：100Å~500Å2ParticleContamination尘粒污染“尘粒污染”：由于芯片制造过程甚为漫长，经过的机器、人为操作处理甚为繁杂，但因机器、人为均或多或少会产生一些尘粒Particle，这些尘粒一旦沾附到芯片上，即会造成污染影响，而损害到产品品质与良率，此即“尘粒污染”。我们在操作过程中，应时时防着各项尘粒污染来源。Passivation保护层ICDevicea﹒PSG当护层(PContent2-4%)，b.少局部以PECVD沉积的氮化硅为之。因与大气接触，故着重在Corrosion(铝腐蚀)、Crack〔龟裂、PinHole(针孔)的防冶。MetalMetal被刮伤。PECVD电浆CVDPECVD英文全名为PlasmaEnhancementCVDCVD能或电浆。以电浆催化的CVD称做PECVD。PECVD的好处是反响速率快、较低的基板温度及StepCoverage；缺点是产生较大的应力，现Feb内仅利用PECVD做氮化硅护层。28四川洪芯微科技PH3,Phosphine氢化磷一种半导体工业用气体。经灯丝加热供给能量后，可分解成: P”，PH＋，PH

2＋。(H+)2通常P+最大。可由质谙谙场分析出来，做N-type的离子植入用。PhosphoricAcid磷酸一种糖浆状或潮解性结晶状三元酸H3PO4,用五氧化二磷水化或通过用硫酸沥取法分解磷酸盐(如磷酸盐矿)得到,主要用于制造肥料和其它磷酸盐,用于金属防锈、糖的精制和软饮料的调味剂.2050及75﹪强度为易流淌液体，85﹪为似糖浆，100%酸为晶体。比重1.834，熔点42.35℃。在213﹪失去Y2H2O，形成焦磷酸。溶于水，乙醇，腐蚀铁SI3N

的去除，4浓度是85﹪，沸点156℃，SI3N4与SIO

的蚀刻比约为30:12PhotoResist光阻“光阻“为有机材料，系利用光线照耀，使有机物质进展光化学反响而产生分子构造变化，再使用溶剂使的显像。目前一般商用光阻主要含二部份(1)高分子树脂(2)光活性物质，依工作原理不同可分为正，负型二类:正型:光活性物质为DIAZOQUINOUESubstrate

AlMetal

SiNxPIXApplyPIX,SoftbakeUVExposePIXDevelopPIXCurePIX照光后产生酸，反有利于碱液溶解，因此可区分曝光区与非曝光区。负型:光活性物质为Diazlde类，照后生成极担忧定的双电子自由基，能与高分子树脂键结，而增加分子量，选择适当溶剂便可区分分子量不同的曝光区与非曝光区。PVD(PhysicalVaporDeposition)物理气相沉积所谓的物理气相沉积〔PhysicalVaporDeposition〕，通常简称为〔PVD〕,就是以物理现象的方式，来进展薄膜沉积的一种技术。在半导体制程的进展上，主要的PVD技术有蒸镀〔Evaporation〕以及溅镀〔Sputter〕等两种。前者是借着对被蒸镀物体加热，利用被蒸镀物在高温〔接近其熔点〕时所具备的饱和蒸气压，来进展薄膜的沉积的；而后者，则是利用电浆所产生的离子，借着粒子对被溅镀物体电极〔Electrode〕的轰击〔Bombardment〕,使电29四川洪芯微科技浆的气相〔VaporPhase〕内具有被镀物的离子〔如原子〕，然后依薄膜的沉积机构，来进展沉积。PID〔Proportional,Integral,Derivation〕PID是一种掌握方式。是比例，积分，微分的缩写PilotWafer试作芯片PilotWafer为试作芯片，并非生产芯片(PrimeWafer)。在操作机器前，为了确定机器是否PilotWafer,由于PilotWaferPilotWafer时，所抱持的态度必需和处理PrimeWafer一样慎重。PinHole针孔在光阻制程所谓的针孔，就是在光阻掩盖时，光阻薄膜无法完全盖住芯片外表，而留有细小如针孔般的缺陷，在蚀刻制程时，很可能就被蚀刻穿透，而致芯片的报废。在以往使用负光阻制程时，由于负光阻黏稠性较大，掩盖较薄，因此，简洁消灭针孔，故有些层次(如Contact)，必需掩盖两次，才能避开针孔的发生。目前制程大多使用正光阻，掩盖较原，已无针孔的问题存在，QC亦不做针孔测试。PiranhaClean过氧硫酸清洗过氧硫酸(PeroxymonosulfuricAcid)CARO”sacid，其主要由硫酸加双氧水反响生成，反响式如下:H2SO4+H2O2＜＝＞H2SO5+H2OH2SO5CO2+H2O，因此在IC制程中常用来去除剩余的光阻，另外对金属污染及微尘污染也有相当好的清洗效果。Piranha原意为食人鱼，在这里则是用来形容过氧硫酸与光阻的间的猛烈反响。Planarization平坦化平坦化就是把Wafer外表起伏的的介电层外观，加以平坦的一种半导体制程技术。为什么要进展平坦化？影响黄光制程的准确度和区分率；影响金属沉积的均匀性；影响金属的Etching常见平坦化方法：BPSG:利用高温热回流〔Flow和Reflow〕原理，用于金属层前的平坦化。SOG：即SPiN-ONGLASS,利用旋转涂布的原理，到达局部平坦化，常用于0.35um以上制程的金属层间的平坦化。CMP：即ChemicalMechanicPolishing,利用化学机械研磨原理，到达全面平坦化，常用于0.35um以下制程。Plasma等离子体又称电浆，是一种患病局部别子化的气体。藉着在两个相对应的金属电极板上施以电压，假设电极板间的气体分子浓度在某一特定区间，电极板外表因离子轰击所产生的二次电子，在电场的作用下，获得足够能量，而与电极板间的气体分子因撞击而进展解离、离子化、PlasmaEtching电浆蚀刻在干蚀刻(DryEtch)技术中，一般多承受电浆蚀刻(PlasmaEtching)与活性离子蚀刻(ReactiveIonEtching)，通常电浆蚀刻使用较高的压力(200mT)及较小的RF功率，当芯片浸在电30四川洪芯微科技浆之中，曝露在电浆的表层原子or分子与电浆中的活性原子接触并发生反响而形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻，此类蚀刻即称之为电浆蚀刻。所谓电浆(Plasma)即为气体分子在一电场中被游离成离子(正、负电荷)、电子、及中性基(Radical)等，在纯化学反响中，吾人取中性基为蚀刻因子，在R.I.E时，取活性离子作为蚀刻因子。PM(PreventiveMaintenance)定期保养设备正常运转期间停机，实施定期(每天、每周、每月或每季等)的设备保养。例如:检修，上油，润滑，更换消耗材等。有良好的PM才能发挥高的设备运转效率，发挥设备最高的使用率。POCl3三氯氧化磷一种用做N+集中用的化合物。通常以N2为“载气“(CarrierGas)，带着POCl3和O2(氧气)反响：4POCl3+3O2→2P2O5+6Cl25P2O5+5Si →4P+5SiO2在反响过程中，磷沉淀于硅外表，同时硅外表亦形成氧化层。Poly-Crystalline多晶体假设某纯物