静电保护器件

第一页，共三十页，编辑于2023年，星期五CONTENT1.静电保护器件ESD保护管2.MOSFET3.电压基准（VoltageRegerence)第二页，共三十页，编辑于2023年，星期五静电保护器件

ESD保护管

静电保护器件ESD保护管是一种用来保护敏感半导体器件使其免遭静电击穿而特别设计的固态半导体器件。LRC的ESD保护管具有以下特点:

1、满足行业标准

2、低工作电压

3、低电容4、低漏电流5、高浪涌电流容量6、单路和多路保护

7、小封装,节省电路版空间,满足设计机动性

8、ROHS/无卤素第三页，共三十页，编辑于2023年，星期五静电保护器件ESD保护管是一种用来保护敏感半导体器件使其免遭静电击穿而特别设计的固态半导体器件。当ESD保护管受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10~12秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。ESD保护管的电路符号与普通稳压二极管相同。ESD保护管的正向特性与普通二极管相同，反向特性为典型的PN结雪崩器件。静电保护器件

ESD保护管第四页，共三十页，编辑于2023年，星期五ESD保护管的优点：响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。静电保护器件

ESD保护管第五页，共三十页，编辑于2023年，星期五VRWM(ReversePeakWorkingVoltage)：指ESD保护管最大连续工作的直流或脉冲电压。当这个反向电压加在ESD保护管的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于最大反向漏电流；当ESD保护管两端的电压继续上升，但还没有到达击穿电压VBR时，ESD保护管可能继续呈现高阻状态。使用时VRWM不低于被保护电路的正常工作电压。设计时可选VRWM＝0.9VBR。

VBR(ReverseBreakdownVoltage):在指定测试电流下ESD保护管发生雪崩击穿时的电压，它是ESD保护管最小的击穿电压。在该状态发生时，ESD保护管的阻抗将变得很小。VBR会受到结温的影响而有所变化。VC(MaximumClampingVoltage):指ESD保护管流过最大浪涌电流（峰值为IPP）时其端电压由VRWM上升到一定值后保持不变的电压值。ESD保护管就是通过这个箝位电压来实现保护作用的，浪涌过后，IPP随时间以指数的形式衰减，当衰减到一定值后，ESD保护管两端的电压开始下降，恢复原来状态。VC与VBR之比称为箝位因子，一般在1.2～1.4之间。静电保护器件

ESD保护管第六页，共三十页，编辑于2023年，星期五IPP(MaximumReversePeakPulseCurrent)：指ESD保护管允许流过的最大浪涌电流，它反映了TVS的浪涌抑止能力。PPP（PeakPowerDissipation）：指ESD保护管在指定结温下所能承受的最大峰值脉冲功率。在特定的最大钳位电压下，功耗P越大，其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗P下，钳位电压VC越低，其突波电流的承受能力越大。静电保护器件

ESD保护管第七页，共三十页，编辑于2023年，星期五LRCESD保护管满足的行业标准

IEC61000-4-2(ESD)±15KV(空气放电)IEC61000-4-2(ESD)±8KV(接触放电)IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)IEC61000-4-5(雷电)静电保护器件

ESD保护管第八页，共三十页，编辑于2023年，星期五在很多场合,出于成本的考虑,人们也会选用压敏电阻,现给出它们的差异:关键参数或极限值TVS压敏电阻反应速度10-12s5×10-8s有否老化现象否有最高使用温度175℃115℃元件极性单极性与双极性单极性反向漏电流典型值5μA200μA箝位因子（VC/VBR）≤1.5≥7~8密封性质密封不透气透气价格较贵便宜静电保护器件

ESD保护管第九页，共三十页，编辑于2023年，星期五静电保护器件

ESD保护管产品列表（一）第十页，共三十页，编辑于2023年，星期五产品列表（二）静电保护器件

ESD保护管第十一页，共三十页，编辑于2023年，星期五LRCESD保护管的应用1、高速数据线保护2、USB端口保护3、便携式设备保护(如手机,PDA等)4、局域网和宽带网设备保护5、交换系统保护以及以太网交换机保护静电保护器件

ESD保护管第十二页，共三十页，编辑于2023年，星期五ESD保护管的应用举例（一）——键盘驱动器ESD保护方案静电保护器件

ESD保护管第十三页，共三十页，编辑于2023年，星期五ESD保护管的应用举例（二）——数据接口的ESD保护方案静电保护器件

ESD保护管第十四页，共三十页，编辑于2023年，星期五ESD保护管的应用举例（三）——电源接口的ESD保护方案静电保护器件

ESD保护管第十五页，共三十页，编辑于2023年，星期五MOSFETMOSFET(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor)，即“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET内部结构及电路符号按导电沟道可分为P沟道和N沟道按栅极电压幅值可分为耗尽型和增强型按工作电压可分为低耐压、中耐压和高耐压型按工作电流可分为小信号MOSFET和功率MOSFETMOSFET分类第十六页，共三十页，编辑于2023年，星期五

“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。按沟道半导体材料的不同，MOSFET分为N沟道(N-Channel，电压极性为正)和P沟道(P-Channel，电压极性为负)两种。按导电方式来划分，又可分成耗尽型与增强型。耗尽型与增强型主要区别是当VGS=0时，耗尽型ID≠0，增强型ID=0。我们现在常见的是增强型。N-Channel漏极源极栅极P-Channel源极漏极栅极MOSFET第十七页，共三十页，编辑于2023年，星期五MOSFET的放大原理：MOSFET的放大原理同三极管的放大原理类似，所不同的是，MOSFET是电压控制型器件，靠栅-源的电压VGS变化来控制漏极电流ID的变化；三极管是电流控制型器件，靠基极电流IB的变化来控制集电极电流IC的变化。通过这种效应，我们可以在栅-源极加入微弱的信号，通过VGS控制ID加强信号，从而实现信号的放大。

IDVGS漏极源极栅-源极MOSFET放大原理示意图：我们可以简单形象的理解为，当VGS变化时，推动闸门前进或后退，从而控制ID的大小。MOSFET第十八页，共三十页，编辑于2023年，星期五V(BR)DSS（Drain-SourceBreakdownVoltage)：漏源击穿电压。是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。ID(ContinuousDrainCurrent)：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。PD(MaximumPowerDissipation)：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PD并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。RDS(on)(Drain-SourceOn-StateResistance)：在特定的VGS（一般10V）、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。VGS(th)(GateThresholdVoltage)：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。MOSFET第十九页，共三十页，编辑于2023年，星期五产品列表（一）——小信号MOSFETMOSFET第二十页，共三十页，编辑于2023年，星期五产品列表（二）——低压MOSFETMOSFET第二十一页，共三十页，编辑于2023年，星期五LithiumIonBatteryPackTSSOP8BatteryChargingTSOP6orSOT23LOADSwitchFLP8“Plug-in”AccessoriesSwitchDC/DCConverter

FLP8LiIonBatteryCharger&ProtectionTSSOP8“Connectivity”(USB“OnTheGo”,MMCetc.)-TSOP6orSOT23LensMotorTSOP6N&PLoadSwitching-SOT23orTSOP6“Plug-in”AccessoriesSwitchTSOP6orSOT23LithiumIonBatteryPackTSSOP8BatteryChargingTSOP6orSOT23PA/LOADSwitchTSOP6orSOT23WhiteLEDDriveTSOP6orSOT23

LCDDisplayTSOP6LiIonBatteryCharger&ProtectionTSSOP8“Connectivity”(USB“OnTheGo”,MMCetc.)-TSOP6orSOT23Lens&TapeMotorTSOP6N&PLoadSwitching-SOT23orTSOP6小信号/低压MOSFETPeripheralLoadSwitchingTSOP6orSOT23SynchronousRectifiersFLP8MOSFET第二十二页，共三十页，编辑于2023年，星期五MOSFET的应用举例（一）——LCD显示器（小信号MOSFET）AC/DC控制器DC/DC控制器图腾柱驱动电路MOSFET第二十三页，共三十页，编辑于2023年，星期五MOSFET的应用举例（二）——掌上设备的负荷开关（低压MOSFET）PartNum.TypeBVDSSIDPackageLP2301LT1GSingleP-20V-2.4ASOT-23PowerSourceToLoadLogicSignalVon/offP-CHMOS-FETN-CHS-MOSorNPNS-TR

P沟道MOSFETRDS(ON)

低至<40mΩ

可以直接用MCU信号控制负荷开关MOSFET第二十四页，共三十页，编辑于2023年，星期五电压基准431432系列1、型号(PartNumber)：

LR431**<L431**LR432**<L432**

2、封装(Package)：

TO-92,SOT-233、应用(Applications)：充电器,家庭影院、音响设备、电脑、DVD、LCD显器、LCDTV、HDTV第二十五页，共三十页