声表产品生产制作工艺介绍演示文稿

声表产品生产制作工艺介绍演示文稿本文档共60页；当前第1页；编辑于星期三\4点34分声表产品生产制作工艺介绍本文档共60页；当前第2页；编辑于星期三\4点34分一.声表面波器件的用途本文档共60页；当前第3页；编辑于星期三\4点34分滤波器:电子通讯移动设备无线宽带广播电视-------------------------------谐振器:移动设备无匙安全系统本文档共60页；当前第4页；编辑于星期三\4点34分射频识别：鉴别：身份识别，物体识别，运输方式跟踪-----------------------------------------传感器：感知：压力,温度液体，气体生物传感-----------------------------------------特殊应用：特殊压电材料，改变物理特性本文档共60页；当前第5页；编辑于星期三\4点34分二.声表面波器件工作原理本文档共60页；当前第6页；编辑于星期三\4点34分声表面波—SAW（SurfaceAcousticWave）就是在压电基片材料表面产生和传播、且振幅随深入基片材料的深度增加而迅速减少的弹性波。SAW滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器——叉指换能器（IDT）。它采用半导体集成电路的平面工艺，在压电基片表面蒸镀一定厚度的铝膜，把设计好的两个IDT的掩膜图案，利用光刻方法沉积在基片表面，分别作为输入换能器和输出换能器。

本文档共60页；当前第7页；编辑于星期三\4点34分电转换为声（逆压电效应）声转换为电（正压电效应）

工作原理是输入换能器将电信号变成声信号，沿晶体表面传播，输出换能器再将接收到的声信号变成电信号输出。本文档共60页；当前第8页；编辑于星期三\4点34分本文档共60页；当前第9页；编辑于星期三\4点34分换能器空间图形对应脉冲响应图形

通过指条位置和重迭长度的设计即可控制换能器的脉冲响应，从而也就控制了换能器的频率响应

本文档共60页；当前第10页；编辑于星期三\4点34分SAW滤波器构成及频响

压电基片+IDT（半导体工艺）

电--声（SAW）--电

Hfilter(f)=HIDT1(f)*HIDT2(f)本文档共60页；当前第11页；编辑于星期三\4点34分本文档共60页；当前第12页；编辑于星期三\4点34分三.主要声表面波器件用晶片材料本文档共60页；当前第13页；编辑于星期三\4点34分LT、LN主要功能压电效应---表面波器件热释电效应----红外探测电光效应---光开关、光调制光折变效应-----全息存储非线性光学效应-----激光倍频

从上面可以看出LN、LT是一种多功能晶体，我们在实践中注意各种性能对使用和生产相互影响。比如热释电产生静电吸尘、静电击裂晶片影响．本文档共60页；当前第14页；编辑于星期三\4点34分常用表面波切型简称主面及传播方向简称主面及传播方向128°Y-XLN128°

旋转Y切X向传播铌酸锂36°Y-XLT36°

旋转Y切X向传播钽酸锂64°Y-XLN64°

旋转Y切X向传播铌酸锂42°Y-XLT42°

旋转Y切X向传播钽酸锂Y-ZLNY切Z向传播铌酸锂45°X-ZLBO45°

旋转X切Z向传播四硼酸锂X-112.2°YLTX切112.2°旋转Y向传播钽酸锂ST-XQUARTZST切X向传播α-石英本文档共60页；当前第15页；编辑于星期三\4点34分晶片背面的加工粗糙度碳化硅规格号100#120#180#240#W28W141000#2000#W3.5粒度尺寸范围160125806328-2014-1015.58.53.5-2.5晶片粗糙度>7≥5≥31-30.50.5-0.70.15-0.3金胜3--51.5—2.20.8-1.50.5-1.0水晶:0.5-1.0其他0.8-1.5DQ备注晶片背面粗糙度数值为LN晶片实测典型值。晶片材料不同其加工粗糙度值略有差别。本文档共60页；当前第16页；编辑于星期三\4点34分四.声表面波器件制作工艺流程本文档共60页；当前第17页；编辑于星期三\4点34分1.前工序基片清洗镀金属膜涂胶曝光显影腐蚀探针测试涂胶曝光显影镀金属膜剥离镀保护膜后工序本文档共60页；当前第18页；编辑于星期三\4点34分湿法工艺本文档共60页；当前第19页；编辑于星期三\4点34分①.镀膜铝晶片本文档共60页；当前第20页；编辑于星期三\4点34分铝晶片光刻胶②.涂光刻胶本文档共60页；当前第21页；编辑于星期三\4点34分③.曝光UV光光刻胶铝晶片本文档共60页；当前第22页；编辑于星期三\4点34分④.显影铝晶片光刻胶本文档共60页；当前第23页；编辑于星期三\4点34分⑤.刻蚀光刻胶铝晶片本文档共60页；当前第24页；编辑于星期三\4点34分⑥.去胶铝晶片本文档共60页；当前第25页；编辑于星期三\4点34分B、剥离工艺本文档共60页；当前第26页；编辑于星期三\4点34分①.涂光刻胶光刻胶晶片本文档共60页；当前第27页；编辑于星期三\4点34分②.曝光光刻胶晶片UV光本文档共60页；当前第28页；编辑于星期三\4点34分③.显影光刻胶晶片本文档共60页；当前第29页；编辑于星期三\4点34分④.镀膜光刻胶晶片铝本文档共60页；当前第30页；编辑于星期三\4点34分⑤.去胶铝晶片本文档共60页；当前第31页；编辑于星期三\4点34分制作完成图形本文档共60页；当前第32页；编辑于星期三\4点34分主要工艺－清洗全自动清洗机本文档共60页；当前第33页；编辑于星期三\4点34分STANGL精清洗系统

系统精清洗部分由以下构成：RBS1槽、RBS2槽、溢流清洗槽、QDR1槽、QDR2槽、兆声清洗槽、甩干机。

STANGL精清洗采用的是湿法批量式清洗，所用的工艺为RBS洗液超声清洗结合SC1洗液兆声清洗的方式，因该清洗系统设计时未考虑酸洗槽，有些晶片在清洗前得预先经过一次酸浸泡处理工艺。该系统专用于Φ3″和Φ4″标准晶圆片的清洗，日产量为300-400片/班（8小时）。主要工艺－清洗本文档共60页；当前第34页；编辑于星期三\4点34分主要工艺—镀膜

设备名称:BAK-SAW电子束镀膜机

主要技术指标

均匀性单片：±1%

片与片：±2%

批与批：±2%镀层材料AL、AL-CU2%合金、TI、CU

产量3英寸36片/炉

4英寸18片/炉

适用工艺

剥离工艺和湿法工艺单层和多层镀膜本文档共60页；当前第35页；编辑于星期三\4点34分主要工艺—镀膜

设备名称:KDF磁控溅射镀膜机

主要技术指标

均匀性单片±2%〔AL)±2～3%(sio2)

片与片±3～5%(AL)±5～8%(SIO2)

批与批±3～5%(AL)±5～8%(SIO2)

镀层材料AL、AL-CU2%合金、TI

产量

3英寸16片/炉、4英寸9片/炉适用工艺

湿法工艺

单层金属膜和SIO2保护膜本文档共60页；当前第36页；编辑于星期三\4点34分主要工艺—镀膜

设备名称:LEYBOLD(莱宝)电子束镀膜机主要技术指标

均匀性单片±1.5%

片与片：±2.5%

批与批：±2.5%镀层材料AL、AL-CU2%合金、TI

产量3英寸36片/炉4英寸18片/炉

适用工艺剥离剥离和湿法工艺

单层和多层金属膜本文档共60页；当前第37页；编辑于星期三\4点34分主要工艺—镀膜膜厚测试:FRT表面轮廓仪

ALPHA-STEP台阶仪本文档共60页；当前第38页；编辑于星期三\4点34分主要工艺－光刻分布重复式投影曝光主要技术指标:

最小分辨率：0.5um最大视场：15×19mm

掩膜版尺寸：5英寸晶片尺寸：3英寸光源波长：I线（365nm）缩影倍率：5：1

曝光工作台定位精度：100nm适用工艺：剥离工艺和湿法工艺本文档共60页；当前第39页；编辑于星期三\4点34分主要工艺－光刻3＂和4＂标准圆片的光刻胶涂覆及曝光后图形显影，满足特征尺寸CD≤0.35μm声表面波器件的光刻胶涂覆及曝光后图形显影工艺制作要求涂敷光刻胶均匀性和一致性：4＂片内为±2%，片与片之间达到±2%；GAMMA涂胶显影机本文档共60页；当前第40页；编辑于星期三\4点34分M2000涂胶显影机3“、4”标准圆片的光刻胶涂覆及曝光后图形显影，满足特征尺寸CD≥0.5μm声表面波器件的光刻胶涂覆及曝光后图形显影工艺制作要求；涂敷光刻胶均匀性和一致性：3＂片内为±2%，片与片之间达到±2%；显影均匀性和一致性：当以CD=0.5um作为测试线宽时，3＂片内为±6%，片与片之间达到±6%；涂胶产能达40片/小时，显影产能达40片/小时；主要工艺－光刻本文档共60页；当前第41页；编辑于星期三\4点34分半自动探针测试主要工艺－探针测试本文档共60页；当前第42页；编辑于星期三\4点34分2.后工序工艺流程点焊入库终测标记储能封帽筛选试验丝网涂胶划片光刻检验粘片前工序点焊检验初测预焊平行封帽编带本文档共60页；当前第43页；编辑于星期三\4点34分主要工艺－丝网涂胶（吸声胶）丝网涂胶本文档共60页；当前第44页；编辑于星期三\4点34分SAW滤波器凃胶的重要性本文档共60页；当前第45页；编辑于星期三\4点34分主要工艺－丝网涂胶吸声胶将吸声胶涂到器件两端，以消除反射回来的声波对器件性能的干扰本文档共60页；当前第46页；编辑于星期三\4点34分主要工艺－划片半自动砂轮划片机利用高速旋转的树脂刀片将晶圆分割成一个个小芯片。本文档共60页；当前第47页；编辑于星期三\4点34分主要工艺－划片本文档共60页；当前第48页；编辑于星期三\4点34分主要工艺－粘片（自动SMD）将芯片通过粘片胶粘贴固定到外壳底座上本文档共60页；当前第49页；编辑于星期三\4点34分主要工艺－粘片自动粘片本文档共60页；当前第50页；编辑于星期三\4点34分主要工艺－点焊（自动铝丝键合）降到第一焊点加超声能量键合上升到线弧高度本文档共60页；当前第51页；编辑于星期三\4点34分降