TCAD仿真（工艺器件）

TCAD仿真工具的使用——黄大海2021年9月8日5/28/20231主要内容工具简介工艺仿真主要内容NMOS工艺仿真器件仿真5/28/20232仿真工具：ESD领域现有三套仿真工具：Tsuprem4/MediciSILVACO〔Athena、Atlas〕ISETCAD〔Dios、Mdraw、Dessis〕工具简介5/28/20233仿真方式：工艺仿真器件仿真器件描述器件仿真Tsuprem4MediciAthenaAtlasDiosMdrawDessisMediciAtlasMdrawDessis工具简介5/28/20234输入输出：**.inp**.tl1TSUPREM4Medici格式**.outMEDICI**.out**.inATHENA**.strATLAS**.str**.log**_diod**.tl1DIOS**_dio.out******_mdr.bnd**_mdrd工具简介目录5/28/20235工艺仿真过程(以TSUPREM4为主干进行介绍)数据掩膜文件读入网格定义工艺步骤模拟结构操作保存输出工艺仿真5/28/20236数据掩膜文件：以下图是一个GGNMOS结构，各点横坐标已标在上面，文件ggnmos.tl1是其掩膜数据文件。〔MASKIN.FILE=ggnmos.TL1〕工艺仿真depositphotonegative+thick=1.25

depositphotopositive+thick=2.0

5/28/20237网格定义重要性：网格定义技巧：网格定义方法：网格定义：整个工艺文件在进行任何结构操作之前必须先定义网格，后面的所有计算都是在网格节点上进行的。离子注入区、PN结区域、外表区域划分细致网格。器件底部划分粗糙的网格。自动生成网格〔MESH〕手动添加网格线〔LINE〕。工艺仿真5/28/20238[DX.MAX=<n>][DX.MIN=<n>][DX.RATIO=<n>][LY.SURF=<n>][DY.SURF=<n>][LY.ACTIV=<n>][DY.ACTIV=<n>][LY.BOT=<n>][DY.BOT=<n>][DY.RATIO=<n>]MESH[GRID.FAC=<n>][FAST]ISE自动生成网格方式：自动生成网格：工艺仿真Grid(x(0,10.2),y(-4.0,0.0))5/28/20239手动添加网格LINEXLOC=0.0SPAC=0.15LINEXLOC=1.25SPAC=0.05LINEXLOC=1.5SPAC=0.1LINEYLOC=0SPAC=0.03LINEYLOC=0.5SPAC=0.1LINEYLOC=1SPAC=0.5工艺仿真5/28/202310工艺步骤模拟结构初始化外延生长〔TSUPREM4特有〕淀积光刻胶曝光〔TSUPREM4特有〕移除已曝光光刻胶〔TSUPREM4特有〕刻蚀离子注入热扩散工艺仿真5/28/202311结构初始化有两种形式：读入已有结构：

INITIALIZEIN.FILE=oldstr

2.建立新结构：

INIT<100>impurity=boroni.conc=1E15工艺仿真5/28/202312外延生长语句开头：Epitaxy温度定义：恒温：

TIME=<n>TEMPERAT=<n>

单段升温：

TEMPERAT=<n>T.RATE=<n>T.FINAL=<n>TEMPERAT=<n>TIME=<n>T.FINAL=<n>多段升温：分多句Epitaxy语句来写EPITAXYTIME=180TEMPERAT=1100

+ANTIMONY=1E19THICK=1.0SPACES=10工艺仿真5/28/202313掺杂定义：淀积厚度、垂直方向网格数目：工艺仿真外延生长EPITAXYTIME=180TEMPERAT=1100

+ANTIMONY=1E19THICK=1.0SPACES=10[ANTIMONY=<n>][ARSENIC=<n>][BORON=<n>][PHOSPHOR=<n>]IMPURITY=<c>I.CONC=<n>IMPURITY=<c>I.RESIST=<n>RESISTIVTHICKNES=<n>[SPACES=<n>]5/28/202314淀积语句开头：Deposit淀积材料定义掺杂定义淀积厚度、垂直方向网格数目工艺仿真DEPOSITPOLYTHICK=0.2PHOSPHOR=1E20SPACES=5

注：如果淀积光刻胶，要指明是正胶还是负胶depositphotonegativethick=1.25depositphotopositivethick=2.05/28/202315光刻胶曝光、移除已曝光光刻胶MASKIN.FILE=CMOS3.TL1DEPOSITPOLYTHICKNES=0.2DEPOSITPOSITIVEPHOTORESTHICKNES=1EXPOSEMASK=POLYDEVELOP

ETCHPOLYETCHPHOTOALL工艺仿真5/28/202316工艺仿真刻蚀〔TSUPREM4刻蚀模型〕四种刻蚀模型：TRAPEZOI，ISOTROPI，OLD.DRY，ALLTRAPEZOI是默认的模型。OLD.DRY模型已被TRAPEZOI所取代。ISOTROPI是各向同性刻蚀，刻掉THICKNESS范围内任意方向的材料〔如：侧墙上的氧化层也可以刻掉〕。ALL模型会刻蚀掉所有水平方向上所定义的材料〔不能刻掉垂直方向上的侧墙〕。5/28/202317刻蚀〔TSUPREM4三种刻蚀方式〕工艺仿真ETCHTRAPEZOI[THICKNES=<n>][ANGLE=<n>][UNDERCUT=<n>]ETCH{LEFT|RIGHT}[P1.X=<n>][P1.Y=<n>][P2.X=<n>][P2.Y=<n>]例：ETCHNITRIDELEFTP1.X=0.5P2.Y=0〔P1.Y缺省值为整个结构之上的某一个值，P2.X缺省值等于P1.X〕5/28/202318工艺仿真刻蚀〔TSUPREM4三种刻蚀方式〕ETCH{START|CONTINUE|DONE}X=<n>Y=<n>例17：ETCHOXIDESTARTX=0.0Y=0.0ETCHCONTINUEX=1.0Y=0.0ETCHCONTINUEX=1.0Y=1.0ETCHDONEX=0.0Y=1.0ISE的刻蚀方式不同：Etching〔mateial=OX，remove=0.021，over=20〕Etching〔mateial=OX，stop=sigas〕5/28/202319离子注入语句开头：implant注入杂质种类〔硼B、氟化硼BF2、磷P、砷As、锑Sb、铟In〕注入能量注入剂量硅片倾角旋转角度注入模型选择〔Table注入模型和MonteCarlo注入模型〕工艺仿真implantdose=4.0e12energy=2000imp=phosphorus

+tilt=0rotation=0impl.tab=phosphorus

5/28/202320Table离子注入模型AntimonyArsenic、dual.ars、tr.arsenicBf2、dual.bf2、ut.bf2、tr.bf2Boron、leboron、chboron、ut.boron、tr.boron、scr.boronPhosphorus、dual.pho、tr.phosphorustr.indium工艺仿真相同注入杂质的不同注入模型适用的注入剂量和能量的范围不同。5/28/202321热扩散模拟氧化、退火等高温下的工艺步骤。语句开头：Diffusion温度及时间定义气体气氛及各自所占百分比的定义DRYO2|WETO2|STEAM|N2O|INERT|([F.O2=<n>][F.H2O=<n>][F.N2O=<n>][F.H2=<n>][F.N2=<n>][F.HCL=<n>]〕工艺仿真DIFFUSIONTIME=30TEMP=800T.FINAL=1000INERT5/28/202322氧化及扩散模型的选择METHOD[{ERFC|ERF1|ERF2|ERFG|VERTICAL|COMPRESS|VISCOELA|VISCOUS}[{PD.FERMI|PD.TRANS|PD.FULL}]工艺仿真dy/dt=B/(A+2y)5/28/202323ERFC|ERF1|ERF2|ERFGERFC最简单、仿真速度最快,适用于掺杂对氧化速率的影响可忽略的情况，在结构外表平整或近似平整的条件下也可用于局部氧化。ERF1、ERF2是ERFG的子集。ERFG模型适用于在氮化物覆盖下的硅外表生长氧化层。氮化物层厚度与衬底外表氧化层厚度相比较，如果氮化物层厚度较小，那么选择ERF1模型；相反，那么选择ERF2模型。工艺仿真氧化及扩散模型的选择5/28/202324VERTICAL|COMPRESS|VISCOELA|VISCOUSVERTICAL模型适用于局部氧化及结构外表平整的氧化，不能用在沟道、多晶硅氧化。COMPRESS把粘性流动及结构外表晶向变化的因素考虑在内，但不考虑应力的影响。VISCOELA用了与COMPRESS相同的弹性系数，与VISCOUS模型相同的粘性系数与应力相关参数，能计算应力的粗略值。VISCOUS能够精确地计算应力，但仿真速度很慢。工艺仿真氧化及扩散模型的选择结构平整氧化步骤少对氧化层形状没有精确的要求。5/28/202325点缺陷模型PD.FERMI|PD.TRANS|PD.FULLPD.FERMI最快、最简单，既不考虑非平衡态点缺陷浓度〔以下简称A〕对杂质扩散〔以下简称B〕的影响，也不考虑杂质扩散〔B〕对点缺陷浓度分布(A)的影响；PD.TRANS在二维平面上对点缺陷的产生、扩散及再结合进行仿真，它考虑A对B的影响，不考虑B对A的影响。PD.FULL既考虑A对B的影响，也考虑B对A的影响。如果要考虑大注入效应或离子注入对晶格破坏的影响，就必须用PD.FULL模型。工艺仿真5/28/202326结构操作裁剪、镜像对称当前结构为当前结构添加电极工艺仿真5/28/202327裁剪、镜像对称当前结构STRUCTURE[TRUNCATE{({RIGHT|LEFT}X=<n>)|({BOTTOM|TOP}Y=<n>)}][REFLECT[{RIGHT|LEFT}]]例：STRUCTURETRUNCATERIGHTX=1.2REFLECT工艺仿真5/28/202328裁剪、镜像对称当前结构工艺仿真例：STRUCTURELEFT5/28/202329添加电极ELECTRODE[NAME=<c>][{(X=<n>[Y=<n>])|BOTTOM}]为MOS管添加电极的实例：ELECTRODEX=0.1NAME=SourceELECTRODX=1.2NAME=GateELECTRODX=2.3NAME=DrainELECTRODBOTTOMNAME=BulkSAVEFILEOUT.FILE=mos.mdc+MEDICIPOLY.ELEELEC.BOT工艺仿真5/28/202330保存及输出保存网格及结果信息读入网格及结果信息读取输出结果工艺仿真5/28/202331保存、读入SAVEFILEOUT.FILE=<c>(TIF[TIF.VERS=<c>])|(MEDICI[POLY.ELE][ELEC.BOT]])LOADFILEIN.FILE=<c>{([SCALE=<n>][FLIP.Y])|TIF}工艺仿真SAVEFILEOUT.FILE=PIOUTSTRMEDICI

LOADFILEIN.FILE=savestr5/28/202332输出结深打印及层次信息〔SELECT、PRINT.1D〕一维浓度分布图(SELECT、PLOT.1D)二维结构图(PLOT.2D、COLOR)网格图(PLOT.2D)绘制等浓度线(SELECT、PLOT.2D、FOREACH、CONTOUR)不同VBS下的阈值电压仿真〔ELECTRICAL、PLOT.1D〕结电容C-V特性〔ELECTRICAL、PLOT.1D〕低频或高频或深耗尽情况下MOS电容的C-V特性〔ELECTRICAL、PLOT.1D〕工艺仿真5/28/202333结深打印及层次信息结深打印：SELECTZ=DOPINGPRINT.1DSPOT=0打印层次信息：SELECTZ=DOPINGPRINT.1DLAYERS工艺仿真**PrintingalongX.VALUE=0:Valueis0at0.498930microns.NumMaterialTopBottomThicknessIntegral1oxide-0.00780.00450.01232.5782e+122silicon0.00450.49890.49441.9716e+153silicon0.4989200.0000199.5011-8.1086e+11335/28/202334一维浓度分布图工艺仿真SELECTZ=LOG10(BORON)TITLE="ActiveRegion“LABEL=LOG(CONCENTRATION)PLOT.1DBOTTOM=13TOP=21RIGHT=5LINE.TYP=5COLOR=2SELECTZ=LOG10(PHOSPHORUS)PLOT.1D^AXES^CLEARLINE.TYP=4COLOR=4SELECTZ=LOG10(ARSENIC)PLOT.1D^AXES^CLEARLINE.TYP=2COLOR=3SELECTZ=LOG10(ANTIMONY)PLOT.1D^AXES^CLEARLINE.TYP=3COLOR=3335/28/202335二维结构图PLOT.2DSCALEY.MAX=2.0COLORSILICONCOLOR=7COLOROXIDECOLOR=5COLORPOLYCOLOR=3COLORALUMCOLOR=2工艺仿真335/28/202336二维网格图PLOT.2DGRIDC.GRID=2Y.MAX=2.0工艺仿真335/28/202337等浓度线绘制SELECTZ=LOG10(BORON)TITLE=〞ContoursofBoronConcentration〞PLOT.2DSCALEY.MAX=1.2FOREACHX(15.516.517)CONTOURVAL=XCOLOR=2ENDCONTOURVAL=16LINE.TYP=2COLOR=2工艺仿真335/28/202338阈值电压ELECTRICX=0.0THRESHOLD+NMOSV="020.1〞+OUT.FILE=S4EX4DS1ELECTRICX=0.0THRESHOLD+NMOSV="030.05"VB=-2.5+OUT.FILE=S4EX4DS2PLOT.1DIN.FILE=S4EX4DS1COLOR=3LINE=2LABELLABEL="Vbs=0"X=1.9Y=9E-5RIGHTPLOT.1DIN.FILE=S4EX4DS2^CL^AXLABELLABEL="Vbs=-2.5"X=3.35Y=7.6E-5RIGHT+Y.LABEL="I(Drain)(Amps)“+X.LABEL="V(Gate)(Volts)"+TOP=1E-4BOT=0RIGHT=3.5COLOR=2工艺仿真335/28/202339结电容C-V特性ELECTRICX=2.0JCAPJUNCTION=1V="050.5"SELECTTITLE="S/DJunctionC〞PLOT.1DELECTRICCOLOR=2^CL^AX工艺仿真335/28/202340MOS电容C-V特性ELECTRICX=0.0MOSCAPNMOSV=〞-550.2〞OUT.F=S4EX4DS3ELECTRICX=0.0MOSCAPNMOSV=〞-550.2〞LOWOUT.F=S4EX4DS4ELECTRICX=0.0MOSCAPNMOSV=〞-550.2〞DEEPSELECTTITLE=〞MOSC-V〞LABELLABEL=〞Low〞X=3Y=8.3E-8LABELLABEL=〞High〞X=3Y=3.7E-8LABELLABEL=〞Deep〞X=3Y=0.7E-8PLOT.1DIN.FILE=S4EX4DS3COLOR=3LINE=2PLOT.1DIN.FILE=S4EX4DS4^CL^AXCOLOR=4LINE=3PLOT.1DELECTRICCOLOR=2^CL^AX工艺仿真目录5/28/202341形成步骤NMOS的工艺仿真5/28/202342掩膜板〔s4ex4m.tl1〕TL101001e3050004Field103900Poly100650Contact20195032505000Metal113005000NMOS的工艺仿真5/28/202343网格定义及结构初始化$DefinethegridMESHGRID.FAC=1.5$ReadthemaskdefinitionfileMASKIN.FILE=s4ex4m.tl1$InitializethestructureINITIALIZE<100>BORON=5E15NMOS的工艺仿真PLOT.2DSCALEGRIDC.GRID=2Y.MAX=2.05/28/202344场区刻蚀$InitialoxidationDIFFUSIONTIME=30TEMP=1000DRYHCL=5$NitridedepositionandfieldregionmaskDEPOSITNITRIDETHICKNESS=0.07SPACES=4DEPOSITPHOTORESISTPOSITIVETHICKNESS=1EXPOSEMASK=FieldDEVELOPETCHNITRIDETRAPETCHOXIDETRAPUNDERCUT=0.1ETCHSILICONTRAPTHICKNES=0.25UNDERCUT=0.1$BoronfieldimplantIMPLANTBORONDOSE=5E12ENERGY=50TILT=7ROTATION=30ETCHPHOTORESISTALLNMOS的工艺仿真5/28/202345NMOS的工艺仿真5/28/202346场氧化及阈值调整$FieldoxidationMETHODPD.TRANSCOMPRESSDIFFUSIONTIME=20TEMP=800T.FINAL=1000DIFFUSIONTIME=180TEMP=1000WETO2DIFFUSIONTIME=20TEMP=1000T.FINAL=800ETCHNITRIDEALL$UnmaskedenhancementimplantIMPLANTBORONDOSE=1E12ENERGY=40TILT=7+ROTATION=30NMOS的工艺仿真5/28/202347绘制网格图$PlottheinitialNMOSstructureSELECTZ=LOG10(BORON)+TITLE="LDDProcess-NMOSIsolationRegion"PLOT.2DSCALEGRIDC.GRID=2Y.MAX=2.0NMOS的工艺仿真5/28/202348绘制等浓度线$PlottheinitialNMOSstructureSELECTZ=LOG10(BORON)TITLE="LDDProcess-NMOSIsolationRegion"PLOT.2DSCALEGRIDC.GRID=2Y.MAX=2.0PLOT.2DSCALEY.MAX=2.0$ColorfilltheregionsCOLORSILICONCOLOR=7COLOROXIDECOLOR=5$PlotcontoursofboronFOREACHX(15TO20STEP0.5)CONTOURVALUE=XLINE=5+COLOR=(X-14)END$ReplotboundariesPLOT.2D^AX^CLNMOS的工艺仿真5/28/202349打印掺杂信息$PrintdopinginformationunderfieldoxideSELECTZ=DOPINGPRINT.1DX.VALUE=4.5X.MAX=3NMOS的工艺仿真5/28/202350栅的形成和LDD注入$DefinepolysilicongateDEPOSITPOLYSILICONTHICK=0.4SPACES=2DEPOSITPHOTORESISTTHICK=1.0EXPOSEMASK=PolyDEVELOPETCHPOLYSILICONTRAPTHICK=0.7ANGLE=79ETCHPHOTORESISTALL$OxidizethepolysilicongateDIFFUSIONTIME=30TEMP=1000DRYO2$LDDimplantata7-degreetiltIMPLANTARSENICDOSE=5E13ENERGY=50TILT=7.0+ROTATION=30IMPL.TAB=ARSENICNMOS的工艺仿真5/28/202351绘图$PlotstructureSELECTZ=LOG10(BORON)TITLE="LDDProcess-AfterLDDImplant"PLOT.2DSCALEY.MAX=2.0$AddcolorfillCOLORSILICONCOLOR=7COLOROXIDECOLOR=5COLORPOLYCOLOR=3$PlotcontoursFOREACHX(15TO18STEP0.5)CONTOURVALUE=XLINE=5COLOR=2ENDSELECTZ=LOG10(ARSENIC)FOREACHX(16TO20)CONTOURVALUE=XLINE=2COLOR=4END$ReplotboundariesPLOT.2D^AX^CLNMOS的工艺仿真5/28/202352侧墙及源/漏注入$DefinetheoxidesidewallspacerDEPOSITOXIDETHICK=0.4ETCHOXIDETHICK=0.45TRAP$HeavyS/Dimplantata7-degreetiltIMPLANTDOSE=1E15ENERGY=200ARSENIC+TILT=7.0ROTATION=30$AnnealtoactivatethearsenicDIFFUSIONTIME=15TEMP=950NMOS的工艺仿真5/28/202353接触孔和金属连线$DepositBPSGandcutsource/draincontactholesDEPOSITOXIDETHICKNES=0.7DEPOSITPHOTORESISTPOSITIVETHICKNESS=1.0EXPOSEMASK=ContactDEVELOPETCHOXIDETHICKNESS=1.0TRAPANGLE=75ETCHPHOTORESISTALL$DefinethemetallizationDEPOSITALUMINUMTHICKNESS=1.0DEPOSITPHOTORESISTPOSITIVETHICKNESS=1.0EXPOSEMASK=MetalDEVELOPETCHALUMINUMTRAPTHICKNESS=1.5ANGLE=75ETCHPHOTORESISTALLNMOS的工艺仿真5/28/202354绘图$PlotthehalfNMOSstructureSELECTZ=LOG10(BORON)TITLE="LDDProcess-HalfofNMOSStructure"PLOT.2DSCALEY.MAX=2.0GRIDC.GRID=2PLOT.2DSCALEY.MAX=2.0$ColorfillCOLORSILICONCOLOR=7COLOROXIDECOLOR=5COLORPOLYCOLOR=3COLORALUMCOLOR=2$PlotcontoursFOREACHX(15TO18STEP0.5)CONTOURVALUE=XLINE=5COLOR=2ENDSELECTZ=LOG10(ARSENIC)FOREACHX(15TO20)CONTOURVALUE=XLINE=2COLOR=4END$ReplotboundariesPLOT.2D^AX^CLNMOS的工艺仿真5/28/202355形成完整结构NMOS的工艺仿真$Reflectabouttheleftedgetoformthe+completestructureSTRUCTUREREFLECTLEFT5/28/202356阈值电压ELECTRICX=0.0THRESHOLD+NMOSV="020.1〞+OUT.FILE=S4EX4DS1ELECTRICX=0.0THRESHOLD+NMOSV="030.05"VB=-2.5+OUT.FILE=S4EX4DS2PLOT.1DIN.FILE=S4EX4DS1COLOR=3LINE=2LABELLABEL="Vbs=0"X=1.9Y=9E-5RIGHTPLOT.1DIN.FILE=S4EX4DS2^CL^AXLABELLABEL="Vbs=-2.5"X=3.35Y=7.6E-5RIGHT+Y.LABEL="I(Drain)(Amps)“+X.LABEL="V(Gate)(Volts)"+TOP=1E-4BOT=0RIGHT=3.5COLOR=2NMOS的工艺仿真5/28/202357结电容C-V特性ELECTRICX=2.0JCAPJUNCTION=1V="050.5"SELECTTITLE="S/DJunctionC〞PLOT.1DELECTRICCOLOR=2^CL^AXNMOS的工艺仿真5/28/202358MOS电容C-V特性ELECTRICX=0.0MOSCAPNMOSV=〞-550.2〞OUT.F=S4EX4DS3ELECTRICX=0.0MOSCAPNMOSV=〞-550.2〞LOWOUT.F=S4EX4DS4ELECTRICX=0.0MOSCAPNMOSV=〞-550.2〞DEEPSELECTTITLE=〞MOSC-V〞LABELLABEL=〞Low〞X=3Y=8.3E-8LABELLABEL=〞High〞X=3Y=3.7E-8LABELLABEL=〞Deep〞X=3Y=0.7E-8PLOT.1DIN.FILE=S4EX4DS3COLOR=3LINE=2PLOT.1DIN.FILE=S4EX4DS4^CL^AXCOLOR=4LINE=3PLOT.1DELECTRICCOLOR=2^CL^AXNMOS的工艺仿真5/28/202359TSUPREM4演示目录5/28/202360器件仿真之前的网格及边界条件优化MEDICI中用 regrid、region语句进行优化ATLAS中用MESH、region等语句进行优化DESSIS用专门的一个工具MRAW进行优化器件仿真5/28/202361器件仿真文件结构工艺仿真结果导入电极定义物理模型定义数学算法定义输出内容定义电压扫描〔电流扫描〕定义器件仿真5/28/202362DESSIS文件构成“File〞局部主要定义器件结构的输入文件和输出文件的名称；“Electrode〞局部定义器件的电极相关信息。“Physics〞局部定义器件过程中使用的物理模型。“Plot〞局部定义所有的计算变量，DESSIS能仿真的变量都将被存入plot文件。“Math〞局部定义DESSIS仿真时算法的设置，包括仿真器类型、仿真误差标准的设置。“Solve〞局部定义电压扫描，仿真电学特性。器件仿真5/28/202363FILEFile{Grid="n2_mdr.grd"Doping="n2_mdr.dat"Lifetime="n2_mdr.dat"Parameter="n2_mdr.par"Output="n3_des.log"Current="n3_des.plt"Plot="n3_des.dat"}器件仿真MEDICI中：MESHINFILE=**ATLAS中：MESHINFILE=**.str5/28/202364ELECTRODEElectrode{ {Name="anode"Voltage=0.0resistor=3e9} {Name="cathode"Voltage=0.0} {Name="sub"Voltage=0.0}}器件仿真MEDICI中各电极初始偏压和电压扫描一样，都用SOLVE语句进行定义。ATLAS中，需要先用CONTACT语句定义接触类型，然后用SOLVE语句定义初始偏压。5/28/202365THERMODETHERMODE{{Name=“Anode〞temperature=300}{Name=“Cathode〞temperature=300}{Name=“sub〞temperature=300}}器件仿真5/28/202366PhysicsPhysics{

EffectiveIntrinsicDensity(BandGapNarrowing(OldSlotboom))

Mobility(DopingdependenceHighFieldSaturationEnormalCarrierCarrierScattering)Recombination(SRH(DopingDependenceTempDependencetunneling)AugerAvalanche(Eparallel))IncompleteIonizationThermodynamic