可控硅和双向可控硅的特性介绍

可控硅的符号、性能和参数介绍公布者：凯高达资讯组录入时间：2023-7-13 阅读：382次【返回】一、可控硅符号与性能介绍可控硅符号：可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极A，阴极K和把握极G。可控硅在电路中能够实现沟通电的无触点把握，以小电流把握大电流，并且不象继电器那样把握时有火花产生，而且动作快、寿命长、牢靠性好。在调速、调光、调压、调温以及其他各种把握电路中都有它的身影。可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。单向可控硅有三个PN结，由最外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个把握极。单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但把握极不加电压时，它都不导通，而阳极和把握极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。一旦导通，把握电压便失去了对它的把握作用，不管有没有把握电压，也不管把握电压的极性如何，将始终处于导通状态。要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的挨次从左至右排列〔电极引脚向下，面对有字符的一面时〕。加在把握极G上的触发脉冲的大小或时间转变时，就能转变其导通电流的大小。与单向可控硅的区分是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性转变时，其导通方向就随着极性的变化而转变，从而能够把握沟通电负载。而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通，所以可控硅有单双向之分。电子制作中常用可控硅，单向的有MCR－100等，双向的有TLC336等。这是TLC336的样子：二、向强电冲击的先锋—可控硅可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层构造的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成沟通电的逆变，将一种频率的沟通电变成另一种频率的沟通电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作牢靠等优点。它的消灭，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相承受的元件。可控硅的构造和特性可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种。螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极——阳极〔A〕阴极〔C〕和把握极〔G〕。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层构造，共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在构造上迥然不同。可控硅的四层构造和把握极的引用，为其发挥“以小控大”的优异把握特性奠定了根底。在应用可控硅时，只要在把握极加上很小的电流或电压，就能把握很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？首先，我们可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中其次、第三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea，又在把握极G和阴极C之间〔相当BG1的基一射间〕输入一个正的触发信号，BG1将产生基极电流Ib1，经放大，BG1将有一个放大了β1倍的集电极电流IC1。由于BG1集电极与BG2基极相连，IC1又是BG2的基极电流Ib2。BG2又把比Ib2〔Ib1〕放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号参与把握极，可控硅马上导通。导通的时间主要打算于可控硅的性能。可控硅一经触发导通后，由于循环反响的缘由，流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流〔β1*β2*Ib1〕这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消逝，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。固然，假设Ea极性反接，BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，假设不加触发信号，而正向阳极电压大到超过确定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作状况了。可控硅这种通过触发信号〔小的触发电流〕来把握导通〔可控硅中通过大电流〕的可控特性，正是它区分于一般硅整流二极管的重要特征。可控硅的主要参数可控硅的主要参数有：额定通态平均电流IT在确定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。正向阻断峰值电压VPF在把握极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。把握极触发电流Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极——阴极间加有确定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小把握极电流和电压。维持电流IH在规