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文档简介

自动化专业英语教程教学课件July28,2007P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件

A功率半导体器件1.课文内容简介:主要介绍专业课《电力电子技术》中大功率二极管、晶闸管、双向可控硅、门极可关断晶闸管、电力金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管、金属氧化物半导体控制的晶闸管、集成门极换向晶闸管的电路符号、伏安控制特性、特点和适用场合等内容。2.温习《电力电子技术》中概述、第一章“晶闸管”等内容。3.生词与短语convertern.转换器,换流器,变流器matrixn.模型,矩阵dioden.二极管,半导体二极管thyristorn.晶闸管triacn.三端双向晶闸管P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件GTO门极可关断晶闸管BJT双极结型晶体管powerMOSFET电力MOS场效应晶体管SIT静态感应晶体管IGBT绝缘栅双极型晶体管MCTMOS控制晶闸管IGCT集成门极换向晶闸管rectificationn.整流feedbackn.反馈freewheelingn.单向传动snubbern.缓冲器,减震器intrinsicadj.固有的,体内的,本征forwardbiased正向偏置conductionn.导电,传导emittern.发射极P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件reversebiased反向偏置leakagecurrent漏电流thresholdn.门限,阈限,极限breakdownn.击穿,雪崩recoveryn.恢复schottkydiode肖基特二极管workhorsen.重载,重负荷thyratronn.闸流管breakovern.导通latchingcurrent闭锁电流holdingcurrent保持电流phasecontrolled相控的asymmetricadj.不对称的forcecommutated强制换向P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件SMPS开关电源BLDM无刷直流电动机steppermotor步进电动机hybridn.混合saturationn.饱和4.难句翻译[1]Powerdiodesprovideuncontrolledrectificationofpowerandareusedinapplicationssuchaselectroplating,anodizing,batterycharging,welding,powersupplies(DCandAC),andvariable-frequencydrives.电力二极管提供不可控的整流电源,这些电源有很广的应用,如:电镀、电极氧化、电池充电、焊接、交直流电源和变频驱动。P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件[2]Agateturn-offthyristor(GTO),asthenameindicates,isbasicallyathyristor-typedevicethatcanbeturnedonbyasmallpositivegatecurrentpulse,butinaddition,hasthecapabilityofbeingturnedoffbyanegativegatecurrentpulse.门极可关断晶闸管,顾名思义,是一种晶闸管类型的器件。同其他晶闸管一样,它可以由一个小的正门极电流脉冲触发,但除此之外,它还能被负门极电流脉冲关断。[3]Suchagatecurrentpulseofveryshortdurationandverylargedi/dthassmallenergycontentandcanbesuppliedbymultipleMOSFETsinparallelwithultra-lowleakageinductanceinthedrivecircuit.这样一个持续时间非常短、di/dt非常大、能量又较小的门极电流脉冲可以由多个并联的MOSFET来提供,并且驱动电路中的漏感要特别低。

P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件5.参考译文A功率半导体器件功率半导体器件构成了现代电力电子设备的核心。它们以通-断开关矩阵的方式被用于电力电子转换器中。开关式功率变换的效率更高。现今的功率半导体器件几乎都是用硅材料制造,可分类如下:二极管晶闸管或可控硅双向可控硅门极可关断晶闸管双极结型晶体管电力金属氧化物半导体场效应晶体管P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件静电感应晶体管绝缘栅双极型晶体管金属氧化物半导体控制的晶闸管集成门极换向晶闸管二极管电力二极管提供不可控的整流电源,这些电源有很广的应用,如:电镀、电极氧化、电池充电、焊接、交直流电源和变频驱动。它们也被用于变换器和缓冲器的回馈和惯性滑行功能。典型的功率二极管具有P-I-N结构,即它几乎是纯半导体层(本征层),位于P-N结的中部以阻断反向电压。P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件图1-4A-1二极管符号和伏安特性AnodeCathodeForwardconductiondropReverseleakagecurrentAvalanchebreakdown+IA-IA-VAP1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件图1-4A-1给出了二极管符号和它的伏安特性曲线。在正向偏置条件下,二极管可用一个结偏置压降和连续变化的电阻来表示,这样可画出一条斜率为正的伏安特性曲线。典型的正向导通压降为1.0伏。导通压降会引起导通损耗,必须用合适的吸热设备对二极管进行冷却来限制结温上升。在反向偏置条件下,由于少数载流子的存在,有很小的泄漏电流流过,泄漏电流随电压逐渐增加。如果反向电压超过了临界值,叫做击穿电压,二极管雪崩击穿,雪崩击穿指的是当反向电流变大时由于结功率损耗过大造成的热击穿。电力二极管分类如下:标准或慢速恢复二极管快速恢复二极管肖特基二极管P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件晶闸管闸流管或可控硅一直是工业上用于大功率变换和控制的传统设备。50年代后期,这种装置的投入使用开辟了现代固态电力电子技术。术语“晶闸管”来自与其相应的充气管等效装置,闸流管。通常,晶闸管是个系列产品的总称,包括可控硅、双向可控硅、门极可关断晶闸管、金属氧化物半导体控制的晶闸管、集成门极换向晶闸管。晶闸管可分成标准或慢速相控型,快速开关型,电压回馈逆变器型。逆变器型现已淘汰。图1-4A-2给出了晶闸管符号和它的伏安特性曲线。基本上,晶闸管是一个三结P-N-P-N器件,器件内P-N-P和N-P-N两个三极管按正反馈方式连接。P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件+IA-VACathodeAnodeLatchingcurrentHoldingcurrentForwardCondutiondropIG3>IG2>IG1IG3IG2IG1IG=0+VA-IAReverseLeakagecurrentAvalanchebreakdownForwardLeakagecurrentForwardBreakovervoltageGate图1-4A-2晶闸管符号和伏安特性P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件晶闸管可阻断正向和反向电压(对称阻断)。当阳极为正时,晶闸管可由一个短暂的正门极电流脉冲触发导通;但晶闸管一旦导通,门极即失去控制晶闸管关断的能力。晶闸管也可由阳极过电压、阳极电压的上升率(dv/dt)、结温的上升、PN结上的光照等产生误导通。在门电流IG=0时,如果将正向电压施加到晶闸管上,由于中间结的阻断会产生漏电流;如果电压超过临界极限(转折电压),晶闸管进入导通状态。随着门极控制电流IG

的增加,正向转折电压随之减少,最后,当门极控制电流IG=IG3时,整个正向阻断区消失,晶闸管的工作状态就和二极管一样了。在晶闸管的门极出现一个最小电流,即阻塞电流,晶闸管将成功导通。P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件在导通期间,如果门极电流是零并且阳极电流降到临界极限值以下,称作维持电流,晶闸管转换到正向阻断状态。相对反向电压而言,晶闸管末端的P-N结处于反向偏置状态。现在的晶闸管具有大电压(数千伏)、大电流(数千安)额定值。双向可控硅双向可控硅有复杂的复结结构,但从功能上讲,它是在同一芯片上一对反并联的相控晶闸管。图1-4A-3给出了双向可控硅的符号。在电源的正半周和负半周双向可控硅通过施加门极触发脉冲触发导通。在Ⅰ+工作方式,T2端为正,双向可控硅由正门极电流脉冲触发导通。在Ⅲ-工作方式,T1端为正,双向可控硅由负门极电流脉冲触发导通。P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件双向可控硅比一对反并联的晶闸管便宜和易于控制,但它的集成结构有一些缺点。由于少数载流子效应,双向可控硅的门极电流敏感性较差,关断时间较长。由于同样的原因,重复施加的dv/dt额定值较低,因此用于感性负载比较困难。双向可控硅电路必须有精心设计的RC缓冲器。双向可控硅用于电灯的亮度调节、加热控制、联合型电机驱动、50/60赫兹电源频率的固态继电器。GateT2T1图1-4A-3双向可控硅符号P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管,顾名思义,是一种晶闸管类型的器件。同其他晶闸管一样,它可以由一个小的正门极电流脉冲触发,但除此之外,它还能被负门极电流脉冲关断。GTO的关断能力来自由门极转移P-N-P集电极的电流,因此消除P-N-P/N-P-N的正反馈效应。GTO有非对称和对称电压阻断两种类型,分别用于电压回馈和电流回馈变换器。GTO的阻断电流增益定义为阳极电流与阻断所需的负门极电流之比,典型值为4或5,非常低。这意味着6000安培的GTO需要1,500安培的门极电流脉冲。P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件但是,脉冲化的门极电流和与其相关的能量非常小,用低压电力MOS场效应晶体管提供非常容易。GTO被用于电机驱动、静态无功补偿器和大容量AC/DC电源。大容量GTO的出现取代了强迫换流、电压回馈的可控硅换流器。图1-4A-4给出了GTO的符号。图1-4A-4GTO符号GateAnodeCathodeKGP1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件电力MOS场效应晶体管与以前讨论的器件不同,电力MOS场效应晶体管是一种单极、多数载流子、“零结”、电压控制器件。图1-4A-5给出了N型MOS场效应晶体管的符号。GateDrainDIntegralInversediodeSourceSVGSVDS图1-4A-5MOSFET符号P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件如果栅极电压为正并且超过它的门限值,N型沟道将被感应,允许在漏极和源极之间流过由多数载流子(电子)组成的电流。虽然栅极阻抗在稳态非常高,有效的栅—源极电容在导通和关断时会产生一个脉冲电流。MOS场效应晶体管有不对称电压阻断能力,如图所示内部集成一个通过所有的反向电流的二极管。二极管具有慢速恢复特性,在高频应用场合下通常被一个外部连接的快速恢复二极管旁路。虽然对较高的电压器件来说,MOS场效应晶体管处于导通时损耗较大,但它的导通和关断时间非常小,因而开关损耗小。它确实没有与双极性器件相关的少数载流子存储延迟问题。虽然在静态MOS场效应晶体管可由电压源来控制,通常的做法是在动态由电流源驱动而后跟随一个电压源来减少开关延迟。P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四单元课文A功率半导体器件MOS场效应晶体管在低压、小功率和高频(数十万赫兹)开关应用等领域得到极其广泛的应用。譬如开关式电源、无刷直流电机、步进电机驱动和固态直流继电器。绝缘栅双极型晶体管在20世纪80年代中期出现的绝缘栅双极型晶体管是功率半导体器件发展历史上的一个重要里程碑。它们在中等功率(数千瓦到数兆瓦)的电力电子设备上处处可见,被广泛用于直流/交流传动和电源系统。它们在数兆瓦功率级取代了双极结型晶体管,在数千瓦功率级正在取代门极可关断晶闸管。IGBT基本上是混合的MOS门控通断双极性晶体管,它综合了MOSFET和BJT的优点。它的结构基本上与MOSFET的结构相似,只是在MOSFET的N+漏极层上的集电极加了一个额外的P+层。P1挠U4飘A穴P浸ow宿er叠S侄em办ic爽on辛du牵ct栏or惠D砌ev雷ic卡es第一套部分醋第四换单元巴课文A功率土半导被体器锯件IGB封T有MO接SF令ET的高输怜入阻抗箩和像BJ租T的导树通特叔性。如果剪门极富电压奖相对混于发幕射极湿为正岩,P区的N型沟道宾受到感应。这优个P-N院-P晶体警管正触向偏游置的外基极—发射正极结祖使IG缺BT导通并荡引起N-区传导币性调制潮,这使认得导通笋压降大恳大低于MOS糊FET的导叫通压批降。游在导尚通条反件下狭,在IG嗓BT的等效他电路中,驱巧动器MOS妻FET运送大蛮部分的金端子电牙流。由李寄生N-P治-N晶体摄管引闷起的疲与晶锈闸管导相似葱的阻伍塞作蔑用通任过有缠效地亡减少P+层电浮阻系拆数和仪通过MOS贸FET将大部拣分电流般转移而勾得到预防。CEG图1-吼4A独-6穴IG骄BT符号P1U逼4A育Po府wer玻Se菌mic燃ond凤uct数or思Dev色ice辈s第一拉部分花第四夜单元捞课文A功率递半导粒体器缘瑞件IG鞋BT通过郊减小葛门极傻电压童到零爷或负识电压蕉来关里断,场这样帽就切断了P区的导丘通通道商。IGB挽T比BJ阿T或MO其SF访ET有更高圣的电流密度竭。IGB租T的输扬入电晚容(Cis叛s)比MO讽SF摆ET的要机小得衬多。还有,IGB讨T的门极—集电特极电目容与垄门极—发射极副电容之尚比更低,关给出腿了改芬善的晕密勒伏反馈郑效应茅。金属氧调化物半委导体控告制的晶姥闸管金属氧品化物半旅导体控冒制的晶搬闸管(MC精T),正锣像名正字所展说的那样顶,是一笨种类似做于晶闸坚管,通牵过触发绘进入导进通的混耍合器件,萌它可贸以通陪过在MO浆S门施谱加一骡个短决暂的壁电压责脉冲响来控舌制通断剑。MC传T具有微仿单元结拜构,在唤那里同信一个芯蛛片上数柳千个微器件款并联连弃接。单赢元结构冈有点复凯杂。P1U改4A着Po隔wer邻Se椅mic菊ond盐uct趣or许Dev搅ice驾s第一部穷分第四膝单元课绸文A功率半糕导体器酷件图1-珍4A远-7给出了MCT的符号部。它由朵一个相奇对于阳恭极的负电压记脉冲触扁发导通腰,由一时个相对凉于阳极下的正电纷压脉冲余控制关断符。MCT具有域类似舞晶闸锐管的P-颂N-击P-扭N结构,苗在那里P-探N-伴P和N-针P-马N两个眨晶体评管部厚件连饰接成苗正反慈馈方踪蝶式。篇但与基晶闸为管不同的怒是MCT只有掉单极煤(或蒸不对沉称)酱电压背阻断仿能力摔。如售果MC俯T的门极强电压相表对于阳贞极为负堵,在P型场效田应晶体地管中的P沟道受哗到感欧应,蹦使N-P躁-N晶体管忍正向偏量置。这座也使P-咽N-中P晶体正向贯偏置寒,由胳正反验馈效现应MC干T进入刃饱和漏状态袍。在惹导通惩情况下,压编降为1伏左右殊(类似犬于晶闸福管)。图1-4A-7MCT符号GCP1U莲4A爪Po携wer牌Se梨mic据ond宅uct莲or怨Dev尘ice佛s第一袭部分术第四融单元扰课文A功率半博导体器披件如果MC腹T的门极喘电压相胆对于阳妙极为正踪蝶,N型场辰效应锐晶体管饱仙和并将P-丙N-杰P晶体管帜的发射岭极-基极短熟路。这惭将打破净晶闸管工枝作的正寨反馈环刘,MCT关断。势关断完偷全是由施于再结缘瑞合效应因而MC树T的关断叹时间有酸点长。MCT有限定细的上升待速率,因此忧在MCT变换器壶中必须体加缓冲傻器电路激。最近丢,MC眨T已用于“靠软开炼关”挤变换找器中搜,在之那不而用限短定上所升速秃率。播尽管察电路舰结构复杂忽,MC昌T的电弹流却群比电冶力MO稿SF染ET、BJ厉T和IG佛BT的大,因妹此它需叙要有一五个较小见的死区摆。199厅2年在燥市场姐上可闷见到MCT,现在斯可买到摘中等功之率的MCT。MCT的发矮展前持景尚弓未可知辉。P1U赏4A胀Po挠wer渐Se贱mic浪ond晕uct虾or酸Dev个ice卡s第一部蛙分第四盾单元课磨文A功率半角导体器百件集成发门极驱换向迹晶闸慕管集成声门极价换向普晶闸格管是盼当前末电力捡半导批体家肉族的贼最新辅成员,遥由AB缴B在19险97年推宾出。讨图1-轨4A招-8给出解了IGC府T的符库号。基本上赢,IG运CT是一个篮具有单肠位关断粉电流增童益的高抗压、大岭功率、瓜硬驱抗动不混对称菌阻塞奶的GT辈O。这表坑示具有董可控3,切00肚0安培阳极电柏流的4,蓄50朴0蚂V金IG畜CT需要3,0逝00安培栏负的轧门极就关断朵电流。这捐样一个姥持续时领间非常源短、di/dt非常大束、能量蒙又较小丘的门极退电流侦脉冲其可以自由多晋个并外联的MOS侧FET来提怪供,业并且冬驱动电路中屑的漏感败要特别朗低。AG图1-4苗A-8摇I哈GCT符号P1U雕4A题Po朽wer屑Se刑mic抗ond芦uct墨or穿Dev阁ice狭s第一部御分第四快单元课择文A功率扒半导城体器荣件门驱动坟电路内爪置在IG摆CT模块内注。IG住CT内有一尤对单片脆集成的反今并联二艇极管。哗导通压惧降、导颠通时电委流上升服率di/dt、门驱动残器损顶耗、罩少数中载流斥子存耍储时休间、碧关断西时电肝压上液升率dv/dt均优蝴于GTO。IG樱CT更快速伶的通断白时间使俯它不用赢加缓冲猴器并具有比GT夏O更高龟的开录关频尘率。像多个IG球CT可以努串联恐或并腔联用于更大袋的功率蝴场合。IGC赌T已用于旋电力系办统连锁仪电力网文安装(10帝0兆伏百安)尊和中祝等功赔率(棚最大5兆瓦)撤工业驱叙动。P1U排4B荷Po软wer膀E化lec暗tro州nic区Co猾nve要rte南rs第一部惹分第四但单元课茫文B电力靠电子驴变换弱器B电力电惨子变换晒器1.课文内旗容简介葱:主要老介绍专搏业课《电力电举子技术》中整流晶器、逆便变器、伞斩波器津、周波碌变换器咽的作用胡、工作训原理、糊基本电同路结构贴等内容向。2.温习《电力窑电子洁技术》中整流恐电路、蛮逆变电沿路、斩晌波电路策、交-交变频扩电路等握内容。3.生词与导短语rec孩tif橡iern.整流补器ch闹op魄pe谜rn.斩波业器in盾ve哈rt齐ern.逆变似器cyc所loc梦onv络ert析ern.周波变咱换器ele遵ctr齐och帖emi舍caladj爆.电化妈学的VAR静态柜无功张功率ha侵rm枣on变ic故sn.谐波P1U竿4B现Po终wer满E垃lec录tro进nic夺Co母nve消rte然rs第一部爪分第四煎单元课暖文B电力铸电子提变换柱器lag赴gin闹gn.滞后,粗迟滞po或we享r馋fa搭ct锐or功率貌因数con拥fig龄ura痕tio悼nn.轮廓,慈格局vol不tag它e-f瓶ed帽inv破ert急er电压猎源型邀逆变畅器cu塘rr枝en边t-物fe背d伏in迁ve踏rt研er电流糠源型去逆变映器st熄if坦f缝vo副lt栽ag捉e疗so枪ur详ce恒压午源st篮if夹f况cu冶rr护en扶t斧so阀ur苗ce恒流源The哪ven恐inim惨pe巩da宣nc鸡e戴维南拥电路等塌效阻抗fi狗lt迟ern.滤波期器is绘ol宪at绿io缩慧n四tr国an明sf笔or聋me渡r隔离戏变压胳器buc境kc焰hop过per降压式按变压器bo惭os伞t企ch钢op浴pe凳r升压式障变压器qu露ad歪ra竟ntn.象限dut杀yr轨ati拆o占空比滤,功率搂比P1舌U4春B浇P治ow肉er茂El蜜ec摧tr豪on养ic层C爬on脑ve小rt义er路s第一荒部分支第四独单元东课文B电力芝电子只变换骄器4.难句翻云译[1悬]帮T跪he董e速ff砍ic材ie油nc口y闭of悟t殖he颈r役ec错ti锄fi谊er旷s勾is慕v财er室y兆hi肺gh构,拘ty初pi址ca悔ll抚y概in态t雾he牺v抚ic蓬in羽it宪y钳of天9刷8%危,荷be细ca继us卫e像de液vi鸣ce房诚c箱on沃du风ct等io询n耳lo丈ss防i续s戚lo符w龄an臂d反sw新it铃ch镜in雨g至lo跳ss铅i叠s袄pr杯ac反ti住ca贷ll条y联ne岸gl燃ig迁ib枪le丹.由于煤器件绵开通含时损蓄耗低旧,且掉其开施关损甘耗几闯乎可教忽略握不计立,故鹊该类毛整流犯器的叼效率记很高筹,典吹型值游约为98%。[2武]洞A朱va疲ri乏ab资le曾v寺ol横ta县ge贯s唤ou翻rc埋e符ca推n负be摆c朱on察ve肆rt估ed泊t映o介a氏va摊ri坏ab雁le垃c桶ur钳re剑nt乎s困ou截rc辉e改by斗c县on挽ne暴ct项io故n续a颗la币rg量e匹in守du贿ct粘an建ce塞i伤n盟se目ri狐es笛a与nd谣c喘on鲜tr奋ol侵li义ng票t焰he梯v脊ol良ta相ge缎w驱it毕hi需n截a谨fe咸ed垄ba赤ck价c捐ur俩re碎nt粥c尿on制tr杂ol杯l山oo茄p.通过串钻联大电矮感,可口变电压卸源可以礼在电流足反馈控奋制回路隙的控制学下转换奋为可变线电流源脊。P1螺U4愚B诵P麻ow役er炸El礼ec粱tr留on辛ic疮C渣on缓ve摧rt纪er志s第一补部分靠第四困单元兵课文B电力呆电子首变换树器5.参考努译文B电力电壁子变换颗器电力电荣子变换责器能将坐电力从如交流转此换为直准流(整构流器),斩直流转笔换为直铜流(斩牢波器)夺,直流柴转换为刮交流(崇逆变器),废同频率编交流转炸换为交活流(交戚流控制纹器),盘变频率慌交流转换为肺交流(狗周波变势换器)侨。它们君是四种岔类型的拣电力电落子变换器健。变射换器售被广疾泛用棕于加池热和今灯光暖控制州,交垦流和只直流低电源,电傍化学过故程,直旋流和交汇流电极永驱动,锁静态无诸功补偿遮,有源谐波宏滤波等降等。整流器整流器宫可将交狂流转换争成直流货。整流候器可由币二极管责、可控硅、GT提O、IGB肯T、IG孙CT等组成嫂。二极医管和相抓控整流科器是电力电子丽设备中弱份额最绍大的部业分,它睬们的主农要任务奇是与电播力系统连慈接。P1席U4办B蔬P粥ow恳er燥El础ec独tr踪蝶on彩ic两C暖on茅ve汗rt寇er慢s第一部倾分第四瓣单元课针文B电力域电子兰变换京器由于暂器件运开通瞧时损拳耗低按,且打其开园关损妨耗几伐乎可颜忽略议不计扬,故该类可整流腊器的炉效率剂很高吗,典亚型值孟约为98%。设但是很,它士们的避缺点是在冷电力系还统中产邻生谐波业,对其针他用户彼产生供秀电质量浓问题。此贴外,晶茄闸管变秤换器给类电力系冤统提供规了一个刻滞后的肿低功率因况数负跑载。二极管撇整流器乳是最简问单、可貌能也是截最重要必的电力场电子电路。摧因为卷功率辆只能竭从交淋流侧矛流向盼直流页侧,趣所以溜它们毯是整哪流器。符最重忽要的统电路抬配置遥包括纳单相锡二极兽管桥识和三钓相二鸽极管论桥。常用的压负载包退括电阻百性负载吨、电阻-电感性酿负载、吵电容-电阻性负载婆。图1-4妹B-1给出了旗带RC负载助的三帆相二捏极管道桥式恰整流器。P1U袖4B绞Po换wer杨E存lec肺tro低nic单Co焰nve赵rte农rs第一部胜分第四厨单元课司文B电力电别子变换粗器图1-4B-1带RC负载的三相桥式整流器uaubucLaVD1VD3VD5VD4VD6VD2UdCFRLbLcNIdP1纸U4湿B锄P啊ow响er于El岂ec丸tr精on敏ic烟C远on秘ve屈rt迷er涂s第一耕部分攻第四醉单元钱课文B电力票电子辈变换满器逆变器逆变器献是从一努侧接受鸣直流电首压,在盛另一侧毅将其转肚换成交秃流电压允的装步置。到根据拉应用拣情况防,交为流电乡丰压和男频率灶可以坚是可勿变的构或常数。荷逆变器叮可分成仇电压源右型和电大流源型活两种。左电压源芝型逆变器在兴输入糟侧应取有一席个刚女性的痒电压坟源,绵即,喷电源嫂的戴爬维南霞电路挺等效阻菌抗应蠢该为申零。沾如果岂电源痰不是慌刚性基的,填再输击入侧绝可接三一个颗大电容托。直喇流电肾压可部以是墙固定债的或虾可变种的,饮可从核电网梳或交至流发耐电机通过咐一个整裂流器和盐滤波器句得到。捧电流注林入或电师流源型闯逆变器,像库名字所触表示的瘦那样,氏在输入护侧有一吃个刚性吃的直流劝电流源,与心电压源凝型逆变贼器需要娘一个刚冲性的电四压源相芳对应。啄通过串联大很电感怠,可嚷变电你压源尾可以台在电府流反罢馈控剃制回桃路的皮控制票下转膨换为可刻变电董流源穿。这枪两种坝逆变捏器都陶有着随广泛哭的应篇用。虑它们茧使用厌的半导贞体器油件可坟以是IG米BT、电治力MOS厘FET和IGC厦T等等。图1-赞4B拆-2给出垂了一愈种三她相桥咐式电蚁压源蔬型逆瘦变器爱的常乎见电路。P1谷U4凑B屈P代ow图er腰El册ec丝式tr头on常ic淘C而on尿ve袄rt朵er报s第一部怠分第四点单元课燃文B电力兰电子辩变换庄器AC图1-4B-2带电感负载的三相桥式电压型逆变器LoadcanbCUdLrIaIdP1乖U4武B乘P员ow抗er坦El蠢ec魂tr闸on宅ic杨C棉on抹ve甜rt铁er贞s第一浆部分另第四燃单元徐课文B电力尼电子窄变换搏器斩波器斩波器变将直流材电源转宰换成另浇一个具堤有不同功终端参烧数的直流电党源。常它们士被广储泛用首于开阴关式责电源时和直酿流电宽机启汤动。肉其中一些斩院波器,磨尤其是足电源中谈的斩波知器,有玩一个隔摘离变压旧器。斩波器嫁经常在芹不同电鹊压的直临流系统随中用作乐连接器薯。降压和速升压斩丧波器是勉两种基垃本的斩钟波器结企构。分庸别称作Buc思k斩波总器和Boo魔st斩波器隐。但是跟,要清便楚降压惜斩波器升也是升流斩蛙波器,微反之亦斩然,因喊为输入涛功率一柴定等于抢输出功妹率。降-升压部斩波雾器既徐可降称压也蹈可升胜压。香所有躲这些傅斩波思器在旺电路靠结构上励可有槽一、低二、填四象易限的上变化赏。图1-峰4B仅-3给出任了降残压斩懂波器伶的电解路结碎构,执它是统一种睛电压降、据电流瞧升斩膏波器话。双伟位开悼关由宅电路概开关S和二极通管组成瓦。开关S以1/Ts的频率帝通断,备导通时务间为τ。电龄压波

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