三极管的三种连接方式

三极管的三种连接方式一、三极管的三种连接方式三极管在电路中的连接方式有三种：①共基极接法；②共发射极接法，③共集电极接法。如图Z0115所示。共什么极是指电路的输入端及输出端以这个极作为公共端。必须注意，无论那种接法，为了使三极管具有正常的电流放大作用，都必须外加大小和极性适当的电压。即必须给发射结加正向偏置电压，发射区才能起到向基区注入载流子的作用；必须给集电结加反向偏置电压（一般几～几十伏），在集电结才能形成较强的电场，才能把发射区注入基区，并扩散到集电结边缘的载流子拉入集电区，使集电区起到收集载流子的作用。二、三极管内部载流子的运动规律在发射结正偏、集电结反偏的条件下，三极管内部载流子的运动，可分为3个过程，下面以NPN型三极管为例来讨论（共射极接法）。1．发射区向基区注入载流子的过程由于发射结外加正向电压，发射区的电子载流子源源不断地注入基区，基区的多数载流子空穴，也要注入发射区。如图Z0116所示，二者共同形成发射极电流IE。但是，由于基区掺杂浓度比发射区小2～3个数量级，注入发射区的空穴流与注入基区的电子流相比，可略去。2.载流子在基区中扩散与复合的过程由发射区注入基区的电子载流子，其浓度从发射结边缘到集电结边缘是逐渐递减的，即形成了一定的浓度梯度，因而，电子便不断地向集电结方向扩散。由于基区宽度制作得很小，且掺杂浓度也很低，从而大大地减小了复合的机会，使注入基区的95%以上的电子载流子都能到达集电结。故基区中是以扩散电流为主的，且扩散与复合的比例决定了三极管的电流放大能力。3.集电区收集载流子的过程集电结外加较大的反向电压，使结内电场很强，基区中扩散到集电结边缘的电子，受强电场的作用，迅速漂移越过集电结而进入集电区，形成集电极电流Inc。另一方面，集电结两边的少数载流子，也要经过集电结漂移，在c，b之间形成所谓反向饱和电流ICBO，不过，ICBO一般很小，因而集电极电流GS0105          INC+ICBO≈INC同时基极电流GS0106   IB=IPB+IE-ICBO≈IPB-ICBO反向饱和电流ICBO与发射区无关，对放大作用无贡献，但它是温度的函数，是管子工作不稳定的主要因素。制造时，总是尽量设法减小它。三、三极管的电流分配关系与放大作用1.电流分配关系由图Z0116可知，三极管三个电极上的电流组成如下：发射极电流IEGS0107       IE=INE+IPE≈INE基极电流IBIB=IPB+IPE-ICBO≈IPB-ICBO集电极电流ICIC=INC+ICBO≈INC同时由图Z0116也可看出GS0108        INE=INC+IPB由以上诸式可得到GS0109         IE=IC+IB它表明，发射极电流IE按一定比例分配为集电极电流Ic和基极电流IB两个部分，因而晶体三极管实质上是一个电流分配器件。对于不同的晶体管，尽管IC与IB的比例是不同的，但上式总是成立的，所以它是三极管各极电流之间的基本关系式。由图Z0116也可以看出，INC代表由发射区注入基区进而扩散到集电区的电子流，IPB代表从发射区注入基区被复合后形成的电流。对于一个特定的三极管，这二者的比例关系是确定的，通常将这个比值称为共发射极直流电流放大系数。用β表示，即如果忽略ICBO，则该式说明IB对IC有控制作用。变换一下式GS0110，可写成令

则上式可写成:此式表明，集电极电流由两部分组成：一部分是，它表示IC与IB的比例关系，另一部分是称为穿透电流其意义将在三极管参数中介绍。综合共射极三极管的电流分配关系，可写为三极管的电流分配关系还可以用由发射区传输到集电区的电子流INC与发射极总发射的电子流IE之间的比例关系来表示。将这二者的比值称为共基极直流电流放大系数，用表示即:由于IC=INC＋IICBO，