天岳先进招股书分析

一张图看懂天岳先进2021年12月21日CONTENTS目录1.

行业介绍：第三代半导体2.

公司及募投项目概况3.

风险因素行业介绍：第三代半导体2oPsMsPpMpNxPpRnOsPqOyQ7NcMbRtRpPmOpOkPrQoMjMsQqR9PmNrOwMmMrPMYmRmQ第三代半导体材料

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碳化硅（SiC）第三代碳化硅、氮化镓半导体第二代砷化镓半导体第一代硅基半导体SiC与Si衬底器件功耗对比SiC与Si衬底器件效率对比3碳化硅工艺流程碳化硅粉末碳化硅衬底碳化硅器件4碳化硅器件功率范围SiC/GaN半导体功率器件适用范围及应用对比5碳化硅器件应用领域碳化硅由于其优异的物理性能，主要应用于中高压电场景低压电GaN器件中压电GaN/SiC器件高压电SiC器件个人电脑家用电器电动汽车数据中心航运电力电网可穿戴设备音频放大器光伏逆变器电机控制风力发电轨道交通<250V600V

900V1.2kV3.3kV>6.5kV电压6碳化硅产业链碳化硅上游衬底及器件生产国外龙头维持领先，国产厂商逐步入局衬底外延器件应用新能源汽车、家电、工业等导电型碳化硅外延功率器件碳化硅衬底交通航运风力、太阳能5G通信、国防等半绝缘型氮化镓外延射频器件天科合达7碳化硅衬底市场规模碳化硅衬底按导电性分为导电和半绝缘型，按主流尺寸分为4英寸和6英寸SiC导电型衬底全球市场规模

(万片)SiC半绝缘型衬底全球市场规模

(万片)504030201002520151054英寸导电型6英寸导电型4英寸半绝缘6英寸半绝缘402020101010584352210.50.52030E0201720202025E2030E201720202025ESiC衬底全球市场规模预测

(亿元)120100806040200105.156.833.111.88碳化硅器件市场规模半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件，导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。Yole预计2025年氮化镓射频器件全球市场规模可达20亿美元，2019至2025年GAGR为18%；2025年碳化硅功率器件全球市场规模可达25.62亿美元，2019年至2025年CAGR为30%。GaN射频器件全球市场规模

(亿美元)SiC功率器件全球市场规模

(亿美元)2520151053025201510525.6220CAGR=18%CAGR=30%7.45.410020192025E20192025E9主流射频器件对比及市场份额射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。半绝缘型碳化硅衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。根据Yole预测，至2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。不同类型射频器件的应用对比不同类型射频器件(3W以上)市场份额10碳化硅市场格局公司主营业务收入主要来自于半绝缘型衬底收入。目前，具备半绝缘型碳化硅衬底生产能力的国外同行业公司主要有CREE公司及II-VI公司。2020年，天岳先进以30%的市场占有率排名全球第三、国内第一。下游碳化硅器件市场，意法半导体占据最大市场份额，达40%，其次为CREE和罗姆，分别占据15%和14%的市场份额。2020年半绝缘型SiC衬底市场格局2020年SiC器件全球市场格局CREEII-VI天岳先进其他CREE意法罗姆

英飞凌

安森美

三菱电机

其他3%6%4%8%33%30%40%13%14%35%15%11•公司及募投项目概况12公司发展历程天岳先进，全称山东天岳先进科技股份有限公司(SICC

CO.,

LTD.)，有限公司成立于2010年11月，并于2020年11月整体变更为股份公司。注册资本38,674万元，于2021年5月31日在科创板申请上市。公司专注于第三代半导体碳化硅衬底的研发、生产和销售，实际控制人为董事长宗艳民。CEMIA出具鉴定证明公司4英寸半绝缘型碳化硅衬底达到国内领先、国际先进水平获得国家科学技术进步一等奖公司经股东大会审议变更股份公司成立有限公司2014.012017.0120192010.1120152019.012020.11获得山东省科技发明一等奖承担国家核高基重大专项（01专项）项目中标国家电网的采购计划13公司股权结构截至2021年5月，公司控股股东为宗艳民，现任董事长为宗艳民，持股比例为33.43%。第二大股东为济南国材，持股10%。宗艳民担任执行事务合伙人的员工持股平台上海麦明和上海铸傲合计持有公司9.32%的股份，因此宗艳民合计控制公司42.75%的表决权，为公司的实际控制人，具有直接影响公司重大经营决策的能力。14公司主要产品

公司主要产品：碳化硅衬底、不合格衬底和晶棒。产品类别产品图示下游产品和应用领域通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT

等功率器件，应用在新能源汽车，轨道交通以及大功率输电变电等领域。导电型碳化硅衬底(4英寸/6英寸)通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成HEMT等微波射频器件，应用于信息通讯、无线电探测等领域。半绝缘型不合格衬底不合格衬底可用于设备研发测试或科研等用途。非半导体级的半绝缘型碳化硅晶棒可作为宝石晶棒用于加工制成莫桑钻等珠宝首饰进入消费品市场，或用于设备研发与测试等领域。无法达到半导体级要求的晶棒15公司业务发展历程

公司成立之初，曾探索过蓝宝石衬底领域。自2011年以来，公司开始专注于碳化硅衬底的研发及生产和销售，自此主营业务未再发生变化。公司业务发展历程如下16产品工艺流程公司核心产品为4英寸半绝缘型碳化硅衬底公司以高纯碳粉、高纯硅粉为原料合成碳化硅粉，在特殊温场下，采用成熟的物理气相传输法（PVT法）生长不同尺寸的碳化硅晶锭，经过多道加工工序产出碳化硅衬底。目前，公司6英寸半绝缘型和6英寸导电型衬底已形成小批量销售。公司产品工艺流程图原料合成晶体生长高纯碳粉/硅粉碳化硅粉碳化硅晶锭晶锭加工晶片研磨、抛光、清洗晶棒切割碳化硅衬底碳化硅晶片碳化硅晶棒17公司核心技术核心技术：均为自主研发取得，覆盖衬底生产全流程，并为主营业务核心贡献力量公司营业收入（万元）及主营业务占比项目2021H1202020192018核心技术名称成熟度主营业务收入

19253.98

34919.17

18635.938502.15碳化硅单晶生长设备、热场设计制造技术高纯碳化硅粉料制备技术自研/成熟自研/成熟自研/成熟自研/成熟自研/成熟自研/成熟自研/成熟营业收入24721.58

42481.19

26855.84

13613.40主营业务收入占总收入比例77.88%82.20%69.39%62.45%精准杂质控制技术及电学性能控制技术碳化硅单晶生长过程中的缺陷控制技术高面型质量的碳化硅晶棒多块切割技术高平整度、低粗糙度的全局磨抛技术碳化硅衬底表面洗净技术研发费用（万元）及占营业收入比例项目2021H1202020192018研发费用营业收入4167.314550.091873.071231.3824721.58

42481.19

26855.84

13613.40研发费用占营业收入比例16.86%10.71%6.97%9.05%18公司研发情况公司持续保持在国内行业领先技术地位。公司历年来承担了国家核高基重大专项（01专项）项目、国家新一代宽带无线移动通信网重大专项（03专项）项目、国家新材料专项、国家高技术研究发展计划（863计划）项目、国家重大科技成果转化专项等多项国家和省部级项目，走在国内碳化硅衬底领域前列。国家专项国家863计划山东省科技创新工程公司核心产品商业应用6英寸碳化硅衬底制备及同质外延技术研究已验收低成本碳化硅半导体器件与模组关键技术4英寸半绝缘型碳化硅衬底国际先进4英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底材料研究与产业化已验收已验收“01专项”客户验证6英寸半绝缘型、导电型碳化硅晶片6英寸N型4H-SiC单晶衬底材料工程化研究与产业化已验收“01专项”宽禁带碳化硅单晶智能化生长装备研发及产业化待验收研发8英寸导电型面向5G通信的GaN碳化硅晶片器件关键技术及系统国内领先应用在研“重点专项”19公司财务情况营业收入（百万元）营业收入424.81450400350300250200268.56247.22136.131501005002018201920202021H147.91归母净利润（百万元）归母净利润1000-100-200-300-400-500-600-700-42.14-200.68-641.612020201820192021H120公司财务情况各业务毛利率主营业务其他业务综合70%60%50%40%30%20%10%0%62.77%54.05%25.57%40.11%40.01%39.98%36.86%37.68%26.62%35.28%34.94%8.45%2018201920202021H1期间费率情况销售费用率管理费用率研发费用率164.56%财务费用率200%150%100%96.94%17.12%10.60%-1.29%6.97%0.76%38.90%16.98%2.96%50%10.71%0.77%1.95%9.05%1.50%16.86%0%2018201920202021H1-50%21公司主营业务情况营业收入构成2018201920202021H1金额金额

同比（%）金额

同比（%）金额

同比（%）销售收入（百万元）77.897998182.6817714134.53121.48346.753767089.81191.932449140.5574.21-14.8675.00-半绝缘型碳化硅衬底销量（片）平均售价（元/片）销售收入（百万元）销量（片）112.669739.38

10313.085.89

9204.94-10.74

7836.647.1333993.681778-48.40-47.692.44-33.57-32.73-1.240.61导电型碳化硅衬底1196-平均售价（元/片）销售收入（百万元）销售收入（百万元）销售收入（百万元）2097.0043.423.562068.6274.196.03-1.35

2042.98-50.364.31--晶棒70.8869.41-52.2964.3110.420.89-13.3272.77-55.05104.21-14.76-不合格衬底其他4.131.97各业务营业收入占比半绝缘型衬底导电型衬底晶棒不合格衬底0.21%其他0.73%100%3.03%2.25%27.63%1.37%2.45%1.75%2.62%15.14%0.58%20.37%0.25%80%60%40%20%0%31.90%5.23%81.62%202077.63%2021H168.02%201957.22%201822公司产能、产量、销量情况按公司产品类型划分产能、产量情况：公司核心产品碳化硅衬底可以分为半绝缘型和导电型，两者的产能、产量和销量合计列出。其他产品实际上是生产碳化硅衬底的过程中的不合格品，无法统计具体产能，只列出销量。碳化硅衬底产能利用率、产销率基地建设与扩产计划项目20181157111463201919983201592020

2021H1碳化硅半导体材料项目拟投资25亿元，主要建设内容为购置土地、新厂房建设和国内外先进生产设备的引入，以提升产品质量、提高技术水平，并扩大碳化硅单晶衬底的生产能力，满足公司产品日益增长的市场需求。产能（片）产量（片）48064475382830128114产能利用率

99.07%

100.88%98.91%3886699.34%25893销量（片）产销率1139719492本项目将巩固公司在宽禁带半导体材料产品应用领域的竞争优势与市场领先地位，预计将为公司业绩持续增长提供保障。99.42%96.69%81.76%92.10%其他产品销量项目2018