南昌大学论文格式样板

附件7：南昌大学本科生毕业设计（论文）书写式样一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,页眉1.5cm,页脚1.75cm，行间距1.35倍。二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开始，页眉为相应内容的标题，页码从中文摘要、Abstract、目录用罗马数字(I，II，III……)编排，从正文第一章开始按照阿拉伯数字（1，2，3……）编排。四、摘要中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师”五号宋体，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋体加粗，英文摘要：标题小二号TimesNewRoman体加粗，“Abstract”四号TimesNewRoman体；“Abstract”内容小四号TimesNewRoman体，“Keyword”小四号TimesNewRoman体加粗。五、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体。六、图表：图表内容五号宋体。七、参考文献：“参考文献”四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号TimesNewRoman体。八、致谢：“致谢”两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。具体书写式样如下：

密级：校名标识（cm）1.88×6.59，居中校名标识（cm）1.88×6.59，居中校名外文（大写）TimesNewRoman，四号，居中NANCHANGTimesNewRoman，四号，居中宋体，30磅，居中学TimesNewRoman，四号，居中宋体，30磅，居中THESISOFBACHELOR中文：宋体；数字：TimesNewRoman四号，居中（20中文：宋体；数字：TimesNewRoman四号，居中宋体，四号，居右页面设置：上2.54cm,下宋体，四号，居右页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，页眉1.5cm,页脚1.75cm,1.35倍行距，应用于整篇文档校徽标识（cm）3.33×3.33，居中宋体，三号，居中宋体，三号，居中题目宋体，四号，居中宋体，四号，居中注意线条长度一致学院：系专业班级：学生姓名：学号：指导教师：职称：起讫日期：Abstract页眉：外文TimesNewRoman页眉：外文TimesNewRoman，五号，居中TimesNewRoman，小二号，居中nitridesandhighbrightnessblueLEDwafersAbstract标题：TimesNewRoman，四号，两端对齐，1.35倍行距内容：TimesNewRoman标题：TimesNewRoman，四号，两端对齐，1.35倍行距内容：TimesNewRoman，小四，两端对齐，1.35倍行距关键词：“Keyword”三字加粗，关键词用“；”分隔MorethantencompaniesinAmericaandJapanreportedtohavedevelopedthenitridesgrowthtechnologysinceNichiacompanyinJapanfirstrealizedthecommercializationofGaNbasedblueLEDin1994.Inthisthesis,GaNanditsternaryweregrownbyahome-madeatmospherepressuremetalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD)andThomasSwan6×2”MOCVDsystems.HighbrightblueLEDwaferswereobtainedbyoptimizingthenitridesgrowthtechnologyandwaferstructure.Someencouragingresultsarefollowingas:1.Wepresenttheideaofusingabufferlayerofdeviationfromstoichiometryformaterialsgrowthonlargelatticemismatchsubstrates.Thisideawasrealizedinnitridesgrowthinthisthesis.TheepilayercrystallinequalitywasimprovedandthedislocationdensitywasdecreasedbyusingGaNlowandhightemperaturebufferlayersofdeviationfromstoichiometry.TheRBS/channelingspectraexhibitedthattheminimumyieldχminofGaNlayerswasjustonly1.5%.TheleakelectriccurrentofGaNbasedLEDwasobviouslydecreasedandlowerthan1μAat5voltreversevoltagebyusingthisnewbuffertechnology.…………Thisworkwassupportedby863programinChina.Keyword:Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Opticalabsorption目录宋体，小三号，居中目录宋体，小三号，居中摘要 ⅠAbstract Ⅱ第一章GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”） 11.1III族氮化物材料及其器件的进展与应用 11.2III族氮化物的基本结构和性质 41.3掺杂和杂质特性 121.4氮化物材料的制备 131.5氮化物器件 191.6GaN基材料与其它材料的比较 221.7本论文工作的内容与安排 24第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 312.1MOCVD材料生长机理 312.2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备 32…………目录内容：中文宋体，英文和数字TimesNewRoman，小四页码编号：目录内容：中文宋体，英文和数字TimesNewRoman，小四页码编号：摘要,Abstract使用页码“I,II,…”；正文开始使用页码“1,2,3,…”；小节标题左侧缩进1字符；页码数字居中对齐参考文献（References） 138致谢 150第一章GaN基半导体材料及器件进展节标题：中文宋体，英文节标题：中文宋体，英文TimesNewRoman，四号居左章标题：中文宋体，英文TimesNewRoman，四号居中1.1III族氮化物材料及其器件的进展与应用正文文字：中文宋体，英文TimesNewRoman，小四，正文文字：中文宋体，英文TimesNewRoman，小四，两端对齐，段落首行左缩进2个汉字符，行距1.35倍（段落中有数学公式时，可根据表达需要设置该段的行距），段前0行，段后0行。…………表标题置于表的上方，中文宋体，英文TimesNewRoman表标题置于表的上方，中文宋体，英文TimesNewRoman，五号加粗居中，表序与表名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文TimesNewRoman，五号，行距1.35。…………表1-1用不同技术得到的带隙温度系数、Eg0、c和T0的值样品类型实验方法带隙温度系数dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)c(eV/K)T0(K)参考文献GaN/Al2O3光致发光-5.3210-43.5035.0810-4-99661GaN/Al2O3光致发光3.4897.3210-470059GaN/Al2O3光致发光-4.010-4-7.210-460062GaN/Al2O3光吸收-4.510-4~3.471-9.310-477263……图标题置于图的下方，中文宋体，图标题置于图的下方，中文宋体，英文TimesNewRoman，五号加粗居中，图序与图名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文TimesNewRoman，五号，行距1.35。加热电阻―――□―――■■―――□――→气流测温元件测温元件图1-1热风速计原理…………第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺2.1MOCVD材料生长机理…………转换控制频率信号源频率控制器地址发生器波形存储器Ｄ／Ａ转换器滤波器频率设置波形数据设置图2-1DDS方式AWG的工作流程…………参考文献-151-标题：标题：中文宋体，四号，居中[1]Well．Multiple-modulatorfraction-ndivider[P]．USPatent，5038117．1986-02-02参考文献内容：中文宋体，英文参考文献内容：中文宋体，英文TimesNewRoman，四号，1.35倍行距，参考文献应在文中相应地方按出现顺序标引。[3]万心平，张厥盛．集成锁相环路——原理、特性、应用[M]．北京：人民邮电出版社，1990．302-307．[4]Miler．Frequencysynthesizers[P]．USPatent，4609881．1991-08-06．[5]CandyJC．Auseofdouble-integretioninsigma-deltamodulation[J]．IEEETransCommun，1985，33(COM)：249-258．[6]丁孝永．调制式小数分频锁相研究[D]．北京：航天部第二研究院，1997．常见参考文献格式：①常见参考文献格式：①科技书籍和专著：编著者．译者．书名[M]（文集用[C]）．版本．出版地：出版者，出版年．页码．②科技论文：作者．篇名[J]．刊名，出版年，卷号（期号）：页码．