《模拟电子技术》胡宴如主编-耿苏燕版-(第四版)习题解答-第2章

解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为0.7V，对锗管则为0.2V。 时，U值必介于U和U之间，故-3.2V对应的管脚○3为基极，BCEU=-3.2V，○2脚电位与○3脚基极电位差为-0.2V，所以○2脚为发射极，则○1脚为集电极，该B算其β值。BCEi1.96mAC==49B(b)①、②、③脚分别为基极、集电极和发射极。由电流流向知是PNP管i1mAC==100i0.01mAB2.3图P2.3所示电路中，三极管均为硅管，β=100，试判断各三极管的工作状态，并BCCE设三极管工作在放大状态，则CBUCE=16V－10mA×1kΩ=6VCECEBCCE(b)I=(50.7)V=0.077mAB56k设三极管工作在放大状态，则得CB则E说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为VU5V-0.3VI=I=CCCES==1.57mACCSR3kC因此三极管的I=0.077mA，I=1.57mA，U=U≈0.3VBCCECES(c)发射结零偏置，故三极管截止，I=0，I=0，U=5V。BCCEBEQBCCE解：(1)在输出回路中作直流负载线CCECEC(2)估算I，得出直流工作点BQV当V当R=300kΩ，可得I=CCBBQ1RB==80μABBQ2BBQ2RB由图解P2.4可见，I=I=40μA和I=I=80μA所对应的输出特性曲线，与直流负载BBQ1BBQ212(3)求I、UCCE由图解P2.4中Q点分别向横轴和纵轴作垂线，即可得：U=6V，I=2mA1CEQ1CQ12CEQ2CQ2BCCEIB=(3-0.7)V/100KΩ=0.023mAIC=100×0.023=2.3mAUCE=12-3×2.3=5.1VIB=(3-0.7)V/51KΩ=0.045mAIBS==0.04mAIB.045mAIC=12V/3KΩ=4mAUI=3.6V，IB=(3.6-0.7)V/56KΩ=0.0518mABE(ON)bb,BQCQBE(ON)bb,BQCQCEQBEBCCE解：(1)计算电路的静态工作点BQRkBCQBQU=V－IR=12V－1.92mA×3.9kΩ=4.51VCEQCCCQC(2)画出放大电路的交流通路和小信号等效电路如图解P2.7(a)、(b)所示E(3)求uiiu、由于I≈1.92mA，故可求得EQ26mV26r=r+(1+)200+(1+80)1.3kbebb'I(mA)1.92由解图P2.7(i=be=A7.7sint(A)br1.3i=βi=80×7.7sinωt(μA)≈0.616sinωt(mA)cbu=－iR=－3.9×0.616sinωt(v)≈－2.4sinωt(V)cecc合成电压和电流为u=U+u=(0.7+0.01sinωt)VBEBEQbei=I+i=(24+7.7sinωt)μABBQbi=I+i=(1.92+0.616inωt)mACCQcu=U+u=(4.51－2.4sinωt)VCECEQce2.8场效应管的转移特性曲线如图P2.8所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符S(b)由于u≤0，故为N沟道结型场效应管，其电路符号如图解P2.8(b)所示。由图P2.8(b)可得U=－5V，I=5mA。GS(off)DSS(c)由于u可为正、负、零，且U=2V，故为耗尽型PMOS管，电路符号如图解GSGS(off)P2.8(c)所示。由图P2.8(c)可得U=2V,I=2mA.GS(off)DSS2.9场效应管放大电路如图P2.9所示，已知场效应管的UGS(TH)=2V，IDO=1mA，输入信号u=0.1sinωt(V)，试画出放大电路小信号等效电路并求出u、i、u。sGSDDSu5DQDOU2I=I(GS1)2=1u5DQDOU2III=DODQ2mUu=u/2=0.05sinωt(V)gssi=gu=1.5×0.05sinωt(mA)=0.075sinωt(mA)dmgsu=－iR=－5×0.075sinωt(V)=－0.375sinωt(V)dsdD合成电压、电流u=U+u=(5+0.05sinωt)VGSGSQgsi=I+i=(2.25+0.075sinωt)mADDQduU+u=(20－2.25×5)-0.375sinωt=(8.75-0.375sinωt)Vds=D