Lecure 等离子显示工艺2

新型显示技术

NewDisplayTechnologyPDP工艺流程PDP工艺流程Sputtering：ITO涂布Photoresistcoating：光阻膜涂覆（感光保护膜）Etching：刻蚀ResistStripping：抗剥落处理Photopaste：感光胶Pasteprinting:胶印Agpaste：银胶Exposing：曝光Developing:显影Dielectric：电介质Magnet：磁体Beam：束Focusingcoil：聚焦线圈ScreenPrinting：丝网印刷（丝印）Squeegee：刮浆刀Mesh：丝网Paste：胶料Emulsion：感光乳剂RIBPasteCoating：障壁材料粘附Exposing：曝光Mask：光刻掩模Developing：显影Sand-Blasting：吹砂-Nozzle：喷嘴Cuttingpellet：砂粒BarrierRIB：障壁间隔Sealing：封接Dispenser：给料器Fritdispensing：烧料分配Dryingprebaking：干燥预烤Assembly：总装Fixedclip：固定夹Tubeconnect：接管Exhausting：抽气（抽真空）Gauge：计量仪Tipoff：封嘴4新型显示技术数据來源：中華映管5新型显示技术数据來源：中華映管6新型显示技术PDP工艺流程不论是上板工艺流程或下板工艺流程，一定由空白的平面透明玻璃基板开始玻璃基板要能承受热处理温度(450至600ºC)，不会有收缩或弯曲变形过大的问题发生产生收缩或弯曲变形过大时，将使得上、下板中的对位记号(AligmentMark)，及其他各层电路图案位置产生位移量产玻璃基板是采用高应力点的玻璃基板來解決热处理应力要求AsahiPD200有直接提供镀有ITO薄膜的玻璃基板7新型显示技术数据來源：中華映管8新型显示技术1、透明电极制作透明电极功能，是作为表面放电維持电极使用透明目的，是为了避免螢光粉被紫外線激发出之可見光被阻挡，使面板的亮度降低目前量产上所使用的透明电极材料，包括氧化銦錫(ITO，Tin-DopedIndiumOxide)氧化錫(SnO2，TinOxide)两种ITO膜的导电率与透光率较SnO2膜为佳9新型显示技术数据來源：中華映管10新型显示技术2、金属辅助电极制作透明电极的电阻值仍然过高，为避免在放电时电压下降过大，导致应用在大尺寸PDP时，无法产生均勻放电，故在其上方制作较窄的金属辅助电极(BusElectrode)，以增加其导电率目前量产上所使用的导电电极，包括有鉻/銅/鉻銅导电率高，但工艺流程中亦被氧化增加电阻，且容易被封合胶浸蝕产生斷線鉻抗氧化及耐蝕性均较銅佳以濺鍍及湿式蝕刻制作，精密度佳銀-可用直接图案印刷，成本低11新型显示技术数据來源：中華映管12新型显示技术3、黑色对比层制作黑色对比层功能，是增加面板影像的对比，減少外界光的反射影响此层是形成於每个放电单元中，两条透明电极的两侧黑色对比层制作方式有两种直接图案印刷黃光湿式蝕刻法13新型显示技术4、透明介电层制作透明介电层功能，是在使用AC时作为儲存电荷的电容，及在驱动面板时提供壁电荷，以降低驱动电压透明介电层材料主要成份是玻璃粉，是以厚膜工艺流程中的平面印刷法为主平面印刷是网版上沒有图案(Pattern)，印刷上较有图案的印刷简单14新型显示技术数据來源：中華映管15新型显示技术5、保护层制作保护层目的，包括有在等离子体環境中耐離子撞擊，以保护其下部的各层材料较高的二次电子发射效率，以降低产生气体放电的最低啟動电压保护层材料以氧化鎂(MgO)为主MgO保护层制作方法，包括有漿料涂布法濺鍍法电子束蒸鍍法離子电鍍法等16新型显示技术数据來源：中華映管17新型显示技术1、数据电极制作数据(Data)电极功能，是作为写入数据用，亦称寻址电极(AddressElectrode)数据电极层所使用材料，与上板的金属辅助电极一样的，包括有銀电极、銀感光性胶膜或鉻/銅/鉻电极，目前主要以直接印刷银电极为主要工艺流程18新型显示技术数据來源：中華映管19新型显示技术2、白色反射层制作增加白色反射层目的，包括有提供一平坦表面，使得後續阻隔壁工艺流程容易制作保护数据电极免受到後續工艺流程的損傷增加螢光反射，以提高面板亮度工艺流程有两種方式直接以平面印刷法涂布介电层漿料压合介电层胶膜20新型显示技术3、阻隔壁制作(1)阻隔壁(Rib)功能主要有二：当做上、下玻璃板間的支撐物或間隔物(Spacer防止螢光粉的混色隨著对PDP对比與亮度要求，目前阻隔壁已分为上、下层两種顏色上层为黑色，目的是增加畫面之对比下层为白色可反射可見光，以增加畫面之亮度21新型显衔示技术3、阻隔荐壁制作(2)量产方式允，以噴砂情法为主流先在白色岛反射层上摸，以厚膜舍工艺流程济方式，各明別地依序途涂布一定荒厚度的白脑色层與黑清色层乾燥後票進行噴茂砂最後進连行燒結22新型显刘示技术数据來迅源：中竹華映管23新型显示盲技术4、螢光层存制作螢光层是友涂布在阻飞隔壁的两容側與各阻真隔壁之間屿，且相鄰居两色間不羞可有混色筹現象一般多柿采用印猴刷方式脖，将不铲同色之芬螢光粉观漿料分杨別地填盾入各阻语隔壁之烫間，因掌此RGB三色需培要印刷框三次24新型显静示技术数据來坛源：中脆華映管25新型显示咽技术5、封合克层制作封合层慌目的，伸是为了帐将两片捎玻璃貼韵合在一印起，且蛇要能防严止填充贞气体的袋漏气若有漏蛛气現象遣则放电搏气体会酱有污染选问题发磁生，且拉造成每局个胞的征啟動电捎压有很奇大变化目前封变合层涂淡布方式惯，以点砖胶涂布懂机制作汗，当涂揭布完成卫後要先盯進行預筒熔步驟章，将有坑机物質京去除26新型显骂示技术数据來源艘：中華映堤管27新型显示曾技术数据來约源：中叫華映管28新型显陶示技术封合和帝組裝工酿艺流程当上板饼工艺流侨程與下仆板工艺茄流程分大別完成谨後，必阵須進行求上、下蔬两片玻地璃基板谋貼合工军作上板與下班板工艺流爬程中，分集別已有設续計对位记紧号，利用小自動对位泉貼合机将穗玻璃貼合重在一起将玻璃串抽气管键固定貼房诚合在背贿板的抽骂气口上附，再将士此組合爱面板同里时進行锤烘烤與谁抽气工埋艺流程此工艺流蜡程是将面竖板中的空辽气與烘烤隔中所产生协的有机廢辣气排除，欧以避免影覆响後續所叛填充惰性阵气体的純霜度，而导感致各胞的靠啟動电压轿变高，並烘降低面板才壽命29新型显示代技术数据來源钥：中華映气管PDP制造流程江及其技术释发展31新型显镰示技术1.妻玻璃孙基板技术要郊求:表面平脏坦，应变点吨温度高惑，热膨胀训系数与软电极材况料和介明质材料么匹配。实用材哈料：（1）普游通平板钠饿钙玻璃优点：价格便宜借，与已开猜发出的彩梯色PDP所用的其霞它材料相饺匹配。缺点：应变点寇低（一氏般为500℃左右胸），热稳定碰性差。（一）彩伙色AC-P唉DP的主要弊部件及欣其制作眠材料彩色AC-PDP主要部件

前基板后基板排气管玻璃封接透明电极汇流电极介质层MgO膜荧光粉气体放电空间障壁介质层寻址电极32新型显示庭技术玻璃的几尾个特征温迅度转换温度指玻璃声成塑性驻体与弹迟性体之蹈间的分蔬界温度汪。它相株当于玻若璃粘度很为1013Pa.s时的温事度。在街此温度君下，玻锹璃体内到的应力叠大约需绍保温4h才可基本蚀消除。退火温吵度它相当略于玻璃诉粘度为效1012Pa.依s时的温度护。在该温护度时，玻和璃处于塑携性状态，昂玻璃体内甚应力只需压保温4min就可基本杆消除。软化温黑度玻璃由贝塑性状秃态变为肚具有流妈动性能葱时的温超度，称柳为软化辉温度。晨它相当坚于粘度院为105Pa.s时的温巷度。33新型显觉示技术钠钙玻郊璃由于等冷却速广度不同售造成热搅处理后炸的变形钠钙玻璃邮在电极浆饲料烧结后弊的产生的称弯曲34新型显训示技术（2）饰PD疾P专用基板树玻璃优点：高应变点，娇如PD2恶00（应变点廉570紧℃）、CS25（应变点羞610℃雁），热稳定性咏好。缺点：价格昂贵35新型显示输技术PDP用玻璃招基板生汤产厂家日本：主要有旭附硝子、Cen炊tra从l硝子、秆日本板吸硝子等陵公司。旭硝子需于19欧91年煤前后与PDP厂家签蛛订共同贩开发合绍司；199够2年制弦成PDP用玻璃护板；l995年夏购入PDP用玻璃基视板的浮法忍生产设备低，同年开羊始出售小批量福产品；199障6年7瓣月发表扣关于PDP高应变温晴度玻璃的歼信息。其他：美国Corn译ing公司和挤法国Sai醋nt急Gob絮ain公司联蚕合进行PDP用玻璃基潮板的生产乎。36新型显波示技术（二）透觉明电极作用：透明电极从仅设置在AC-列PDP的前基领板上，蓝减少对员可见光语的阻挡羽，并与向同一基浆板上设粉置的汇片流电极什成对构喝成放电主用的电抬极，即广显示电撇极。技术要求绑:可见光钳透过率乳高，电椒导率高虑，刻蚀塘性能优叨良。37新型显慕示技术实用材畜料：氧化铟锡埋（ITO）薄膜、SnO2薄膜。ITO膜采用氧拾化铟与氧问化锡比值垂大致为9滔：1的混傍合物靶通凝过溅射法砖制取．膜郑层具有优决良的光透喇射率及导迟电性。PDP用ITO膜的表简面电阻畜从20届—30／(每单位婶面积电框阻，膜限厚15荣00A)到10垃00／(膜厚5画00A)。38新型显篮示技术ITO薄膜特点附：ITO工艺成摔熟，刻唇蚀性能注良好，废但在PDP工艺中经疤过高温处患理时，阻开值变化较烧大。SnO2薄膜特点冲：成膜工铲艺简单让，成本等低，且股热稳定惭性好，屑但其刻炊蚀性能秘不易掌洽握。39新型显驶示技术（三）犹汇流电厘极和寻厦址电极汇流电极枕:▪作用:减小显淋示电极疫电阻▪要求:导电性狸能好，庄与透明盘导电薄吐膜附着慢力强▪制作材鸟料和方畏法:Cr-C巨u-Cr薄膜磁控溅瓦射法制现备薄膜兽，刻蚀悟成形Ag浆料丝网印刷肚图形，烧隆结制成光敏Ag浆料丝网印刷韵，光刻成里形，烧结潮制成40新型显示佛技术寻址电极音:▪要求:导电性能固好，与基触板玻璃附近着力强。▪制作材多料和方焦法:Ag浆料染丝网践印刷图邮形，烧送结制成三。光敏Ag浆料搭丝耀网印刷，谅光刻成形哈，烧结制累成。41新型显哨示技术（四）介针质层▪作用:把电极扔与放电域等离子亦体分隔榜开，限情制了放洞电电流鬼的无限税增长，净保护了黑电极；使AC-级PDP工作在存稍储模式,有利于任降低放晨电的维分持电压樱。▪材料:介质浆帐料主要宰由玻璃冷粉、树狡脂粘结哲剂、溶忠剂等组权成。42新型显球示技术介质浆酸料种类困:(1)慎流动莫型介质烧结朋温度远高秀于介质的景软化点。特点：伶透过率君高，表抚面平滑壤性好，调但与电泉极反应栽大，绝多缘性能得不如软窄化型浆蹲料。(2)熔软化型介质的烧黎结温度在械介质的软桐化点附近挨。特点：绝腔缘性能良敌好，与电彼极反应小悼，但表面罪平滑性差皱、透过率寒低。43新型显彼示技术两种介质绑层材料性矛能的比较44新型显示冲技术（五）介蝴质保护膜▪作用:延长显示宪器的寿命寨；增加工作狡电压的稳居定性；降低器件凶的着火电别压；减小放忧电的时违间延迟车。45新型显铺示技术▪技术要求:①二次电垒子发射系脏数高；②表面币电阻率忍及体电究阻率高纵：s>1012Ω/□理，v>1011Ω.m；③耐离子德轰击；④击穿强拜度高：E>(8-祖10)×106v/m；⑤与介质悬层的膨胀很系数相近阔；⑥放电延扭迟小；⑦易于制脑备。46新型显示泥技术▪材料:可供选把择的保特护膜材芹料有：（1）碱狸金属氧化景物（CsO）疤：优点是原使PDP工作电非压低，股缺点是CsO在空气颈中极不参稳定，经难以制优备保护柴膜。（2）催碱土金央属（ⅡA族）氧化窜物：BaO隶，Mg修O，C筝aO，买SrO工作电戏压低，资且提高浑了PDP的工作触稳定性基，但它皇们在空主气中的喇稳定性狐也较差谷。（3）ⅢB及Ⅳ族芬氧化物曾：Al2O3，Si邪O2，T监iO2，ZrO2，HfO2等，工酷作稳定运性好，筹但工作息电压高樱。47新型显钓示技术（4）La系金属氧越化物：La2O3、C域eO2等，工雪作电压库低，工宋作稳定轰，但放刮电延时育大。以上材料康中，MgO薄膜不仅果具有很强住的抗溅射劝能力，而擦且有很高关的二次电锦子发射系竭数，有利项于提高PDP的寿命和我降低PDP的工作电冰压；MgO薄膜最俱适合作蓝为PDP的介质才保护薄紫膜。48新型显勿示技术MgO晶体的猴性质MgO是一种面论心立方晶威体，其晶疑格常数为多4.21锦3Å，主要以忆(11通1)、功(20抓0)、觉(22成0)三缝种晶面匆取向存锅在。MgO的禁带宽妨度为6-困7.8eV，逸出功为洲6.85eV-支8.6趴5eV吐。(1)葡物理特性期：熔点为2愚827℃轧，折射刷率为1.扁7，对紫涂外区强烈嘱的吸收，抚对可见光左区透明，介电常委数为9滋~10宋，表面敢电阻率ρs>1012Ω/口，体电阻率朵高ρv=1011~1013Ω.m49新型显示扩技术(2)化学性质在室温挽下空气过中发生召以下反骡应：在高温陕下将发氏生以下欲反应：50新型显示形技术（六）驴障壁▪作用:①保证策两块基告板间的羊放电间乏隙，确令保一定搅的放电享空间；②防止相倘邻单元间巩的光电串政扰。▪技术要求:对障壁的豪要求是高提度一致(植偏差在5m以内)杀，形状激均匀。障壁宽度哲应尽可能顽窄，以增浪大单元的洁开口率，南提高器件疏亮度。51新型显喝示技术▪障壁材料:低熔点玻毫璃浆料（七）荧涉光粉层将VUV转变为可梯见光，实惰现彩色显奋示。要求:发光效率倚高，色彩灵饱和度高街，厚度均愿匀.（八）椅放电气告体用于产生移真空紫外查辐射（VUV）。彩色AC-P横DP制作工添艺前基板制作工序后基板制作工序基板玻璃检查、清洗透明电极（ITO）制作汇流电极制作透明介质层制作封接边制作介质保护膜制作基板玻璃检查、打孔基板玻璃检查、清洗寻址电极制作介质层制作障壁制作荧光粉层制作总装工序前后基板对位、封接排气、具充气老党练驱动线瓶路装配53新型显示帅技术丝网印蓝刷原理药示意图1.考丝网印想版（a.网框,b.丝网上跃非图文妨部分(翻简称版事膜),c.丝网上断图文部并分）,碰2.窃刮板情,霉3.员浆料,纵4豆.基秀板丝网印脑刷的工迟艺流程土：丝印制炸版丝网印刷浆料烘嘉干浆料烧晃结用丝网印匀刷法制作PDP的各个部刻件，其质袖量取决于倡多种因素纽奉：（1）砌浆料方获面浆料的彩性质、穷成分、捷颗粒度旺及均匀衰性、载候体材料懂、粘度验及触变它性等。abc123454新型显示目技术（2）基向板方面基板材刚料、尺测寸精度塞、平整逆度和光必洁度等村。（3）筝刮板方胆面刮板材绪料的种采类、硬扬度、形质状等。（4）项丝网方敏面丝网材料劈燕的种类、茧性质、丝轰网目数、愁丝网线径层、丝网张萄力、版膜献的种类、轰框架平整登度、框架译与网线夹起角等。（5）印利刷方式方姑面印刷接蜡触角、字印刷压新力、印元刷速度鹊、印刷秧间隙等国；在印漂刷环境屑条件方裳面，有燥温度、牲湿度和晓清洁度题等。（6）侦其他方宫面干燥时兰间和温顾度以及滑烧结工征艺等。55新型显示蛋技术印刷工艺谱的优点：具有设备葱低价，工热艺简易，祖生产率高兔、成本低敞等优点。某主要用来沸制造汇流菠电极、寻蛛址电极、梁介质层、新荧光粉层材、障壁、馒封接层等送部件。缺点：与光刻膊技术相急比，印崖刷工艺没的缺点秀是精度湿较差，扁分辨率抢不易做泪高。56新型显阻示技术光刻工关艺：掩模板的涉制造、图童形从掩模匠板至待刻姨蚀材料的蜜转移。基板前驾处理抗蚀剂涂覆待刻蚀喜材料涂覆掩模对准曝光显影、庆坚膜刻蚀去胶掩模制作掩模图之形设计掩模原扒图主掩嗓模工作掩模57新型显赔示技术影响图脊形加工肃精度主输要因素此：掩模板的浇质量和精动度、抗蚀炸剂的性能滨、图形的彼形成方法哨及装置精出度、位置所的对准方差法及精度辅、刻蚀方医法等。光刻工杰艺的特托点：能够实现蹈大面积、卫高精度的框图形，且专工艺成熟粪。如用来瞧制作PDP丝网印刷博漏印版，肢以及PDP的ITO电极、Cr-背Cu-抵Cr电极等质部件。58新型显惕示技术浮法工鞭艺过程摔：玻璃板仓制造工净艺59新型显祥示技术前基板崇的关键计制造工跌艺(一)衔透明电抱极的制盛作ITO连续薄李膜的形真成：磁控溅射兵镀ITO膜的特点符:高速（沿沉积速渗度高）弓、低温饶（靶和洗基板的殖温度都劈燕较低）减、低损芽伤（基赚板表面棍受高能勿电子轰石击损伤猛小）。60新型显定示技术光刻出ITO电极图要形：61新型显示筋技术(二)舌汇流电擦极的制嘉作富士通公岛司采用Cr-C肤u-Cr薄膜材焦料制作图汇流电以极。底层Cr用来增加训电极和玻彼璃基板的捏附着力，著顶层Cr用来防量止Cu的氧化，Cu是电极导兽电的主体嗽。Cr和Cu薄膜用溅顾射法制作虏。特点：图形精细强准确，边浙缘整齐导电性能爷优良，但其制作结工艺复杂妈，成本较忧高。62新型显慌示技术采用厚膜扶技术制作抽汇流电极摆的方法：（1）丝酬网印刷法把金属颠浆料印喷刷在透杆明ITO膜的边缘南上，再经宜高温烧结旗而成。这预是厚膜技倒术中普遍剖采用的制校作方法，棋最常用的烫金属浆料增是Ag浆料。（2）厚瓦膜光刻技星术使用的删材料是风光敏Ag浆料（户主要由警颗粒极攀细的Ag粉和感光孔树脂构成电），用丝肌网印刷的笨方法形成邀几微米厚俩的连续膜乓层，然后袍用光刻法别形成电极睛，最后经生烧结而成暮。63新型显示培技术(三)上奶基板介质娘层的制作要求锣:(1)阿透过率高馋。(2)构烧成膜表涂面光滑、未致密、无际丝网印刷效痕迹。(3)工绝缘性要自求比下板碑更高。(4)与杜电极反应绩小。(5)渣与玻联璃附着基牢固。64新型显示外技术介质层的摘缺陷：厚度极均匀性纽奉差介质层奇表面粗样糙度大针孔、知气泡由于异肃物而造计成的下移陷和突拘起等65新型显挖示技术印刷压宇力刮刀角营度介质浆料丝网厚度丝网开朱口率丝网与伙基板之际间的间梳隙影响介质还层厚度的避因素：66新型显泉示技术影响介陈质层表煤面粗糙处度的因前素：介质层表岗面有粗糙哲度，这是概由于介质劣膜是通过诞丝网形成的，因此掏印刷完毕尚后，在介讨质表面会钟产生丝网井痕迹。由于介侄质层下师面有电稠极，也典会导致侵介质表烧面起伏优不平。为了克时服这一胞点，有禽必要在处介质印辰完以后伍室温下股放置1吨0分钟薯，使浆校料自行鄙流平。67新型显示饭技术造成针孔佣的原因：丝网堵各孔玻板表面首有突起有污染物等气泡的犁产生原尊因：电极或热玻璃表渠面不平絮整有灰尘和异工物克服由足于异物孙而造成炎的下陷旦和突起匹的措施速：提高环境秤洁净度克服针孔肉和气泡的六方法：多层印促刷。68新型显镜示技术对介质层歇浆料的烘岗干及烧结支工艺烘干目巴的：使浆料中聚的溶剂挥吨发的过程三。烘干工艺刚：温度为1嫩00～1嫌50℃，权时间为6净～12分蜻钟。烧结目单的：去除有济机树脂事成份，掉而对上趴板介质受，还要险保证一苏定的透对明度和辛表面平里滑性。烧结工艺询：介质浆料呀有软化点泊不同以及盏其他相关挤性能的不裳同，因此觉烧结温度峰也要根据倒所使用的信浆料来选镇定。69新型显示睛技术烧结时满升温速奥率与介趴质表面控状态和唯介质缺等陷的关荡系：介质烧结福时会产生致以下反应寺:CxHyOz+O2CO2+H2O若升温速誓率太慢，杀则烧结时吩间太长，弓不利于生原产；若升温度迈速太快，洞介质里边绕的气体会窃冲出介质介表面形成师空洞，也推可能由于用介质表面漫有机树脂萍挥发太快你而使表面录过早固化顶，包住了产介质里边闷的气体使赞介质内部不产生气泡仪；使介质里骡边的树脂捉因缺少氧棚气而无法誓氧化、分做解成气体酱，造成介友质层绝缘钞性能下降梦，在放电同时易产生今打火。70新型显示绢技术(四)封膀接层的制常作对封接誓层的涂之覆要求婶：四条边的诸厚度和宽惜度均匀一况致，以保挽证密封质救量。一般怜采用丝网圾印刷法或孤喷涂法制异作，然后童进行预烧沾结。71新型显示卸技术由膜材料受和对膜特霉性的要求干所决定，勺要选择适误于制取高书熔点介质俘膜的方法结；经济性牲；各工艺参延数是否简荡单、可控寄；设备的德体积、核成本等毅。PDP对保护时膜特性明的要求富为：大面积阵均匀；二次电趁子发射欺系数高恳；膜层致密妻；洁净。选择PDP介质保护朵膜制备方仅法时考虑倘的因素：(五)呀介质保购护膜的稿制作72新型显示那技术电子束独蒸发成拆膜技术浅中，影收响薄膜接特性的组主要因淋素：蒸发速率基片温度蒸发原顶子入射精方向基片表卸面状态真空度霉等73新型显阔示技术主要制薪作材料坚：纯氧化娃镁膜料蒸发前的印本底真空致度：10-4Pa。蒸发过悟程中通蜻入氧气火。薄膜厚匪度的不性均匀度毙要求：±10%艺以内。电子束置蒸发镀爷膜装置先示意图电子束季蒸发制玻备的MgO薄膜的相结构呈猎现出明宝显的<111迫>结晶面怠择优取吐向。由轿于相对尊于其它虹结晶取滔向来说抽，<111胜>结晶面择私优取向的MgO薄膜最能痛降低PDP的着火复电压。加热装置基片夹具膜料坩埚电子枪钟罩抽气系统充氧系统基片旋转74新型显示扰技术后基板的福关键制造斤工艺(一)寻秒址电极的释制作一般采李用丝网纠印刷法永或厚膜诱光刻技嘴术制作甚。(二)骗介质层牢的制作(1舞)反射储率高好,它可匆以将荧改光粉发辛出的光妙全部反掏射到屏胀前面来豆。(2)音烧成膜平哲滑,以群利于障壁朋的印刷。(3由)绝缘责性好,硬满贤足寻址笑要求。(4)防抗磨损猫,与渡玻璃附溉着牢固灵。(5)贪与电极姨反应小猴。采用丝网蛋印刷法制能作。75新型显隆示技术(三)障赔壁的制作障壁高鸭度一般债在10果0200m的范围价。主要促制作技阳术有：1．丝网库印刷优点：材料浪费序少，材料俩成本低。缺点：工艺步涝骤多，助制作时灰间长，贞对位要巡寿求严格物，而且柴要求操贤作人员粒有熟练巧的技术鲜，以及发对印刷攀设备的你性能、愉浆料性久能、环咏境对丝讲网的影快响等有暮全面的做了解，慌所以制钩作工艺你复杂。黑顶白色主体基板玻璃76新型显示厚技术Pho拥tog匹rap姐ho男ft宪he迫top沟sh慢ape翅of下th旷ep尺rin询tin芒gr茎ib起bef缎ore愈po唉lis法hin眠g77新型显示挤技术2．喷砂励法由于采用粪光刻中的臭曝光技术嚼，障壁尺与寸一致性圆好，目前午障壁的宽拴度实验室饰可做到3所0m，生产上潜做到7况0m，有利于乎器件开固口率的接提高。喷砂法仅塞需和寻址阿电极对准平一次，制其作大面积蚊器件时失浴配的问题弄较小。喷锤砂法的生袖产率高，纸只需数分基钟就可完梢成喷砂刻荣蚀。喷砂搁法是一种内适合于大便生产的工腊艺技术。喷砂法牵的缺点私是材料矩利用率关低，并圣且被喷净砂刻蚀塞的材料截中含有挎不少铅虑的氧化览物，污居染环境蜓。喷砂法奥制作障旱壁示意为图光敏干膜障壁材犁料层喷嘴砂粒障帝壁干膜光猫刻制出图拆形喷砂去除干膜烧结78新型显祸示技术(四)泻荧光粉孝层的制做作采用丝网匹印刷法或孝厚膜光刻名法制作。79新型显示芬技术80新型显胆示技术81新型显示户技术82新型显示福技术要求荧远光粉均赢匀地涂拼覆在单于元的谷断底和障抖壁的侧蛋壁上，华以增大虽视角，灭而在障轰壁顶部洒不能留物有荧光饼粉，防耍止混色惭。83新型显咳示技术84新型显冰示技术总装工捧艺(一)前晓后基板封毯接：在封接过既程中，通甩常采用两阴次烧结工秧艺。对封接的现要求：强度高俊，气密朝性好。85新型显歪示技术(二)疑排气牵、充气击工艺在40极0多度喂的温度压下进行毛低熔点黄玻璃封汗接——温度降到剥300多怪度时保温永,并对显腥示板排气——温度降到咏室温时，描充入按一威定比例混哀合好的气副体——最后封窗离排气芬管。排气、充差气系统示股意图扩散泵机械泵冷阱真空压哀力计烘箱PDP电离计热偶计气体I气体II气体III减压阀86新型显鲁示技术(三)拥老练在显示电撤极间加维折持电压，修直到PDP的着火荐电压和菠熄火电障压稳定故。87新型显息示技术驱动电路运基本框图驱动电隐路的功械能：把逻辑晃输出控兼制状态崖转换为眉高压脉滥冲输出裤，目的右是获得芦足够的遭功率去舅驱动显赚示器。X、Y电极驱库动的形便式相同侧，只是蚁输出波沉形相位叛相差1加80。。88新型显螺示技术老炼过羞程中杂铅质气体督产生的算机理MgO膜的化变学性质数较为活诵泼，在凡室温下崖空气中阔可以发网生以下捞反应：在高温矩下将发掩生以下槐反应：22MgO攀+Cl拘MgCl®2MgO僚+栋CMg雾C®22MgO仁+剧NMg使N®22MgO收+淹HOM袋g(O码H)®23MgO妻+尚COM柏gCO®89新型显妹示技术在室温下浆空气中，MgO薄膜极易撑吸水，水霜以游离态势和化合态插存在，化钻合态的水曾主要是以Mg(升OH)2羟基化闹合物的帜形式存蜂在；MgO薄膜还丢会与大砖气中二休氧化碳鞭发生反遇应生成MgCO3；在膜表鱼面吸附雄大量的贷气体（沙如O2、H2等气体漂）。MgO薄膜表童面产生壁的这些良化合物陕和吸附酱的气体立，将引欣起离子作碰撞二栗次电子魔发射系包数降低开和放电残气体成拴分的改恶变，导肿致PDP着火电桃压升高啦。MgO膜表面碑的污染组:90新型显充示技术(四)引伤线连接由于显桐示板和FPC连接处的迎引线间距昏一般只有谨0.250.2炕0mm(可能达到晕0.1mm)，通常要采军用一种称讲为各向异璃性导电膜搁（Ani只sot藏rop征ic贷Con菌duc堡tiv勿eF堪ilm语,A用CF）的材料。FPC与显示桌屏引出你电极的塑热压步午骤91新型显忆示技术(五)乓装配驱燥动电路liul扔in@x嘉upt.青edu.避cnYan慢gsi圈wei额.co市mThan颈kYo形u!9、静夜犹四无邻海，荒居养旧业贫牌。。4月-貌234月-2侮3Wedn芳esda货y,A冰pril素26,察202宁310、雨中森黄叶树符，灯下坦白头人饼。。01:2挑5:4101:曲25:查4101:2据54/2载6/2依023葵1:舰25:姿41首AM11、以我独倘沈久，愧超君相见频样。。4月-2峡301:婚25:忧4101:2跑5Apr效-2326-党Apr洽-2312、故人跳江海别问，几度幸隔山川朽。。01:2谷5:4101:2宵5:4101:2得5Wedn哭esda阻y,A钓pril印26,椒202阻313、乍见翻沾疑梦，相皇悲各问年掉。。4月-2壮34月-2笼301:白25:悦4101:板25:喂41Apri侧l26蝴,20按2314、他乡生培白发，旧督国见青山纳。。26四疯月20袭231:2广5:4俭1上赌午01:2专5:414月-2挑315、比不皂了得就钞不比，袄得不到券的就不轿要。。。四月倦231:2塔5上果午4月-涛2301:2故5Apri托l26酸,20冻2316、行动慰出成果部，工作概出财富政。。202极3/4爱/26做1:划25:底4101:2吓5:4126A私pril蚂202返317、做前骡，能够瞎环视四危周；做害时，你拒只能或椒者最好路沿着以轻脚为起专点的射童线向前解。。1:2务5:4杏1上拢午1:25膏上午01:借25:落414月-扑239、没有失盲败，只有钟暂时停止刮成功！。4月-肯234月-朵23Wed绕nes银day暮,A僚pri胁l2刘6,催202之310、很多违事情努歼力了未垮必有结煌果，但落是不努猪力却什裳么改变肆也没有墙。。01:模25:说4101:页25:忽4101:员254/26虑/202妥31:乔25:4馆1AM11、成功就沈