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文档简介

1VIN,VREF至 02至PGND至 0.2V至 SGNVINV60 GNVINV60结温度(TJ-X

建议的负载电 0mA至1000结温度(TJ)范 JA10

JJ 规定,下列条件适用于V=3.6V,V= 4 4VREFx VIN=VEN=5.5V,VCON=V VIN=5.5V,VCON=V上升阈值NVV下降阈值NVVIN=3.6V,VEN=(注释6V的DCVIN=5.5V,VCON=1.6V,OUT=(注释7V至 电 OU=200IDCV0.24V8VIH,VVIL,LOWVTSD-%TON-20mmx20mm15mmx15mm10mmx10mmTDKC1608X5R0J106K)。这些参数不是以生产测试来保证的。除非另有规定,下列条件适用于TA=25ΔVOUVOUT=IOUT0A%ΔVOUVOUT=IOUT0A%ΔVOUVOUT=IOUT0A%VOUT2.7V,OU1AηVIN=5.0V,VOUT=IOUT=200%VIN=5.0V,VOUT=IOUT=1000VOUVIN=5.0V,VOUT=IOUT1000mA9VIN2.7V5.5V,TR=TF=10µs,VOUT=1.8V,I=1000VIN=TR=TF=10µs,VOUT=1.8VIOUT100mA1000100pF.kΩJESD-22-114。注释3:结至环境热阻)是基于4JEDEC标准JESD51-1至JESD51-11θ随PCB覆铜面积、功耗和气425100(SQC525注释6:关断电流包边PFET的漏电流。注释9:针对使用推荐电容器的一个设计良好的PC板,应该测量C 除非另有规定,适用下列条件V=3.6V,T 电压差与负载电流和输入电压的关 热降额VOUT=1.2V,θJA= 2 N 5 0

90100110120

V1.8V,θ= 90100110120

V2.5V,θ=VINVIN=3.3VVIN=3.6VVIN=5.0VVIN= 90100110120

=

=

VIN=5.0V,VOUT=1.8V,OUT=

VIN=4.0VVIN=4.5VVIN=5.0VVIN= 90100110120

0 频率( VIN=5.0V,VOUT=1.8V,IOUT=o R µ 原理图VOUT= 效率VOUT=输出纹波VOUT= 负载瞬态VOUT=

线路和负载调节VOUT= DC电流限制VOUT=52 0.0

原理图VOUT= 效率VOUT=输出纹波VOUT= 负载瞬态VOUT=线路和负载调节VOUT= DC电流限制VOUT=VINVIN=2.7VVIN=3.3VVIN=3.6VVIN=5.0VVIN=810.0

0 原理图VOUT= 效率VOUT=输出纹波VOUT= 负载瞬态VOUT=线路和负载调节VOUT= DC电流限制VOUT= 8210.0

0 原理图VOUT= 效率VOUT=输出纹波VOUT= 负载瞬态VOUT=线路和负载调节VOUT= DC电流限制VOUT=10.0

Block

1.LMZ10501SIMPLESWITCHER®易电源纳米模块是一款易于使用的降压直流-直流解决方案,能够在空间受限的应用中驱

信号的平均值。在模式下,开关频率是恒定的。每个被开启,动高达1A输出电容、一个小型 滤波电容器和两个电阻。

N-N-

)/L的斜率上升。PFET 电流信号等于误差信号。然后PFET被关闭,NFET在固定2.0MHz

VV

LMZ10501PFET,同步整流开关管为NFET。输出电压调节是通过调节

LMZ10501具有欠压锁定(UVLO)电路,可以确保在启动、关断和输入电源掉电条件下的正常运行。该电路可监视VNLMZ10501,拉EN0.5V)。在关断ENNN 通过一个790kΩENVN。ENV达到1.2V,V将设置EN高。请注意,ENV+NN NFET导通时间之间的内置死区时间过程中,通过其本征

PGND出现击穿电流 VV

电压从0V开始上升。引起

放电 包括过

关断、UVLO、EN低电平,或输出短路检测。建议的

流达到此限制阈值时,PFET载条件。通过NFET开关管的典型负峰值电流限制是DCDCLMZ10501V上升时的大浪涌电流和输出电压过冲。这是通过在启动PET数量开关周期的梯形曲线(staircaseprofile)。此外,开关频450kz增加,直到达到电流限制最后一步的2MHz。这种电流限制特性如下图所示,它有助于V

除了逐周期电流限制,LMZ10501还有第二个层次的短路保护。如果负载拉低输出电压,且反馈电压下降至0.375V,PFET230μs。当稳压器输出短路时,这将迫使电感电流下降,230μs非开关之后,开始一个新的启动部分所示。在启动过程再次完成230μsNN降低频率,达到低于100%占空比操作并保压。由于V35ns100%占空比。这一延长V稳压范围的特性如下图所示。NN充电的电流也被限制了。这可使V 不过,在正常条件下,使用过大的输出电容或V 以防止输出电压在启动过程结束时达到0.375V。在这种情况

的最小输入电压。由于输入电压的跌幅越来越接近V

保护是通过内部过热关断电路实现的,该电路可在150℃

下降。此外,

电容被放电至SGND

0VLMZ10501PFET 35nsLMZ10501以延长V的关断时间并维持稳压。如果V降低,PFET的关断时间将再次达到35ns

输出电压的精度是VxGAIN的乘积,以及R和 LMZ105012.35V

5RT

水平。

理想值5.875V,从而实现了高输出电压精度。关于VGAINVOUT=GAINx

V

LMZ10501的V 引脚也可以通过一个DAC来外部驱动,

不同于 的灌电流源驱动 时,可在 1.44V

1.5kΩVCON

TBTB

TB RTB

LMZ10501(LTCC2.6HVV

R

,,

xR/(R+R) xGAINxR/(R+R) LMZ10501ESR(MLCCRT=(GAINxVREF/VOUT–1)x

N06030805VNGAINx BB

4.7μF2.2μFX5RX7RRB=(

/(5.875V–VOUT))x

0805X5R6.3V1030μA

T电压设置的最大输出电容。请注意,表1中的最大C T

1nF,R

4.710473.310473.310473.310683.3101003.310100

1

型SMD片芯。片芯有露的边缘,对环境光线很敏感。对于有直接高强度环境红光、红外线、LED器件光源,以避免不正常的动作。 电SGNDPGNDR电阻TR电阻B直流-直流开关转换器的任何板布局都是实现最佳设计性能的关键。不良的PCB布局设计都可能破坏一个良好原理图设计的运行。即使稳压器仍然可以正确转换电压,但板布局可能意味着是否可以符合EMI规范。在降压转换器中,最关键的板布局路径是在输入电容接地端点和同步整流器接地之请参阅图6中的实例布局。要实现良好的LMZ10501布局将输入电容CIN尽可能靠近VIN和PGND端点。LMZ10501VN7)和PGND6

将V滤波电容器C和对RR电阻分压器尽可能靠近V 和SGND端点。C电容(不是R)应靠近V B B 远离噪声源运行反馈(从V至FB)连接SGND至一个无噪声的GND提供足够的PCB面积以帮助散热。不同板面积的实例θ8NS最大输入电压最大输入电压5.5V的1ASIMPLESWITCHER®欲了解有关国家半导体的产品和验证设计工具的信息,请以下站点WEBENCH®LEDPowerWise®/mPowerWise®本文内容涉及国家半导体公司(NATIONAL)产品。国家半导体公司对本文内容的准确性与完整性不作任何表示且不承担任何。国家半导体公司保留随时更改上述电路和规格的权利,恕不另行通知。本文没有明示或暗示地以反言或其他任何方式,授予过任何知识。国家半导体公司按照其认为必要的程度执行产品测试及其它质量控制以支持产品质量保证。没有必要对每个产品执行政府规定范围外的所有参数测试。国家半导体公司没有责任提供应用帮助或者者产品设计。者对其使用国家半导体公司的部件的产品和应用承担责任。在使用和分销包含国家半导体公司的部件的任何产品之前,者应提供充分的设计、测试及操作安全保障。除非有有关该产品的销售条款规定,否则国家半导体公司不承担任何由此引出的任何责任,也不承认任何有关该产品销售权与/或者产品使用权的明示或暗示的,其中包括以特殊目的、以营利为目的的,或者对专利权、、或其他知识的。NationalSemiconductor和NationalSemiconductor标志均为国家半导体公司的商标。其他品牌或产品名称均为有关公司所拥有的商标或商标。©国家半导体公司2011欲了解产品信息,请公司

电子邮件:europesupport@nsc 电子邮件wwwnational德州仪器(TI)及其下属子公司有权在不事先通知的情况下,随时对所提供的产品和服务进行更正、修改、增强、改进或其它更改,并有权随时中止提供任何产品和服务。客户在下订单前应获取的相关信息,并验证这些信息是否完整且是的。所有产品的销售都遵循在订单确认时所提供的TI销售条款与条件。TI保证其所销售的硬件产品的性能符合TI标准保修的适用规范。仅在TI且TI认为有必要时才会使用测试或其它质量控制技术。除非做出了硬性规定,否则没有必要对每种产品的所有参数进试。TI不对任何TI专利权、 、作品权或其它与使用了TI产品或服务的组合设备、机器、流程相关的TI知识中授予的直接或隐含权限作出任何保证或解释。TI所发布的与第产品或服务有关的信息,不能构成从TI获得使用这些产品或服务的 权、或认可。使用此类信息可能需要获得第的专利权或其它知识方面的,或是TI的专利权或其它知识方面的 对于TI的产品手册或数据表,仅在没有对内容进行任何篡改且带有相关、条件、限制和的情况下才允许进行。在信息的过程中对内容的篡改属于的、性商业行为。TI对此类篡改过的文件不承担任何责任。 TI产品或服务时,如果存在对产品或服务参数的虚假陈述,则会失去相关TI产品或服务的明示或暗示,且这是的、性商业行为。TI对此类虚假陈述不承担任何责任。TI产品未获得用于关键的安全应用中的,例如生命支持应用(在该类应用中一旦TI产品故障将预计造成重大的人员伤亡),除指定的产品才满足规格。者认可并同意,对TI未指定的产品进行军事方面的应用,风

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