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精品文档-下载后可编辑FBAR的三种模型-基础电子常用的FBAR模型有三种:Mason模型、BVD和MBVD模型。

Mason模型基于是FBAR的物理模型,BVD和MBVD模型是FBAR的行为模型

Mason模型

Mason模型是一维的物理模型。可以很好的表征出FBAR的每一层物理结构。

压电材料模型可以理解为在非压电材料的电学模型(下左图)上,增加声/电转换电路(下右图)。

在这个电路基础上,可以再添加顶电极层、底电极层、支撑层等等,完成整个FBAR的等效电路,如下图。(计算网络终端阻抗的方法用的是微波电路里的传输线方程,这让我倍感亲切)

Mason模型的等效电路方程:

小结:给定材料参数,几何尺寸和边界条件等,就可以计算FBAR的等效电路。

BVD(Butterworth-VanDyke)模型

BVD模型是以电学参数为基础的电路模型,C0为的静态电容,Cm为机械相关的动态电容,Lm为机械相关的动态电感,Rm为机械相关的动态电阻,电路图下

这就是个常见的LCR串并联电路,Zin可以由LCR的值快速计算得到

模型的个参数可以由材料的系数计算得到,实际应用中通常更加3D仿真或者实际测试值参数提取得到。

MBVD(ModifiedButterworth-VanDyke)模型

MBVD模型在BVD模型的技术上,增加了介质损耗R0和机械/阴线损耗Rs.电路图如下

小结:BVD和MBVD都是基于电路集总参数模型,电路更简单。

计算FBAR电路模型,通常使用ADS等电路仿真软件,这个已经有很多文章介绍了。后面的文章,我准备从FBAR的

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