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文档简介

第三章传感器技术§3-1基础知识一、定义:传感器是一种能把特定的被测信息(物理、化学、生物量)按一定规律转换成某种可用信号输出的器件和装置。传感器技术——~原理~器件设计~开发和应用的综合技术

工程学:多学科(敏感材料学、微细加工、传感器技术)交叉渗透。传感器结构及分类1、构成被测量有用非电量有用电量结构特性:有源①自源型(热电偶、压电器件)无源②激励源外加辅助能源。电、磁、光、核等。磁电、霍尔、红外测距等。无源③外源型变换电路(俗称信号调理与转换)电桥、放大器、调制器等。4类结构④补偿型用于排除环境干扰(一只环境另一只被测量)应变压力、固态电阻⑤差动结构补偿型。与补偿型完全相同;转换元件按照同一被测量,作反向转换,消除干扰因素⑥不同传感器补偿。热偶补偿、压电补偿片上的温度和加速度干扰补偿。⑦复合型。以上若干种复合。发展趋势1、传感器需求广泛、普及高新(尖端技术)需求最胜、信息处理、各种检测、工业控制、环境污染、光能应用。2、开发新型传感器。新原理、高灵敏、生化类3、集成化、多功能:利用固态功能介质(单晶硅、电解质、强磁体);多参数、立体(三维、多维)、功能芯片:传感器+放大器+PC4、智能化:含检测转换、记忆、存储、分析处理、自诊断、自校准、自适应5、生物器官传感器(仿生传感器):利用仿生学原理。如:狗嗅觉(灵敏度为人的106

倍),蛇的接近觉(感知0.001℃)。

传感器的数学模型(各种参数模型为主)1、静态模型代数方程:反映传感器的静态特性其中:xi输入y输出量

a0:零位输出

a1:传感器灵敏度

ak(2~n)

:非线性系数条件:静态条件下x1)线性2)二阶n阶非线性

3)特定指数、对数型

2、动态模型(反映传感器的动态特性)①微分方程

一般传感器b0≠0,b1~m=0②传递函数(常用)可查产品手册四、传感器的特性指标1、静态指标①线性度(非线性,用相对误差表示)

:输出平均值与拟合直线间的最大偏差:(FullScan)理论满量程输出值③重复性a:置信系数,取2:置反概率为95.4%;取3:置反概率位99.73%

计算:ⅰ)贝赛斯公式法

ⅱ)极差法极差系数;d2:1.41;d10:3.18④灵敏度⑤分辨率x最小变化量⑥静态误差(精度指标)⑦阈值即传感器的死区(非线性死区)⑧稳定性(标定有效期如一级温度计,半年;二级,一年)⑨漂移五、传感器的标定和校准

1、标定:利用基准或标准器具对传感器进行标度(按标定有效期)校准:在使用和存储后进行性能复测2、标定系统:被测量标准发生器(活塞式压力冲、测力器、恒流源、标准砝码)标准测试系统(设备器件)信号调压器及显示记录系统标定权限3、力值传递系统为例

允许误差(标定)单位部门

±0.001%国家基准测力机基准器(中国计量科学研究院)

±0.01%一等标准测力机一等标准器(国防科委、部省一级计量站)

±0.1%二等标准测力机二等标准器(市、企业计量站)

±0.3~0.5%三等标准测力机三等标准器

±1%工程测试测试用力传感器4、静态动态标定(国家标准、国际标准84年)§3-2常用传感器(不涉及分析与综合)(△R△C△L)(△I△V△Q)外源激励自源或激励源一、电阻式传感器(电阻应变式、热电阻、压阻、光阻)1、热电阻(金属热电阻、半导体热电阻、半导体PN结)测量温度变化的转换元件,用于温度检测补偿传感器等、广泛应用

b)铜电阻线性-50~150℃Rt=R0(1+At+Bt2+Ct3)C)铟电阻(低温热电阻):-269~-258℃灵敏度高,重现性差锰电阻:-271~-210℃灵敏度高

热敏电阻(半导体热电阻)灵敏度,A大,体积小(响应快)a)、NTC负温度系数A为负-100~300℃b)、PTC高温度系数A为正c)、CTR临界温度系数d)、封装及用途家用电器,医疗卫生,辅助测量③PN结(激励源)-20~+50℃AD590~AD592b)勃底特兹明

C:材加工常数Km:应变灵敏系数(基本为线性的)2)应变片的结构与类型a)组成及基本形状(体积较小)丝状敏感栅电阻>100Ω

箔头材料:各种金属、合金基底引线盖层粘结剂b)分类(较多)材料康铜(Cu55Ni45)敏感栅结构:单轴、多轴、应变片镍铬(Ni80Cr20)基底材料:纸质、胶基、金属基卡码合金制栅工艺铂铂银合金(Pt0、Ir20)使用温度低(-30℃以下)、常(-30℃~+60℃

)中高(+350℃以上)c)温度效应原因:敏感栅材料的影响

K:应变片的灵敏系数(取Km):试件与敏感栅的材料的线膨胀系数热补偿4)应变计式传感器(应变仪)a、二、电容传感器结构简单、分辨率高、非接触测量、抗高温、辐射、振动等。1)原理及结构a)介电常数(相对)真空介电常数(绝对)b)变极距:差动式变极距c)变面积d)变介质2)应用及存在问题特点:分辨力极高,宽范围,动态特性好,过载力强。数字测量有应用前景(微信息化)数字卡尺(测位移10μm0~150mm)物位测量(腐蚀、辐射性)存在问题:边缘效应、静电引力、寄生电容、温度影响三、变磁阻式传感器1、原理与结构a、L=W2/Rn

L=W2μ0μeS/lRc:线圈内阻(铜耗电阻)Re:铁心涡流损耗Rh:磁滞损耗S:磁通载面积μ0真空磁导率μe磁场磁导率b)结构变气隙式变面积式改变S,衔铁水平移动螺管式差动式自感互感电涡流式压磁式2、自感式磁动传感器(可用于精细测量,改善非线性)a、

b)电桥电路输出端对称变压器电桥变压器次级作为平衡臂电桥电桥开路时全线性,应用广泛

R:Z1、Z2的内阻激励电源:调频电路,用以产生100KHz交流电源c)特点感应电势大、不需要按放大电路,测量范围宽,精度较高缺点:非线性(不开路时),温度影响,激励电源稳定性要求3、应用a)位移尺寸测量b)压力c)力,力矩d)振动四、能量转换型传感器:自源、激励源将待测量动量(位移、压力等)传感器感生电动势(微电流等)1、自源型1)磁电式:结构性能特点应用永久磁铁、运动线圈可双向转换,功率大测振误差补偿(温度,非线性)简单零位及性能稳定速度磁场稳定性频带10~1KHz力发生器(逆向)2)压电式结构性能特点应用离子型晶体(石英、钛酸钡)灵敏度高、分辨率高振动(占80%)压电常数、弹性常数、介电常数线性好、寿命长测力(主要)机电耦合系数、绝缘电阻体积小、刚度好(冲击、振动加速度、人血压计、微位移计)居里点近测、遥测3)热电式

K型、U型最广泛、工业使用测温

U型需温度补偿及导线补偿(管道流量热电继电器、气体分析仪)热电偶EAB(T0)实现方法a)直接法:利用热电阻或PN结产生与热电偶相同的热电势(电桥、恒流源)b)间接法:测量T0,EAB(T0)=校正系数*T0c)冰点补偿(试验用)2、激励源式(光电、红外、激光、微波)1)光电式结构两种光通量生成方式X1:待测引起的光源的光通变化X2:待测引起的光源的调制光通变化a、光源:按光波长分类(光谱传感器)光谱仪红外光源:(白炽灯+滤光片)气体放电光源:(原子辐射光谱不同线光谱和带光谱)碳弧、低(高)水银灯、纳弧、氙弧灯发光二极管(发展快、前途好)低功耗、高亮度新型光源(国家、省攻关)红外、可见光波段(400~1000nm,红外800~1800)激光CO2~(λ:10.6μm)光雷达

Ar+~(0.516μm)Na:YAG固体~

光源特性:辐射特性:相于性(白炽灯:非相于源;激光器:相干源)光谱特性:辐射中心的波长λ

辐射光谱宽:△λ

光电特性:激励的电与光辐射关系(双向均可)噪声电平:散粒噪声、光子性产生、平均观测、在一定时间间隔光源所发出N个光子,在连续时间内实际发射的光子数有变化b)光电传感器外光:光电管,光电倍增管内光:半导体器件,光敏电阻,光敏二极管(红外接收管),光电池2)光电传感器特性a、光照特性b.光谱特性(光谱响应)指相对灵敏度k与入射光波长λ之间的关系c、响应时间(动态特性)对于调制型光电传感器;f上限≤响应时间-1d、其他。峰值探测率(最初用于红外)—暗光源描述NEP

温度特性伏安特性(输出)3)新型传感器a、SPD:光位置传感器单维,二维,三维

机械加工中定位

运动分析

机器人视觉系统

交通监测3)新型传感器b、CCD:电荷耦合器(chargecoupled~)

CTD:电荷转移器(chargetransfer~)二者为固态图像传感器在硅衬底上生成120mm的SiO2层→Al沉积形成MOS,电容式转移器件线性CCD图像传感器:两列结构一列为光敏主阵列一列为CCD

线性CCD图像传感器:两列结构一列为光敏主阵列并行之间有转移栅一列为CCD

特点:简单,高空间分辨率(宇宙探测摄像等)面型CCD图像传感器:多阵列,扫描装置按感光区,信号存储,输出转移分有三大类

i)行扫描发生器,图像模糊

ii)存储区串行输出:简单,转移单元可富集(集成加工)分辨率1024x102420万300万

iii)感光+输出转移:图像最好,摄像头

三.微流控分析及微流空芯片传感器1、微流仓分析系统(μTAS,Microtoldanalysissysterm)

90年代瑞士:Manz,Wiodmen在微机电加工技术基础上发展。特点:芯片lab-on-a-chipLoc→微流芯片技术microfludicchips分析传感器→分析实验室→芯片上→μfc+μc高度学科交叉:微加工技术+生命科学+光学,材料学等+计算机系统在微米道路上,研究,传导,吹附,微区反应应用,分析领域2、发展及趋势1、瑞士:毛细管电脉90年代初2、94年,(美)橡树岭同学实验室,Ramsay在毛细管电脉上提高性能及应用3、荷兰,Enchede,首届μTAS大会(94年)(95年)加州大学,Berkeley分析,实现高速DNA测序首尔μTAS企业,calipes,Tech…公司(95.9)美(哈佛大学),Whilesides研究化(96年)聚合酶链反应(PCR)+电脉2、发展及趋势4、专利之战(98年)99年慈善(Agelent)与Caliper联合,微分μfc2001核酸蛋白质芯片(5~6中芯片)

2002DNA芯片→市场(成功用于人类基因组计划)

2000,5第四届μTAS会议在荷举行

2001,10美(Monterey)举行

2001英国皇家化学会主编《Lab-on-a-cjip》创刊2、发展及趋势5、趋势微阵列化毛细管分离→L-L萃取过滤,无膜扩散,多种分离手段单通道→多感单行检测,达384道检测手段多样化:单分子,单细胞微流空分析的计算机模拟及理论发展产业化进程成果:北大,浙大,等2、发展及趋势6、加工技术芯片材料:硅芯片,玻璃,石英,高聚物,复合材料加工技术:光刻(蚀刻),高聚合物(模塑,激光热蚀),软光刻。键合微流体驱动与控制:微泵(热气动,压电,静电),微阀,进样系统2、发展与趋势7、微流控芯片传感器荧光,激光~(LIFLaserinducedfluorescence)吸收光化学发光电化学检测质谱检测SenacoAS100声传感器

SenacoAS100声传感器检测从设备(声传感器)和移动物料之间高频声波的变化。它检测和对固体流动到受阻的变化立刻作出反应,物料有没有或设备故障,如过滤器袋破裂,这就允许操作员提早采取预防措施和避免损失严重的事故

BB系列波纹管式

MicroSAM,西门子最新推出的在线过程气相色谱仪,它为工业应用带来了一种崭新的外形设计-小巧。结合现代硅显微机械加工技术和信誉卓著的西门子MaxumeditionⅡ型气相色谱仪的EZCHrom软件,使Mic

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