光电检测填空题库

光电检测填空题库题库检测器输出与输入辐射功率的比称为响应度。。6．入射光辐射到检测器后或入射光被遮断后，光电检测器件输出上升到稳定值或下降到照射前的值所需要的时间称为响应时间。载电阻上的信号功率与噪声功率比称为信噪比。12．PIN管是光电二极管中的一种，在P型半导体和N型半导体之间夹着一层(相对)很厚光电子发射效应、二次电子发射效应和N相干性好的特F定义为放大器总的输出噪声功率与源电阻在放大器输出端的噪声功率之比。17．要使前置放大器获得最佳噪声性能，必须满足噪声匹配条件，即要求信号源阻抗佳源阻抗。此时放大器的噪声系数最小。18．光检测器的平方律特性：光电流正比于光电场振幅的平方，电输出功率正比于19．直接检测系统的输出信噪比是输入信噪比的平方，所以它不适用于输入信电路等组成。21．当不考虑检测器本身噪声影响，只包含输入背景噪声的情况下，外差检测器的输入信率为n1，包层的折射率为n2，则n1大于n2(大于、等于普克尔效应、法拉第磁光效应和光弹效应等物理统不受光源的影响，应采用浮动阈值二值化处理被动式。26．受被测物理量控制的光通量，经光电接收器转换后由检测机构可直接得到所求被测物是直接作用法。相联系的是少数载流子的行为，其寿命通常很短。所以以光伏效应为基础的检测器件比以光电导效应为基础的检测器件有更快的响应速度。29．光电检测器输出与输入辐射功率的比称为响应度。光电检测器件输出的电流或电压与入射光通量之比称为光谱响应度。造成的。电流大，可达数毫安级别。电阻灵敏度高，光电增益可以大于1。34．光敏电阻的时间常数较大，所以其上限频率低(高或低)。PIN层电阻很大，管子的输出电流小，一般多为零点几微安到数微安37．对于PIN管，由耗尽层宽度与外加电压的关系可知，增加反向偏压会使耗尽层宽度增加，且集中在本征层，从而结电容要进一步减小，使频带宽度变宽。件和受光器件封装在一个组件内构成；40．图解法适用于大信号状态下的电路分析，在大信号状态下，可定性地输一般光电检测器件中主要的噪声是热噪声和散粒噪声。42．热噪声存在于任何电阻中，与温度成正(正或反)比，与频率无关，说明43．直接检测系统在系统设计时，在检测到信号的基础上尽可能减小系统视．计量光栅可分为透射式光栅和反射式光栅两大类，均由光源、光栅副、光敏元数的变化，而导致光强度发生变化来实现敏感测量的，是利用了光的强度调制光电信号转换成0，1数字量的过程称为光电信号的二值化处。光纤按其折射率的分布情况，可以将光纤划分为阶跃型和梯度49．光接收机有两种类型，一种是功率检测接收机，另外一种是外差接收。统，将被测量转换为光参量的过程称为光学变光电转换。．光照射的物质电导率发生改变，光照变化引起材料电导率变化，这种效应称为光。56．光电池是一种利用光生伏特效应制成的不需加偏压就能将光能转化成电能的随温度升高而下降。58．PIN管的PN结内电场基本上全集中于本征层中，从而使PN结双电层的间距加宽，结电PN产生的雪崩效应来工作的一种，发射结为位、导向、测距等利用了激光方向性好的特点。，热噪声只与电阻和通频带有关，因此热噪声又称电阻噪声或白67．利用被测对象对敏感元件的作用，使敏感元件的折射率或传播常数发生变化，而导致光的相位变化，这种调制是相位调制。料射现象称为光弹效应。大小。应。2．在微弱辐射作用下，光电导材料的光电灵敏度有什么特点，为什么要把光敏电阻制造持线性关系。因为产生高增益系数的光敏电阻电极间距需很小(即小)，同时光敏积如果太小而不实用，因此把光敏电阻制造成蛇形，既增大了受光面积，又减特点：①结电容小，频率相应高。最大特点是频带；②可承受较高的反向电压，线性输出二)雪崩光电二极管(APD)(1)结构原理：雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的，其工作原理如下图所示。雪崩光电二极管工作电压很高，约为100~200V，接近反向击穿电压。结区内电场极强，光生载流子在这种电场中的得到了极大的加速，同时与晶格原子发生碰撞产生电离，产生更多的电子空穴对。新生的电子空穴对在强电场作用下重复这一(1)光电池的光敏面做的较大，因而极间电容较大(2)光电池工作在第四象限，有较小差异。6．光电倍增管的供电电路分为负高压供电与正高压供电，试说明这两种供电电路的特它们分别适用于哪种情况7．在微弱辐射作用下，光电导材料的光电灵敏度有什么特点，为什么要把光敏电阻制造8．为什么结型光电器件在正向偏置时，没有明显的光电效应它必须在那种偏置状态为什么应9．简述光电池、光电二极管的工作原理及区别光电池和光电二极管都是基于光伏特效应的原理进行工作,只不过光电池可以工作在零偏状态下,是光伏工作模式,器件内阻远低于负载电阻,相当于一个恒压源;而光电二极管必须在反偏电压下才能工作,是光电导工作模式,器件内阻远大于负载电阻,此时器件相当于一个恒流源.探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的变化，而是把吸收的光能转化为晶格的热运动能量，引起探测元件温度上升，