恒压恒流充电器

-.z模块性质：非隔离降压恒流、恒压模块〔CCCV〕充电模块适用*围：大功率LED恒流驱动,锂电池充电(包括铁电),4V、6V、12V、14V、24V电瓶充电、镍镉镍氢电池〔电池组〕充电,太阳能电池板,风力发电机输入电压：7-35V如需要更高电压请直接联系我输出电压：〔1〕连续可调〔1.25-30V〕

〔2〕固定输出〔1.25-30V之间任意选择〕,购置时请告诉掌柜。〔暂时只针对批量客户，样品全部发可调型〕输出电流：额定2A，最大4A(超过15W请安装散热片)恒流*围：0-3A〔可调节〕转灯电流：恒流值*〔1%—100%〕，转灯电流与恒流值联动，比方恒流值为3A，转灯电流设置为恒流的0.1倍(0.1*3A=0.3A)，当把恒流值调节成2A时候，此时转灯电流为恒流的0.1倍(0.1*2A=0.2A).默认出货时已经调节到0.1倍最低压差：2V输出功率：自然冷却15W转换效率：92%〔最高92%〔输出电压越高，效率越高〕输出纹波:

20M带宽

〔仅供参考〕输入12V输出5V3A60mV(MA*)工作温度：工业级〔-40℃到+85℃〕〔环境温度超过40度，请降低功率使用，或加强散热〕满载温升：45℃空载电流：典型10mA(12V转4.2V)负载调整率：±1%电压调整率：±0.5%动态响应速度：5%200uS电位器调节方向：顺时针〔增加〕，逆时针〔减少〕指示灯：恒流指示灯红色，充电中指示灯红色，充电完毕指示灯蓝色输出短路保护：有，恒流〔当前设置恒流值〕输入反接保护：无，请在输入串联二极管。接线方式：焊接，加引脚后可直接焊接在PCB上电池充电使用方法：1.确定您需要充电电池的浮充电压和充电电流，模块的输入电压；2.调节恒压电位器使输出电压到达浮充电压；3.用万用表10A电流挡测量输出短路电流，同时调节恒流电位器使输出电流到达预定的充电电流值；4.充电转灯电流默认出货为0.1倍充电电流〔恒流值〕，如需调整请调节转灯电流电位器；5.接上电池，试充。〔1、2、3、4步骤为模块输入接电源，输出空载不接电池。〕LED恒流驱动使用方法：1.确定您需要驱动LED的工作电流和最高工作电压；2.调节恒压电位器使输出电压到达LED最高工作电压；3.用万用表10A电流挡测量输出短路电流，同时调节恒流电位器使输出电流到达预定的LED工作电流；4接上LED，试机。为了方便大家学习，进一步了解锐骏MOS管的应用，我们为大家提供了10种驱动电路供大家选择参考。

1.

PWM芯片直接驱动MOSFET

2.开通和关断速度分开控制的MOSFET驱动电路

3.带图腾柱扩流的MOSFET驱动电路

4.使用TL494,SG3524内部的输出电路采用的单端集电极和射极开路的驱动电路

5.

使用光耦隔离的驱动电路

6.

使用光耦隔离的带负压关断驱动电路：

7.

采用专用驱动光耦驱动的隔离驱动电路：

8.

电动车控制器驱动电路

9.

P管驱动电路：

10.

多管并联驱动电路：

MOSFET作为一种新型的功率器件，具有开关速度快，内阻低损耗小等优点，但是如果使用不当也容易损坏。MOSFET损坏的原因主要有过压，过流，短路，静电，过热，机械损坏等。

一．过压：MOSFET的过压主要分为栅源极过压和漏源极过压。1.

栅源极过压：MOSFET的栅源极之间允许的电压〔VGSS〕都有一个限制，业界的一般是±20V,锐骏半导体大局部MOS管的栅源极耐压是±25V,意味着MOSFET的栅源极之间超过这个电压，MOSFET就有可能击穿损坏。为了防止栅源极过压，我们可以采取如下措施：1〕.采用12-15V稳定的电压给MOSFET驱动芯片供电；2〕.对于无法采用12-15V稳定的电压给MOSFET驱动芯片供电的情况下需要在栅源极之间并联15V的稳压管。

2.

漏源极过压MOSFET的漏源极之间允许的电压〔BVDSS〕都有一个限制，意味着MOSFET的漏源极之间超过这个电压，MOSFET就有可能击穿损坏。因此在选型的时候我们需要根据电路的电压输入*围和拓扑构造来选择MOSFET并留有一定的余量。当然，由于分布参数和变压器漏感的影响，在MOSFET的*个工作瞬间往往会瞬间过压，虽然MOSFET具有抗击这种瞬间过压不被损坏的能力，但也不能超过一定的限度，为了电路的平安，我们还是要做好保护措，一般以下几3种：1〕.采用瞬态二极管的尖峰抑制电路：

2〕.采用RC吸收回路：

3〕.采用RCD吸收回路：

二．

过流MOSFET能承受的的电流和芯片，时间，结温和电流都有关系，例如锐骏半导体的RU190N08R,芯片在25度时允许通过的电流为ID=190A,在100度许通过的电流为ID=140A,但是这个只是芯片能承受的电流，当然还受封装的限制，对于TO-220封装来说，只允许通过75A的电流。如果是瞬间呢，在25度时，在300微秒〔没有超过平安区域〕的脉冲宽度可以通过700A的IDP(峰值电流)。在设计选型时我们要根据的上述电流参数选择适宜的MOSFET并留有一定的余量，MOSFET过流一般都是由于过流后引起结温过高而损坏，或者是超过了平安区域导致耗散功率过大损坏。常规的过流保护电路有：1〕.采用源极串联电流取样电阻的过流保护电路:由图中可以看出，U1的电流比拟基准是1V,只要R3两端的压降超过了1V,U1就关断PWM停顿输出，从而保护了MOSFET.

2〕.采用电流互感器取样的过流保护电路:互感器取样的特点是能过很大的电流而损耗小，但体积比拟大。

三．短路短路也可以理解为严重的过流，以锐骏半导体的RU190N08为例，我们来看下MOS管的平安区域：

从曲线上可以看出，当VDS=13V时，300A的电流只有1MS的时间耐量。还有规格书上标明了300US的耐电流是700A,这些都是我们设计短路保护的重要依据。比方我们设计一个24V的系统采用的就是单颗这个型号的MOSFET，经过计算和测量MOSFET回路〔包含供电电源的内阻〕是20mΩ，如果不限制短路电流的话，则短路电流将到达24/20mΩ=1200A,这个电流有可能使MOSFET在很短的时间内烧毁。所以我们需要快速地检测MOSFET的电流比方到达300A,快速〔几十到几百微妙〕地关断它。从而保护了MOSFET的平安。一种典型的过流短路保护电路如下列图：

四.静电MOSFET由于输入阻抗极高，属于容性负载，因而对静电非常敏感，当输入电容感应静电到一定电压时就有可能损坏。防静电的一般措施有：1〕.包装,采用防静电袋，管脚套短路环；2〕.储存环境的湿度控制，保持相比照拟高的湿度可以防静电；3〕.接地,所有接触MOSFET的设备都要有妥善的接地措施；4〕.电路参加防静电措施，如栅极并联稳压管；

5〕.操作人员的防静电，如穿防静电服，带静电环等。五.

过热

当MOSFET超过允许的结温时很容易缩短使用寿命，甚至很快烧毁，所以在选型时需要预留值比拟大，并设计过热保护电路。

一般的过热保护电路由热敏电阻做温度检测，如PTC,超过一定温度，PTC的电阻会上升很多，如果在PTC上通过一个电流，其两端的电压也会上升很多，我们可以用比拟器设定一个基准电平，超过这个基准电平，比拟器就会发出一个高或地电平关断MOSFET,这就是典型的温度保护的原理，其典型的电路如下：

六．机械损坏由于芯片和管壳的弹性系数不同，虽然在管壳螺丝孔和芯片之间加了机械应力缓冲措施，当它们封装成一个整体后，还是不能超过一定的机械应力，比方对于TO-220封装在打螺丝时，〔电动〕螺丝刀的扭力不应超过6KG.

在大功率产品的实际应用中，单颗MOS管往往达不到需要的电流，此时我们需要把多颗MOS管并联起来应用，这样很大的电流由多颗MOS管来分担，单颗MOS管承当的电流就比拟小了，确保了器件平安稳定地工作。但是如果应用不当，也会使多颗并联的MOS管电流不均衡，甚至损坏*颗MOS管使系统崩溃。1.

MOS管并联的可行性分析由下面的*颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于*种原因〔比方RDSON比拟低，电流路径比拟短等〕导致*颗MOS管的电流比拟大，这颗MOS管会发热比拟严重，内阻会升高比拟多，电流就会降下来，由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。

2.

MOS管的并联电路理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。并联的一般电路图如下

上图中，R1-4为栅极驱动电阻，每个MOS管都由独立的栅极驱动电阻隔离驱动，主要是可以防止各个MOS管的寄生振荡，起到阻尼的作用。R1-4的取值怎么取呢.如果取值过小，可能就起不到防止各个MOS管的寄生振荡的作用，如果取值大了，开关速度会变慢，由于每个MOS管的结电容会有细微的不同，结果取值过大还会导致各个MOS管的导通速度相差比拟大，所以R1-4在能够防止各个MOS管的寄生振荡的情况下尽量小到可以满足开关速度。关于R5-R8的栅极下拉电阻，主要作用是在驱动IC损坏开路的情况下可以防止MOS管的误导通。在*些特殊的应用场合下，比方对待机电流有限制的电池保护板，这个电阻往往取值很大甚至没有，这样栅极的阻抗会比拟高，极易感应比拟高的静电损坏MOS管的栅极。这种应用最好在栅源极之间并联一个15V左右的稳压管。3.

MOS管的并联对布线的要求大家知道，多个MOS管并联，漏极和源极的走线都需要通过多个