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第七章半导体存储器第七章半导体存储器7.1概述能存储大量二值信息的器件一、一般结构形式输入/出电路I/O输入/出控制！单元数庞大！输入/输出引脚数目有限二、分类1、从存/取功能分：①只读存储器(Read-Only-Memory）②随机读/写（Random-Access-Memory）2、从工艺分：①双极型②MOS型二、举例地址数据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0~An-1W0W(2n-1)D0Dm两个概念：存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0”存储器的容量：“字数x位数”7.2.2可编程ROM（PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同7.2.2可编程ROM（PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同写入时，要使用编程器PROM：所有的存储单元均为0或1，可根据需要改写一次存入数据（编程）的方法：熔断法，PN结击穿法7.2.3可擦除的可编程ROM（EPROM）EPROM：可根据需要改写多次，将存储器原有的信息抹去，再写入新的信息，允许改写几百次方法：利用雪崩击穿，采用特殊的雪崩注入MOS管或叠栅注入MOS管擦除方式：紫外线照射特点：擦除操作复杂，速度慢，正常工作时不能随意改写一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM）二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM）方法：利用隧道效应，采用具有两个栅极的特制NMOS管和一个普通NMOS管擦除方式：加电特点：擦除操作简单，速度快，正常工作时最好不要随意改写总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同三、快闪存储器（FlashMemory）为提高集成度，省去T2（选通管）改用叠栅MOS管（类似SIMOS管）三、快闪存储器（FlashMemory）方法：采用特殊的单管叠栅MOS管，写入用雪崩注入，擦除利用隧道效应擦除方式：加电特点：擦除操作简单，集成度高，容量大二、SRAM的存储单元六管N沟道增强型MOS管7.3.2*动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理7.4.2字扩展方式适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时1024x8RAM例：用四片256x8位→1024x8位RAM0001110110111011011111107.5用存储器实现组合逻辑函数一、基本原理从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数地址数据A1A0D3D2D1D000010

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