带-杂质中心之间的跃迁课件_第1页
带-杂质中心之间的跃迁课件_第2页
带-杂质中心之间的跃迁课件_第3页
带-杂质中心之间的跃迁课件_第4页
带-杂质中心之间的跃迁课件_第5页
已阅读5页，还剩7页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

5.3带-杂质中心之间的跃迁施主和受主杂质中心的能量状态施主和受主杂质中心的红外吸收带-施主（受主）中心的复合发光1施主和受主杂质中心的能量状态半导体掺杂

n-Si(Ge)N,P,As,Sb,Bi等

p-Si(Ge)B,Al,Ga,In等

在禁带中形成施主或受主能级，电离能~emVCVDAEDEA电子（或空穴）在杂质中心附近受到库仑势其中r为电子或空穴的位置坐标采用弱束缚近似方法-类氢原子模型2解薛定谔方程，可得杂质能级（分别以导带底或价带顶为0点）其中R*为杂质态得里德伯常数其中m*为电子或空穴德有效质量.Wannier激子？杂质中心上的电子（空穴）的等效半径为其中aB=0.53x10-8cm,为氢原子波尔半径例如GaAs：r1*=90.9x10-8cm(半导体:Si:r1*=20x10-8cm大,m*/m0小)Ge:r1*=45x10-8cm注意有效质量的各向异性！3eV单晶Si受主杂质浅跃迁吸收谱吸收峰位位于红外区与带间吸收不同，吸收强度随光子强度增加而下降吸收系数~几十个cm-1,低温下观察。吸收（相对值）EiEiD0A05InSb中杂质中心到带间的深跃迁吸收谱T=10K，Zn或Cd在吸收边低能方向，台阶结构EiEiD+A-6带-施主（受主）中心的复合发光(a)和(b)：浅跃迁-导带电子(价带空穴)到电离施主(受主)间的跃迁，e→D+,A-→h,面临发射声子的竞争(c)和(d)：深跃迁-中性施主与价带或导带与中性受主间的跃迁，D0→h,e→A0，面临带间复合的竞争7施主-受主对的能量状态考虑施主和受主杂质同时掺入的情况：施主-受主对联合中心：D+可能俘获一个电子，A-可能俘获一个空穴，形成D+A-eh或D+A-X中心，简称施主-受主对（D-A对）施主-受主对联合中心相当于束缚在D-A对上的一个束缚激子。ND/NA<1部分补偿ND/NA=1全补偿ND/NA>1过补偿受主态会被部分的占据，而施主态会部分的空出，形成D+A-自补偿态。其初态能量:其终态能量:(其中EA和ED分别代表受主和施主的电离能，r表示D-A之间的距离)9弱束缚情况下光跃迁的能量条件：其中ħ(∞)表示r∞时D-A对吸收和发射的光子能量。rEDEAħCVED+EArħEg10施主-受主对的吸收与发光光谱施主-受主对的吸收光谱锐线系结构？由上述公式可得施主-受主对的吸收与发光光谱特点：(1)锐线系

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 医学制药

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论