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前 1.1电源地的设计要 主时钟和RTC电路设计要 DDR电路设计要 ETH电路设计要 SDCARD电路设计要 特殊GPIO设计要 11.1电源地的设计要√(PASS/NODVDD_MEDIA:Media部分的内核电源,电源10A。DVDD:DVDD部分的内核电源,电源选型要5A。DVDD_CPU:CPU部分的内核电源,电源选型3A。DVDD_GPU:GPU部分的内核电源,电源选型5A。CORE电源的实际电压由SVB动态调压电路控Hi3559AV100ESSVB调压电1.2.5小节。1.2.5小节。1.2.5小节1.2.5小节√(PASS/NOAVDD18_PLL1.8V之间用磁珠(1000Ω@100M)进行,并与周边电容组成π型滤波电详细请见《Hi3559AV100ES1.2.4主时钟和RTC电路设计要√主需要一个24MHz外接时钟,最大RTC在固定分频模式,计时精度主RTC。注意:RTC、PMCsensorhub模块都RTC时钟。Xin,Xout,RTC_XIN,RTC_XOUT信号走线越短越好且全程做RTC晶体高湿环境不起√Hi3559AV100ES选择内部复位时,BL19管脚复用为SYS_RSTN_OUT功能。Hi3559AV100ES选择外部复位时,BL19管脚复用为WDG_RSTN功能,此时管脚为OD该部分电路设计请参考《Hi3559AV100ES硬件设计用户指南》1.1.2节。小系统相关的外设(boot的flash器件)Hi3559AV100ES一DDR√DDRPCB必须完全拷贝海思4PCS4颗粒DDR4设计请拷贝Hi3559AV100ESDMEB的设计;8PCS8颗粒DDR4设计请拷贝Hi3559AV100ESDMBPLUS为了增加DDR的可靠性,DDRReset信号需要1nFGND。SPI/Nandflash/eMMC/UFS√1.1.82.5BOOTFLASH√1.3SPI/I2C√I2CSCL、SDA是OD输出的管脚,需sensorI2C建议2kΩI2C建议选择4.7kΩSPI/I2C电路设计请参考《Hi3559AV100ES硬件设计用户指南》1.3.3章节。注意:I2C总线上各器件地址不要√(PASS/NOHi3559AV100ES支持多路Sensor接口,Sensor的1.8V。MIPIRx/LVDS100Ω跨接匹配电阻,MIPIRx/LVDS《Hi3559AV100ES硬件设计用户指南》1.3.2章节VI接口设计部分。VI接口应用场景请参考《Hi3559AV100ESMIPIRx0的数据信号、MIPIRx1、MIPIRx2和MIPIRx3MIPIRx0的时钟信号线长为基准,偏差控制在±300mil以差分信号组内走线长度偏差控制在±5mil以内,100Ω;√(PASS/NO15mil相邻差分15mil;之间必须使用GND管脚进行。VOBT.11208bit是Y(亮度)8bitC(色度)信号,注意不要对√(PASS/NO提供一个模拟Audiocodec,同时也提I2S接口,但是AudiocodecI2S接口AC_VREF10uF。Hi3559AV100ES2MIC_BIAS管脚,AC_MICBIAS0对应AC_IN0L/R,AC_MICBIAS1AC_IN1L/R。在使用MIC输入时,为获得较好的音频质量, 端在AC_MICBIAS输出管脚近端将信 Hi3559AV100ES放置,电容容值推荐选择模拟音频输入输出信号、MICBIAS信号要求全√(PASS/NOAC_OUTL和AC_OUTR的增加音频放大器Hi3559AV100ESDMEB板版本原理图。I2S接口的MCLK需在近端串联33Ω电ETH√(PASS/NOMDCKHi3559AV100ESHi3559AV100ESMAC1.8VRTL8211FIRTL8201F的时钟3.3V电平,所以主输出的EPHY_CLK和EPHY_RSTN信3.3V才能对接以上两种PHY,如果用户使用其他PHY,则需PHY手册关于这两个管脚的电平要applicationnotereferencedesign。因phy厂家会有不同的连接方式。JTAG√(PASS/NOJTAGTDI、TDO、TMS4.7kΩ的上拉电阻,TCK1kΩ的下拉电阻,TRST信号10kΩ的下拉电阻,预留上拉电阻。如果JTAGJTAG_EN3.3V电平信号。SDCARD√(PASS/NOSDCARDmos管控制上下电,SDIO0SD3.3VSDIO1只用于对接WIFI1.8VSDIO_CLK、DATACMDSDIO0的DATACMD当使用SD卡功能时,SDIO0_CARD_DETECT信号必须和SDCARD的DETECT引脚连接,PCB布局时,SD卡背面不要放置大功率的器件,以防止SD卡高温下失效。UART√(PASS/NO默认使用UART01.8V电3.3V电平才能与RS2
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