SPICE电路模拟六课件

SPICE电路模拟

第六章、蒙特卡罗分析蒙特卡罗分析的统计统计分布蒙特卡罗分析参数描述高斯分布.PARAMxx=GAUSS(nominal_val,rel_variation,sigma<,multiplier>).PARAMxx=AGAUSS(nominal_val,abs_variation,sigma<,multiplier>)均匀分布.PARAMxx=UNIF(nominal_val,rel_variation<,multiplier>).PARAMxx=AUNIF(nominal_val,abs_variation<,multiplier>)随机极限参数分布.PARAMxx=LIMIT(nominal_val,abs_variation)蒙特卡罗分析的启动通过.DC、.AC、.TRAN分析语句启动，并且可以通过MONTE参数设定蒙特卡罗分析的次数。.DCsweepVarstartstopstepsweepMCcommand.ACtypestepstartstopsweepMCcommand.TRANstepstartstopsweepMCcommandMCcommand的语法格式为：MONTE= $关键字+<val| $指明分析次数+valfirstrun=num| $指明初始值+listnum| $指明列表值+list(<num1:num2><num3><num4:num5>)>$指明列表值MCcommand示例MONTE= $关键字+<val| $指明分析次数+valfirstrun=num| $指明初始值+listnum| $指明列表值+list(<num1:num2><num3><num4:num5>)>$指明列表值示例：.dckstart=2stop=4step=0.5monte=10.dckstart=2stop=4step=0.5monte=5firstrun=6.dckstart=2stop=4step=0.5monte=list5:710.dckstart=2stop=4step=0.5monte=list(5:710)实验：P229，图P230。右边给出了部分参考代码monte.sp.optionspost.dcmonte=60.paramru_1=unif(100,0.2)Iu1u10-1ru1u10ru_1.end最坏情况分析（P140、P233）最坏情况分析经常被用来对MOS和双极型集成电路进行参数极端情况的分析，一般用来作最坏情况分析的参数是取其统计分布的+/-2σ或+/-3σ值来进行的。所选取的参数作最不利的组合，如：SS、FF、SF、FS等，而后在这种情况下进行电路性能模拟，从而进一步调整电路设计参数，最后以一种符合实际的折衷方法完善电路的设计。典型参数XL：实际沟道长度的误差Differencebetweenthephysical(onthewafer)andthedrawnreferencechannellength.XW：实际沟道宽度的误差Differencebetweenthephysical(onthewafer)andthedrawnS/Dactivewidth.TOX：栅极氧化层厚度Gateoxidethickness.RSH：源/漏极的方块电阻Source/drainsheetresistance.DELVTO：临界电压变化Thresholdvoltageshift.典型参数的影响数据驱动分析（P204）数据驱动分析，允许同时修改多个参数值，再执行原来指定的直流、交流、暂态分析等操作由.DATA语句定义参数值阵列在原来的直流、交流、暂态分析语句里要加入指定使用的数据阵列名称.DATA语句定义形式.DATAdatanmpnm1<pnm2pnm3...pnmxxx>+pval1<pval2pval3...pvalxxx>+pval1’<pval2’pval3’...pvalxxx’>.ENDDATA实例：.DATAmydataparam1param2123456.ENDDATA在分析里指定使用的数据阵列名称工作点分析.DCDATA=dataname直流扫描分析.DCvin150.25S