半导体二极管的特性及主要参数_第1页
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半导体二极管的特性及主要参数第一页，共十一页，2022年，8月28日一、半导体二极管的结构构成：PN结+引线+管壳=二极管符号：VD分类：按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型面接触型点接触型正极引线触丝N型锗片外壳负极引线负极引线

面接触型N型锗PN结

正极引线铝合金小球底座金锑合金平面型正极

引线负极

引线集成电路中平面型PNP型支持衬底第一章半导体二极管第二页，共十一页，2022年，8月28日第三页，共十一页，2022年，8月28日二、二极管的伏安特性OuV/ViV/mA正向特性Uth死区电压iV

=0Uth=

0.5V

0.1V(硅管)(锗管)UUthiV急剧上升0U

Uth

Uth

=(0.60.8)V硅管0.7V(0.10.3)V锗管0.2V反向特性IRUBR反向击穿UBR

U0iV=IR<0.1A(硅)几十A

(锗)U<

UBR反向电流急剧增大(反向击穿)第一章半导体二极管第四页，共十一页，2022年，8月28日反向击穿类型：电击穿热击穿特别注意：温度对二极管的特性有显著影响。当温度升高时，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。变化规律是：在室温附近，温度每升高1℃，正向压降约减小2～2.5mV，温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。—PN结未损坏，断电即恢复。—PN结烧毁。第一章半导体二极管第五页，共十一页，2022年，8月28日温度对二极管特性的影响604020–0.0200.4–25–50IV

/mAUV/V20C80CT

升高时，UV(th)以(22.5)mV/C下降第一章半导体二极管第六页，共十一页，2022年，8月28日硅管的伏安特性锗管的伏安特性604020–0.02–0.0400.40.8–25–50IV

/mAUV/VIV

/mAUV

/V0.20.4–25–5051015–0.01–0.020第一章半导体二极管第七页，共十一页，2022年，8月28日三、二极管的主要参数1.

IF—

最大整流电流(最大正向平均电流)2.

URM—

最高反向工作电压，为UBR/23.

IR

—

反向饱和电流(越小单向导电性越好)IVUVU(BR)IFURMO4.

fM—

最高工作频率(超过时单向导电性变差)第一章半导体二极管第八页，共十一页，2022年，8月28日影响工作频率的原因—PN结的电容效应

结论：1.低频时，因结电容很小，对PN结影响很小。高频时，因容抗减小，使结电容分流，导致单向导电性变差。2.结面积小时结电容小，工作频率高。第一章半导体二极管第九页，共十一页，2022年，8月28日四、二极管电路的分析方法1、理想模型特性uViV符号及等效模型SS2、恒压降模型uViVUthuv=Uth0.7V(Si)0.2V(Ge)Uth3、二极管的折线近似模型uvivUthUI斜率1/rDrvUth第一章半导体二极管第十页，共十一页，2022年，8月28日4、小信号模型如果二极管在它的伏安特性的某一小范围内工作，例如静态工作点Q（此时有。

如果二极管在它的伏安特性的某一小范围内工作，例如静态工作点Q附近工作，则

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