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文档简介

存储器实一实目RAM二实内1、实验原理图5.1EXD0～8个灯LAD0～显示，高电平点亮8位KD0提供，并经一三态门U51）线EXD0～EXD7用8芯排BUSD0～BUSD7，它手由W/R`提由CE`制CPU的P1.2制CPU的P1.1提位，的地址为A0～4字节有四：CS1为第一片选线为、5.1所示CE`控制（对应开关

、WEW/R`控制（对应开关+5V。图5.1LDAR由开关LDAR器LDAR号T3块将J22，2、实验接线总“”位MBUS连BUS2EXJ1连BUS3器J22T3TS3器J16SPH23器SWB、CELDAR

表功能表

DI

DO

/WE

X

ZDO

XXLL

DI

HLLZ

DI

LLLZ

X

HHLZ3、实验步骤连形号将“运行控制”开关置为运行方式”开关置为“连续”状态时，按动“运行则器T3

向00地据11KD7D0=00000000

数据开关置数

开输入三态门

LDAR=1

数据置入地址寄存器KD7D0=00010001

LDAR=0数据开关置数开入态门

WE=1LDAR=0

数据置入存储器RAM方法读入00

KD7D0=00000000

数据开关置数

开输入三态门

LDAR=1

数据置入地址寄存器LDAR=0WE=0

数据从存储器读出三实数记1、记录向存储器写入数据的操作过程。为00H01H02H03H，04H，05H：55

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