模电lecture0.1电子技术的发展及应用概况

一、电子学(Electronics)、电子技术(ElectronictechnologyElectronicsisthescienceandtechnologythatdealswiththeflowofelectronsthroughsemiconductors.Branch1–semiconductorphysics:thestudyofsemiconductordevicesandrelatedtechnology.Branch2–electronicsengineering(electronictechnology):thedesignandconstructionofelectroniccircuitstosolvepracticalproblems.二、发展与应用(Developmentand （

1947,thefirstThreeinventersofthefirsttransistorVontheNobelphysicsprize1947,thefirstBardeen,WilliamSchockley andWalterBrattaininBellLab）98en

I9fiVonNobelphysicsprizein icVonNobelphysicsprizein

a.Gordon

1971 4004Processor10um1999InPentiumIII0.18um2800万2008 Core2Quard45nm8.2亿Moore’sLaw:doublingoftransistorevery18 1965 IC3D ICNewMEMS(Micro-ElectroMechanicalSystem,微电机系统PrintedElectronics,HighBrightLED,Nanoelectronic CarbonNanotube

石墨烯（Graphene）

物理学奖•可以应用于晶体管、触摸屏MEMSIC Lab-on-Printed ElectronicHighBrightLED, Super2012,“天河一号” Aerospace HighSpeed

AutomotiveIndustrial Consumer数字信号(DigitalSignal)：在时间或数值上均离散的电信 ogSignal)：在时间和数值上均连续的电信uut 模拟电路ogElectronic电子系统(Electronic 电子系统(Electronic

(ElectronicDesign ,

0.2关于本课程 0.2关于本课程

0.2关于本课程 定理：KCL、KVL器件：R、C、L 一、半导体 一、半导体elementalsemiconductor:elementsingroup硅(Silicon,Si) 锗(Germanium,compound(化合物)semiconductor:groupⅢ-砷化镓(GaAs),磷化镓(GaP)，锑化铟ICFabricationProcessQuartzsandreductionandgrowthofacalledanSiSlicedinto 二、本征半导体(Intrinsic纯净的半导体晶体(single-crystal本征半导体的原子结构及其共价键(Covalent本征半导体中的载流子

bandgap

本征激发(带隙能量