1《电子技术基础》复习题电子元件2

经典word整理文档，仅参考，双击此处可删除页眉页脚。本资料属于网络整理，如有侵权，请联系删除，谢谢！《电子技术基础》复习题电子元件同一测试条件得三个同型号二极管的参数如下表所中性能最好的一极管（。）序反向电流反向击穿电压号（正向电压相（反向电压相8A2A6A(b)(c)中已标出各硅晶体管电极的电判断处于截止状态的晶体管（。）3V4V1V2.3V3V0V6V((d)当晶体管的集电极电流I超过其最大允许值I其后果为。（）C晶体管一定损坏不一定损不一定损要下降要升高D路如图所极管的正向压降为向工作峰值电压UA电压u为向峰值电流I。源U=100V载电阻Rk（）SLOVVVD+RuOLS--5、测得某一工作（硅管三个极的电位V=-3.2V，V=-2.5V，V=-7V，则该管BEC。）线性放大状态饱和工作状态截止工作状态1低频小功率晶体管的输入电阻r等于。）（UI26mV26mV300)300BEBIIEC型和型晶体其发射区和集电区均为同类型半导（N型或P型。所以在实际使用中发射极与集电极）。）（可以调换使用不可以调换使用PNP型可以调换使型则不可以调换使用8路如图所电压表的内阻为无穷R极管的型号为DV，则的读数约为V。）（D+12VR-电路如图所极管为同一型号的理想元阻R=4k位uAV，u电位u等于F。）（B1V3VVRuAuFuB电路如图所二极管为理想元uDt如图所U=，=V12i则输出电压u的波形为图中3。）（O2iDU-++0tuRuiO36--图2图1630tO63(b)tt00369(d)t036图33所为硅二极据出的电路参数判断该管为()。D正偏反偏零偏15k15k21D工作在饱和状态的型晶体其三个极的电位应为。）（V>VV>VVV>EBCBECV>VV<VVV>EBCBECV>VV<VVV>BEBCEC压管电路如图所压管的稳定电压U=，的稳定电压为U=DD，则电压U等于O。R1+UD++Z2D-+u-U-O-电路如图所已知u=3V晶体管T此时工作在IR1kCT=50uI40k-5V4t路如图所极管为理想元utU瞬输出电=0=3sinVi压u等于。OR+-+DuuOi-U-+电路如图所全部二极管均为理想元出电压u为O。6kRD236V+uD-OD420V8VDD5、电路如图所示，设二极管，为理想元试计算电路中电流12II，==。12D13k1ID22+12V-3V-+6体管处于截止状态集电结和发射结的偏置情况为发射电结路如图所D，均为硅管正向压降结。，为锗管正向压降，D（0.7V）D（0.3V）12U＝6V，忽略二极管的反向电流，则流过D、D的电流分别为12和。DD2+U-R22.5k2.5k晶体管的电流放大系数是指。8、知某晶体管的穿透电流I=，集基反向饱和电流I=4得的集电极电IB。5路如图所压管的稳定电压U=6源U，则负载R两端电=4VZSL压U为。L+UDZZ--++uO-路如图所压管正向压降视为它的稳定电压为7V回路DZ中的电流等于。R-D+3V哪些二极管导当u0V哪u电路如图所示，试分析当些二极管导写出分析过程并设二极管正向压降为II7VDDa12+D3+I--D4DD=150sintu电路如图所示，设1均为理想元件，已知输入电压如图V，12的波iu所试画出电压2ODD12/V++15044uOuI+-+-0t100V--图1图26uu电路如图所示，设输入信号1的波形如图所示，若忽略二极2,u管的正向压试画出输出电压的波并说明tt时间内二极管,O12，的工作状DD12uI1/V2D1uI1t0-22+ttD12uI22RuOuL-图1t0-2图2交流电压表挡的原理图如图所表头为磁电其指针的偏转角度与通过表头的电流平均值成正偏电流是50uA，当输入端为头恰限流电阻R应为加正弦交流电压有效值U多二极管是理想设表头内阻视为;D二极管承受的最高反向电压是多D1如果二极管明二极管的DD开则二极管承受的最高反向电压又是多说2作用。12RD1DAu210kR=0.6V，，晶体管为硅U放大电路如图所R，CE的数值应该调到多少?UR=45，若要求静态时=5V，B+C1+++uouRiE270Ω－－730sin314tV。电路如图所二极管为理想元件知u2试分析u、uC1的实际极?U?C2C2求UC1C2cduCuD1Du2122abuC120，稳压管的稳定电压U图示放大电路如图所示，已知U=6V，试确定该电路静态时的U和I值。ZC1kC+2C+1