内存电路详解

-.z.SDRAM内存使用3.3V供电，DDR内存使用2.5V供电。使用SDRAM内存的主板，常见的都是直接由AT*电源供电，只有少数高档主板上才采用独立供电。如图5-1所示，用万用表测量电源插座的第1脚与SDRAM内存插槽3.3V电源输入脚，它们之间是直通的。而使用DDR内存的主板，都设计有独立的内存供电电路。内存供电电路工作原理

内存供电电路人多采用集成运算放大器驱动场效应管的方式，其供电原理如图5-2所示，内存供电实际电路如图5-3所示。图5-2内存供电电路的原理是这样的：从A点取得2.5V的基准电压进入到运算放大器的同相输入端IN+，运算放大器将IN+与IN-的电压相比拟，如果IN+的电压大于IN-的电压，则OUT的电压上升，OUT的电压上升使得Q1场效应管进一步导通，漏极〔D〕与源极〔S〕之间的管压降下降，使得B点的电压上升。通过反应，IN-的电压也上升，直到IN+=IN-，也就是IN+=B。这个过程可以简单地描述为：〔IN+>IN-〕→〔OUT↑〕→〔DS↓〕→〔B↑〕→〔IN-↑〕，直到IN+=IN-。同理，当IN+<IN-时，它的稳压过程是这样的：〔IN+<IN-〕→〔OUT↓〕→〔DS↑〕→〔B↓〕→〔IN-↓〕，直到IN+=IN-。这个电路通过反应比拟，间接地控制B点的电压与基准电压相等，因此有时也称运算放大器为比拟放大器。

要使B点的电压稳定，必须保证A点的电压稳定，也就是要求基准电压要稳定。在图5-2的电路中，根据串联电路分压的原理，电阻两端的电压与其阻值的大小成正比，可以算出A点对地的电压为：3.3V×〔3.24K/〔IK+3.24K"≈2.5V这是使用最简单的串联分压方法取得2.5V的基准电压。这种串联分压电路的缺点是当3.3V的电压波动时，基准电压也会跟着波动，所以有的内存供电电路使用TL431〔三端可调分流式电压基准源〕来提供基准电压，如图5-4所示。则TL431是如何提供2.5V稳定电压的？请看TL431的典型接法，如图5-5左边电路所示。按照典型接法，根据TL431内部电路设计，输出电压与R2、R3有关，由下面的公式得出：Vout=〔R2+R3〕×2.5V/R3当R2=0时，上面的公式则变成：

Vout=〔O+R3〕*2.5V/R3=2.5V也就是说当R2=0时，R3可以忽略。当R2=0〔相当于将R2两端短接〕，且忽略R3时，就可以由典型接法演变出直接输出2.5V的接法，如图5-5右边电路所示。还有另一种内存供电电路，它是使用W83301DR或W83301R系列芯片驱动场效应管给内存供电，这种芯片同时还能组成内存总线终结电路。图5-6所示为由W83301DR-O组成的内存供电电路及内存总线终结上拉电路。图5-7为由W83301DR-O组成的内存供电实际电路。Q1漏极的3.3V电压由芯片控制Q6、Q7供应，Q2漏极的电压从Q1源极取得。内存供电Vstr1与内存总线终结控制Vstr2的电压由Vset2和Vset3设置，它们之间的关系如表5-1所示。Vset2Vset3Vstr1Vstr20VOV2.5V1.25V5VOV2.63V1.325VVset2Vset3Vstr1Vstr2OV5V2.77V1.385V5V5V2.9V1.45V由表5-1可以知道，Vstr2≈Vstr1/2。对于内存无供电或供电不正常的故障，下面以图5-8所示的原理图来进展讲解首先观察C2电解电容有无爆浆的现象，如有则应更换电容。观察Q1场效应管有无烧焦痕迹，如有则更换场效应管。还可以用手触摸场效应管，感觉一下是不是特别烫手，如是则应更换之。测量B点〔Q1源极〕有2.5V电压输出〔SDRAM内存供电为3.3V〕，如果电压正常，但内存检测不通过，通常是C2电解电容失效或内存插槽接触不良所致，此时应更换C2或内存插槽。如果B点无电压，检测Q1的漏极是否有供应电压以及栅极是否有控制电压，如漏极、栅极电压正常，通常为Q1损坏，应更换之。如漏极无电压，则应检查3.3V供电线路。如栅极无电压，则是LM324芯片局部电路有问题。检测LM324的第12脚〔IN+〕是否有2.5V电压输入〔SDRAM内