项目温度传感器ds18b20中文

169182数据输入/输出脚。对于单线操作：漏极开路（见“寄生电源”节732）温度传感器，3）非易失性温度触发器TH和TL。器件用如下方式从单线通讯线上汲操作，控制器可以提供6条器和控制操作指令中的任一条。一条控制操作命令指示DS1820完成一次温度测量。测量结果放在DS1820的暂存器里，用一条读暂存器内容的器操作命令可以把暂存器中数据读出。温度触发器TH和TL各由一个EEPROM字节构成。如果没有对DS1820使用搜索命令，这些寄存器可以做为一般用途的用户器使用。可以用一条器操作命令对TH和TL进行写入，对这些寄存器的读出1I/OVDDDS1820，I/ODS1820转换或拷贝到E2 10μsI/O，VDD让它们同时进行温度转换。注意当加上外部电源时，GND引脚不能悬空。通讯可能无法进行。在类似这种温度的情况下，强烈推荐使用DS1820VDD引脚。DS1820，DS1820温度/数据关系（0---0，如果门周期仍未结束，将重复1展”产生出了示于表116bit温度读数。这个值叫做TEMP_READ。然后计数器中剩余的值，这个值是门周期结束后保留下来的值用下面的计算实际温度值：号位。如果测得的温度高于TH或低于TL，器件内部就会置位一个 温就对这个标识进行一次更新。当标识置位时，DS1820会对 会被立即识别出来并，而不用读未的器件。一：1）ReadROM，2）MatchROM，3）SearchRom，4）SkipROM，5）AlarmSearch。成功DS1820中有8位CRC在64位ROM的最高有效字节中总线控制器可以用64位ROM中的前56位计算出一个CRC值，再用这个和在DS1820中的值进行比较，以确定ROM数据是否被总线控制器接收无误。CRC计算等式如下：DS1820同样用上面的产生一个8位CRC值，把这个值提供给总线控制器用来校验传输的器时，做为第9个字节读出来）进行比较。CRC值的比较以及是否进行下一步操作完全由总线控制器决定。当在DS1820中 的或由其计算的CRC值和总线控制器计算的值不相符时，DS1820内部并没有一个能 0。然后从系列编号的最低有效位开始，一次一位移入寄存CRC8CRC0。器DS1820的器结构示于图8。器由一个暂存RAM和一个高低温触发值TH和TL数据传到非易性（E2）RAM中。这一过程确保更改器时数据的完整性。1。第七和第八字节是计数寄存器，它们可以被用来获得更高的温执行方式如第二个标题“CRC发生器”所述。脚）是漏极开路式的，内部等效电路见图9。一个多点总线由一个单线总线和多个挂于其上的从机构成。单线总线需要一个约5KΩ的上拉电阻。通过单线总线端口DS1820的协议如下作命令都8位长度。下面是这些命令（参见图6流程图）：ReadROM这个命令允许总线控制器读到DS1820的8位系列编码、唯一的序列号和8位CRC码。只有在总线上存在单只DS1820的时候才能使用这个命令。如果总上有不止一个从机，当所有从机试图MatchROM只有和64位ROM序列完全匹配的DS1820才能响应随后的器操作命令。所有和64位ROMSkipROM[CCh]这条命令允许总线控制器不用提供64位ROM编码就使用器操作命令在单点总线情况下右以节省时间。如果总线上不止一个从机，在SkipROM命令之后跟着读命令，由于多个从机同时传送信号，总线上就会发生数据（漏极开路下拉效果相当于相与）。SearchROMAlarmSearchConvert1Read<写两个的字节到地址Copy22Recall 1、温度转换时间可长达500ms。接到温度转换的协议后，如果器件不是从VDD供电的话，I/O线就必须至500ms高电平。这样，发出一ConvertT命令之后，单线总线上在这段时间2、接到CopyScratchpad协议后，如果器件不是从VDD供电的话，I/O线必须至少保持10msCopyScratchpad总线控制器发出（TX）一个复位脉冲（一个最少保持480μs的低电平信号），然后释放总线，进入接收状态（RX）。单线总线由5K上拉电阻拉到高电平。探测到I/O引脚上的上升沿后，DS1820等待15~60μs，然后发出存在脉冲（一个60~240μs的低电平信号）。器操作流程图（图10）WriteScratchpad到暂存器中的地址位置2和3。可以在任何时刻发出复位命令来中止写入。ReadScratchpadCopyScratchpad[48h]如果使用寄生电源，总线控制器必须在这条命令发出后立即起动强上拉并最少保持10ms。ConvertT[44h]制器必须在发出这条命令后立即起动强上拉，并保持500ms。RecallE2这条命令把触发器里的值拷回暂存器。这种拷回操作在DS1820上电时自动执行，这样器件ReadPowerSupply1时间隙和写0时间隙。所有写时间隙必须最少持续60μs，包括两个写周期间至少1μs的恢I/O线电平变低后，DS1820在一15μs60μs的窗口内I/O线采样。如果线上是高电平，就是写1，如果线上是低电平，就是写0（见图12）1μs；DS182015μsI/O15μs，以I/O（12）。在读时间隙的结尾，I/O读时间隙必须最少60μs，包括两个读周期间至少1μs的恢复时间。最大：TINIT和TRC保持时间尽可能小；把控制器采样时间放到15μs周期的最后。器操作举例（表3）例：总线控制器启动温度转换，然后温度（寄生电源控制数据（）发“MatchROM”<64发“ConvertT”<I/O线高发“MatchROM”<64发“ReadScratchpad<9器操作举例（例：总线控制器 控制数据（）SkipROMWriteScratchpad<两个数据SkipROMReadScratchpad<9个数据SkipROM器操作举例（控制）SkipROMConvertT<1个字>1）SkipROMReadScratchpad<9个数CRC；8CRC，把计算的CRC和的CRC进行比较，如果相同，数据就是有效的。控制器温度值并分别——工作温度：-55到+125℃焊接温度：260℃10秒V-V2V --0℃到-55℃0℃和+70℃℃V-V-28157交流电特性：（-55℃到+125℃；VDD=3.6V11ROMCOMMANDSFLOWCHARTFigure

MASTERTMASTERT READ

MATCH

SEARCH

ALARM

SKP DS18B20TBITDS18B20DS18B20TBITDS18B20TBITMASTERTBITDS18B20T6BYTESDS18B20DS18B20T6BYTESCRCBYTE

DS18B20DS18B20TBITDS18B20TBITMASTERTBITBIT0YBIT1

NBITDS18B20TDS18B20TBITDS18B20TBITMASTERTBIT

WITHALARMFLAGYNBIT1Y

BIT1YMASTERTMASTERTBIT63DS18B20TBITDS18B20TBITMASTERTBITBIT63

BIT63 MASTERMASTERT(FIGURE12)ofDS18B20FUNCTIONCOMMANDSFLOWCHARTFigure

MASTERMASTERT ?

? MASTERMASTERENABLESDATACOPEDFROM

? YR“1s”R“1s”

STRONG

COPYN ?YR“1s”R“1s”

MASTERENABLESMASTERENABLES POWER

?Y

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?MASTERMASTERTTBYTEMASTERMASTERRDATABYTEFROMSCRATCHPAD ?

MASTERBEGINSDATARECALLFROME2MASTERMASTERTTBYTETOR“1s”

R“0s”

BUSYRECALLING?Y

TRESET?NNBEENREAD?

MASTERTCONFIG.BYTETOSCRATCHPAD

“MASTERR MRETURNTOINITIALIZATIONNEXTTRANSACTIONof 有不对之处请来信指数字温度传感器DS1820(DS18B20)的应—单线数字温度计DSl820DSl820数字温度计提供9位(二进制)温度读数指示器件的温度信息经过单线接口送DSl820DSl820送出因此从主机CPUDSl820仅需一条线(和地线)DSl820的电源可以由数据线本身提供而不需要外部电源因为每一个DSl820在出厂时已经给定了唯DSl820置温度敏感器件DSl820的测量范围从-55到+1250.5ls(典型值)内DSl82064DSl820ROM(只读存贮器)中开始8位是产品类型编码(DSl82010H)位是每个器件唯一的序号最后8位是前面56CRC(循环冗余校验)码DSl820存测得的温度值的两个8位存贮器RAM编号为0号和1号1号存贮器存放温度值的符号如果温度为负( 则1号存贮器8位全为1否则全为00号存贮器用于放温度值的补码LSB(最低位)的 表示 将 )DSl820的引脚如图 l所示每只D51820总线供电方式和外部供电方式采取数据总线供电方式可以节省一根导线但完成温度测量的时间较长采取外部供电方式则多用一根导线但测量速度较快Ds1820用9位存贮温值度最为符号位下图为18b20的温度方式负温S=1正温S=000AAH为 ,0032H为25FF92H Ds18b20用12位存贮温值度最为符号位下图为18b20的温度方式负温 正温度 0550H H为25.0625 二DSl820初始化RoM操作命令器操作命令处理数总线主机检测到DSl820的存在便可以发出ROM操作命令之一这些命令如 ReadROM(读ROM) [33H]MatchROM(匹配ROM) SkipROM(跳过 SearchROM(搜索ROM)[F0H]Alarmsearch(告警搜索) 指 代WriteScratchpad(写暂存存储器)[4EH]ReadScratchpad(读暂存器) CopyScratchpad(暂存器)[48H]ConvertTemperature(温度变换) RecallEPROM(重新调出 ReadPowersupply(读电源 时初始2.25-2to时刻发送一复位脉冲(480us的低电平信号)接着tl时刻释放总线并进入接收状态DSl820在检测到总线的上升沿之后等待15-60us接DS1820t2时刻发出存在脉冲(低电平持续60-240us)如图中虚线所示MCS51仿真机上通过其晶振为12M.PUSH PUSH MOV CLRP1.0 MOVB,#250 ;计数250次DJNZ SETB ;释放总MOV CLRC WAITL:JBPl.0,WH ;若总线释放跳出循环DJNZ ;总线低等待SJMPSHORT ORLC,P1.0DJNZB,WH1 SHORT:POPA写时当主机总线to时刻从至低电平时就产生写时间隙见图2253图24to15us之内应将所需写的位送到总线上DSl820t15-60us间对总线采样若低电平写入的位是02253若高电平写入的位是12254连续写2位间的间隙应大于1usPUSHMOVCLRWDLT:DJNZB,WDLT;56UsPOPBSETBPl.0 PUSH MOVB#8H WLOP:RRC ;1DJNZB WLOP;8位全写完?POPB读时见图225 主机总线to时刻从至低电平时总线只须保持低电平l7ts之后在t1时刻将总线拉高产生读时间隙读时间隙在t1时刻后t2时刻前有效tz距to为15捍s也就是说tz时刻前主机必须完成读位并在to后的60尸s一120fzs内释放总线读位子程序(读得的位到C中)PUSHPUSHMOVCLR;读开始图 5的t0时SETBMOVMOVDJNZSETBPOPPUSHB ;保存B MOVB,#8H ACALL RRCA DJNZB,RLOP ;8位读完?POPB 三多路测量DSl820ROM48ROM1820ROM(33H)l820的序列号读出当主机需要对众多1820的某一个进行操作时首先要发出匹配ROM命令(55H)紧接着主64位序列(182048位序列号)之1820ROM命令即为之后的操作是对所有1820的框图中先有ROM即是启动所有1820进行温度变换之后通过匹配ROM再逐一地读回每个1820的温1820组成的测温系统中ROM命令之后再发出统一的温度转换启动码44H就可以实现所有1820的统一转换再经过1s后就可以用很少的时间去逐一这种方式使其T值往往小于传统方式由于采取公用的放大电路和AD转换器只能逐一转换显然通道数越多这种省时效应就越明四1ds1820序列号应用程序,P1.6|||

ORG0000HORG0020HMOVCLR LCALLINT MOVA,#33HLCALLWRITE;送入读ds1820的ROM命令LCALLREAD MOV40H,AMOV41H,AMOV42H,AMOV43H,AMOV44H,AMOV45H,AMOV46H,AMOV47H,ASETBEASJMP$ CLRL0:CLR MOVR2,#200L1:CLRP1.6DJNZR2,L1 SETBP1.6 ;释放ds1820总线MOVL4:DJNZR2,L4 CLRC ORLJCL0 MOVR6,#80JCL3SJMPL0L2:DJNZR2,L2 CLRMOV WR1:SETBP1.6MOVRRCA ;把一个字节data(A)分成8个bit环移给CCLR WR2:DJNZR4,WR2 MOVP1.6,C ;写入一个bitMOV DJNZR3,WR1 ;写入下一个bitSETBP1.6

CLRMOV RE1:CLRP1.6 MOVR4,#4SETB ;开始读总线释放RE2:DJNZ MOVC,P1.6 ;从ds1820总线读得一个bitRRCA ;把读得的位值环移给AMOVR5,#30RE3:DJNZ DJNZ SETB 获取单个ds1820转化的温度值的应用程序,P1.6接

ORG0000HORG0020HMOVSP,#60HSJMP$CLRSETB CLR LCALLINT MOVA,#0CCHLCALL MOVA,LCALL LCALLINT MOVA,#0CCHLCALL MOVLCALLWRITE LCALLREADMOVR7,A LCALLREADMOVR6,A SETBEA CLRL0:CLR MOVR2,#200L1:CLRP1.6DJNZR2,L1 SETBP1.6 ;释放ds1820总线MOVL4:DJNZR2,L4 CLRC ORLJCL0 MOVR6,#80JCL3SJMPL0L2:DJNZR2,L2 CLRMOVR3,#8 WR1:SETBP1.6MOVRRCA ;把一个字节data(A)分成8个bit环移给CCLR WR2:DJNZR4,WR2 MOVP1.6,C ;写入一个bitMOV DJNZR3,WR1 ;写入下一个bitSETBP1.6

CLRMOV RE1:CLRP1.6 MOVR4,#4SETB ;开始读总线释放RE2:DJNZ MOVC,P1.6 ;从ds1820总线读得一个bitRRCA ;把读得的位值环移给AMOVR5,#30RE3:DJNZ DJNZ SETB 有不对之处请来信指 DESIGN

DallasSemiconductorVHDL1-Wire

DS18B20

DS18x20/DS1822

WireDallasDS18x20/DS1822

DS5000 1480µs

5

60s<TX“0”

>

D>D>>DQ=0;//pullDQlowtostarttimeslotif(bitval==1)DQ=1;DQ=0;//pullDQlowtostarttimeslotif(bitval==1)DQ=1;//returnDQhighifwrite1delay(5);//holdvalueforremainderoftimeslotDQ=1;//Delayprovides16sperloop,plus24sTherefore,delay(5)=104svoidwrite_bit(char//DELAY-withan11.059MHz//Callingtheroutinetakesabout24s,and//eachcounttakesanother voiddelay(i