• 现行
  • 正在执行有效
  • 2013-10-17 颁布
  • 2014-03-01 实施
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YS/T 935-2013电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南_第1页
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文档简介

ICS7715099

H68..

中华人民共和国有色金属行业标准

YS/T935—2013

电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级

及杂质含量分析和报告标准指南

Standardguideforanalysisandreportingtheimpuritycontentandgradeofhigh

puritymetallicsputteringtargetsforelectronicthinfilmapplications

2013-10-17发布2014-03-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

YS/T935—2013

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准参照了电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量的分析

ASTMF2113-01(2011)《

及报告标准指南

》。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口

(SAC/TC243)。

本标准起草单位有研亿金新材料股份有限公司

:。

本标准主要起草人张涛何金江丁照崇万小勇徐建卫廖赞尚再艳王欣平熊晓东吕保国

:、、、、、、、、、。

Ⅰ

YS/T935—2013

电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级

及杂质含量分析和报告标准指南

1范围

本标准规定了电子薄膜制备用高纯金属溅射靶材的纯度等级的定义方法杂质含量分析方法抽样

、、

规则及靶材纯度等级报告标准规范等内容

。

本标准适用于电子薄膜用各类高纯金属溅射靶材以下简称靶材其他对纯度有较高要求的靶材

()。

纯度等级杂质含量分析及报告规范也可参照使用

、。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

金属材料中氢氧氮碳和硫分析方法通则

GB/T14265、、、

所有部分铝及铝合金化学分析方法

GB/T20975()

电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材

GB/T29658

高纯铝化学分析方法痕量杂质元素的测定辉光放电质谱法

YS/T871

高纯铜化学分析方法痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法

YS/T922

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

靶材target

物理气相沉积工艺中用于溅射的阴极部分本标准中指加工后待用的靶材

(PVD),。

32

.

原材料批materiallotbatch

制造同批系列靶材所用的原材料锭批

。

33

.

靶材规范targetspecification

电子薄膜用溅射靶材的产品规范

。

4要求

41成分要求

.

电子薄膜制备用高纯金属溅射靶材因用途不一对不同材质靶材的纯度要求也不一致靶材成分

,。

要求一般包含金属杂质和非金属杂质检测要求如下

,,:

411靶材由纯金属制成按靶材规范要求检测原材料批的金属杂质含量并

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