标准解读

《YS/T 24-2016 外延钉缺陷的检验方法》相较于《YS/T 24-1992》，在内容上进行了多方面的更新与调整，主要体现在以下几个方面：

首先，在术语和定义部分，《YS/T 24-2016》对一些专业术语给出了更明确、详细的定义，以减少理解和应用中的歧义。例如，“外延钉”、“缺陷”等关键概念被赋予了更加准确的描述。

其次，对于检验方法，《YS/T 24-2016》增加了新的检测手段和技术要求，包括但不限于使用更先进的光学显微镜技术来观察样品表面细节；同时，还引入了电子探针分析等现代物理化学测试方法，旨在提高检测精度及可靠性。

再者，《YS/T 24-2016》细化了样品制备流程，明确了从取样到最终测试前处理的具体步骤，确保不同实验室之间结果的一致性。此外，标准还特别强调了环境条件（如温度、湿度）对外延钉缺陷检测的影响，并提出了相应的控制措施。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2016-04-05 颁布
  • 2016-09-01 实施
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YS/T 24-2016外延钉缺陷的检验方法_第1页
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文档简介

ICS77.040

H21

中华人民共和国有色金属行业标准

YST24—2016

代替

YS/T24—1992

外延钉缺陷的检验方法

Testmethodsforspikeofepitaxiallayers

2016-04-05发布2016-09-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

YST24—2016

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替外延钉缺陷的检验方法与相比本标准主要变化

YS/T24—1992《》。YS/T24—1992,

如下

:

增加了规范性引用文件和术语和定义

———“”“”;

增加了方法无损测试

———“2”。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC243)。

本标准起草单位南京国盛电子有限公司有研半导体材料有限公司上海晶盟硅材料有限公司

:、、。

本标准主要起草人马林宝杨帆孙燕徐新华

:、、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———YS/T24—1992。

Ⅰ

YST24—2016

外延钉缺陷的检验方法

1范围

本标准规定了外延钉缺陷的检验方法

。

本标准适用于判断硅外延片上是否存在高度不小于m的钉缺陷如果钉缺陷数量比较少且彼

4m。

此不相连可对钉缺陷进行计数本标准不能测量钉缺陷的高度

,。。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

半导体材料术语

GB/T14264

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

3.1

钉缺陷spikes

外延生长过程中形成的表面突起物通常是由于衬底表面颗粒导致外延后的硅突起物

,。

4方法1有损测试

4.1方法提要

有损测试是将一片聚酯塑料薄膜沿三个不同方向推过试验表面在两个或两个以上方向碰到的表

,

面突起物被判定为钉缺陷

。

4.2材料

4.2.1真空吸片装置或镊子

。

4.2.2聚酯塑料薄膜厚度为m面积为

,25m,50mm×50mm。

4.3测试步骤

4.3.1用真空吸片装置吸住试样背面或用镊子夹持住试样对于仲裁检测也可将试验外延面朝上置

,,,

于清洁表面上

。

4.3.2拇指和食指夹住聚酯塑料薄膜使薄膜在拇指下延伸约并与试样表面成倾斜

,25mm,45°。

4.3.3在主参考面对面将聚酯塑料薄膜与试样接

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