半导体晶体管93624课件

1.3晶体管1.3.1晶体管的结构、分类及基本特性1晶体管的结构和分类晶体管有三个电极，通俗来讲，晶体管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构,由两个PN结组成，根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。晶体管内部结构示意图2晶体管的三种连接方式因为放大器一般为4端网络，而晶体管只有3个电极，所以组成放大电路时，有一个电极作为输入与输出信号的公共端。根据所选公共端电极的不同，有以下三种连接方式:共基极、共发射极和共集电极。

晶体管的三种连接方式3晶体管的电流放大作用

(1)晶体管实现放大的结构要求是：■发射区高掺杂，多数载流子自由电子的浓度远大于基区多数载流子空穴的浓度。

■基区做的很薄，通常只有几微米到几十微米，而且是低掺杂。

■集电极面积大，以保证尽可能收集到发射区发射的电子。(2)晶体管实现放大的外部条件是：

外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态；集电结处于反向偏置状态。

(3)晶体管内部载流子的运动规律和电流放大①发射区向基区扩散电子②电子在基区扩散和复合③集电区收集从发射区扩散过来的电子1.3.2晶体管的特性曲线当UCE不变时，输入回路中的电流与IB与电压UBE之间的关系曲线称为输入特性曲线，即其中UCE＝0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当UCE≥1V时，UCB=UCE—UBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，使基区复合减少，IC/IB增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但UCE再增加时，曲线右移很不明显。因为UCE＝1V时，集电结已把绝大多数电子收集过去，收集电子数量不再明显增大。工程实践上，就用UCE＝1V的输入特性曲线代替UCE>1V以后的输入特性曲线。

共发射极接法的输入特性曲线1输入特性曲线2输出特性曲线当IB不变时，输出回路中的电流IC与电压UCE之间的关系曲线称为输出特性，即

共射极接法输出特性曲线通常把输出特性曲线分为三个工作区：(1)截止区IC接近零的区域（即IB≤0的区域），相当IB=0的曲线的下方。在截止区，集电结和发射结均处于反向偏置(2)放大区IC平行于UCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏(3)饱和区在靠近纵轴附近，各条输出曲线的上升部分属于饱和区，它是IC受UCE显著控制的区域，该区域内UCE的数值较小，一般UCE＜0.7V(硅管)。发射结和集电结都处于正向偏置状态。1.3.3晶体管的主要参数晶体管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。1直流参数(1)直流电流放大系数①共发射极直流电流放大系数

②共基极直流电流放大系数(2)极间反向电流①集-基间反向饱和电流ICBO②集-射间反向饱和电流ICEOICEO和ICBO有如下关系：（2）特征频率fT晶体管的值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，晶体管的将会下降。当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。3极限参数极限参数是指为了保证晶体管在放大电路中能正常地、安全地工作而不能逾越的参数。（1）集电极最大允许损耗功率PCM集电极电流通过集电结时所产生的功耗，PCM=ICUCE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。管子工作时，集电结功耗PC<PCM，否则使集电结温升过高而烧坏。（3）反向击穿电压①U(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。

②U(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。

③U(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。几个击穿电压在大小上有如下关系：U(BR)CBO≈U(BR)CES＞U(BR)CER＞U(BR)CEO由于晶体管的电流放大系数β值与工作电流有关，工作电流太大，β就下降，使晶体管的性能下降，也使放大的信号产生严重失真。一般定义当β值下降为正常值的1/3～2/3时的IC值为ICM。（2）集电极最大允许电流ICM

④U(BR)CER——BE间接有电阻时的击穿电压⑤U(BR)CES——BE短路时的击穿电压由最大集电极功率损耗PCM、I