半导体基础理论课件

半导体基础理论1目录固体能带理论半导体材料硅的晶体结构半导体特性载流子的复合与寿命载流子的传输P-N结二极管性质硅材料的物理化学特性2固体的能带理论

——能带的形成晶体中，各个原子互相靠的很近，不同原子的内、外壳层都有一定的重叠，电子不在局限在某一个原子中，可以由一个原子转移到相邻的原子上，导致电子共有化运动，结果使孤立原子的单一能级分裂成能带。根据电子先填充低能级的原理，下面的能带先填满电子，这个带被称为价带或满带，上面的未被电子填满的能带或空能带称为导带，中间以禁带相隔。3固体的能带理论

——导体、绝缘体、半导体绝缘体半导体导体EcEvEgEg导带禁带价带5固体的能带理论

——导体、绝缘体、半导体导体：能带交叠，即使极小的外加能量就会引起导电。绝缘体：能带间距很大，不可能导电。半导体：禁带比绝缘体窄很多，部分电子因热运动从价带跳到导带，使导带中有少量电子，价带中有少量空穴，从而有一定的导电能力。6固体的能带理论

——导体、绝缘体、半导体物体的导电能力，一般用材料电阻率的大小来衡量。电阻率越大，说明这种材料的导电能力越弱。物体电阻率导体半导体绝缘体Ω·CM<10e-410e-3~10e9>10e97半导体材料硅的晶体结构

原子最外层的电子称为价电子，有几个价电子就称它为几族元素。若原子失去一个电子，称这个原子为正离子，若原子得到一个电子，则成为一个带负电的负离子。原子变成离子的过程称为电离。9半导体材料硅的晶体结构晶体结构

固体可分为晶体和非晶体两大类。原子无规则排列所组成的物质为非晶体。而晶体则是由原子规则排列所组成的物质。晶体有确定的熔点，而非晶体没有确定熔点，加热时在某一温度范围内逐渐软化，如玻璃。10半导体材料硅的晶体结构单晶和多晶的区别在整个晶体内，原子都是周期性的规则排列，称之为单晶。由许多取向不同的单晶颗粒杂乱地排列在一起的固体称为多晶。11半导体材料硅的晶体结构硅晶体的金刚石结构晶体对称的，有规则的排列叫做晶体格子，简称晶格，最小的晶格叫晶胞。以下是较重要的几个晶胞：(a)简单立方（Po）(b)体心立方（Na、W）(c)面心立方（Al、Au）13半导体材料硅的晶体结构

金刚石结构是一种复式格子，它是两个面心立方晶格沿对角线方向上移1/4互相套构而成。正四面实体结构金钢石结构14半导体材料硅的晶体结构晶面和晶向晶体中的原子可以看成是分布在一系列平行而等距的平面上，这些平面就称为晶面。每个晶面的垂直方向称为晶向。(100晶面)(110晶面)(111晶面)15半导体的特性

——导电特性导电能力随温度灵敏变化导体，绝缘体的电阻率随温度变化很小，导体温度每升高1度，电阻率大约升高0.4%。而半导体则不一样，温度每升高或降低1度，其电阻就变化百分之几，甚至几十，当温度变化几十度时，电阻变化几十，几万倍，而温度为绝对零度（-273℃）时，则成为绝缘体。17半导体的特性

——导电特性导电能力随光照显著改变当光线照射到某些半导体上时，它们的导电能力就会变得很强，没有光线时，它的导电能力又会变得很弱。杂质的显著影响在纯净的半导体材料中，适当掺入微量杂质，导电能力会有上百万倍的增加。这是最特殊的性能。其他特性温差电效应，霍尔效应，发光效应，光伏效应，激光性能等。

18半导体的特性

——导电过程描述纯净的半导体，在不受外界作用时，导电能力很差。而在一定的温度或光照等作用下，晶体中的价电子有一部分可能会冲破共价键的束缚而成为一个自由电子。同时形成一个电子空位，称之为“空穴”。从能带图上看，就是电子离开了价带跃迁到导带，从而在价带中留下了空穴，产生了一对电子和空穴。如图，通常将这种只含有“电子空穴对”的半导体称为本征半导体。“本征”指只涉及半导体本身的特性。半导体就是靠着电子和空穴的移动来导电的，因此，电子和空穴被统称为载流子。19半导体的特性

——本征半导体、掺杂半导体本征半导体：绝对纯的且没有缺陷的半导体掺杂半导体：掺入其他元素施主掺杂（N型硅）：电流主要靠电子来运输。受主掺杂（P型硅）：电流主要靠空穴来运输。

太阳能电池用的是P型硅衬底，N型扩散层21半导体的特性

——产生、复合由于热或光激发而成对地产生电子空穴对，这种过程称为“产生”。空穴是共价键上的空位，自由电子在运动中与空穴相遇时，自由电子就可能回到价键的空位上来，而同时消失一对电子和空穴，并释放出能量，这就是“复合”。在一定温度下，又没有光照射等外界影响时，产生和复合的载流子数相等，半导体中将在产生和复合的基础上形成热平衡。此时，电子和空穴的浓度保持稳定不变，但是产生和复合仍在持续地发生。22半导体的特性

——杂质与掺杂半导体纯净的半导体材料中若含有其它元素的原子，那么，这些其它元素的原子就称为半导体材料中的杂质原子。对硅的导电性能有决定影响的主要是三族硼和五族磷元素原子。还有些杂质如金，铜，镍，锰，铁等，在硅中起着复合中心的作用，影响寿命，产生缺陷，有着许多有害的作用。23半导体的特性

——N型半导体（施主掺杂）多余电子25半导体的特性

——N型半导体（施主掺杂）施主能级导带电离能价带26半导体的特性

——P型半导体（受主掺杂）P型半导体硼（B）铝（AL）镓（GA）等三族元素原子的最外层有三个电子，它在硅中也是处于替位式状态。硼原子最外层只有三个电子参加共价键，在另一个价键上因缺少一个电子而形成一个空位，邻近价键上的价电子跑来填补这个空位，就在这个邻近价键上形成了一个新的空位，这就是“空穴”。硼原子在接受了邻近价键的价电子而成为一个带负电的负离子。因此在产生空穴的同时没有产生相应的自由电子。这种依靠空穴导电的半导体称为空穴型半导体，简称P型半导体。27半导体的特性

——P型半导体（受主掺杂）导带电离能价带受主能级29载流子的复合与寿命

——多数载流子、少数载流子掺杂半导体中，新产生的载流子数量远远超过原来未掺入杂质前载流子的数量，半导体的导电性质主要由占多数的新产生的载流子来决定，所以，在P型半导体中，空穴是多数载流子，而电子是少数载流子。在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。掺入的杂质越多，多数载流子的浓度（单位体积内载流子的数目）越大，则半导体的电阻率越低，它的导电能力越强。30载流子的复合与寿命

——平衡载流子、非平衡载流子一块半导体材料处于某一均匀的温度中，且不受光照等外界因素作用的影响，此时半导体中的载流子称为平衡态载流子。半导体一旦受到外界因素作用（如光照，电流注入或其它能量传递形式）时，它内部载流子浓度就多于平衡状态下的载流子浓度。半导体就从平衡状态变为非平衡状态，就把处于非平衡状态时，比平衡状态载流子增加出来的一部分载流子称为非平衡载流子。31载流子的复合与寿命

——平衡载流子、非平衡载流子当引起非平衡载流子产生的外界因素停止后，非平衡载流子不会永久地存在下去。但也不是一下全部都消失掉，而是随着时间逐渐减少消失的，他们的存在时间有些长些，有些短些，有一个平均的存在时间，也就是“非平衡载流子的寿命”。半导体内部和表面的复合作用是使得非平衡载流子逐渐减少直至消失的原因。非平衡载流子复合的主要方式：直接复合、间接复合、表面复合。32载流子的复合与寿命

——直接复合电子和空穴在半导体内部直接相遇放出光子或引起热运动而复合，复合的过程是电子直接在能带间跃迁，这种复合称为直接复合。一般的杂质半导体寿命是与多数载流子的密度成反比的，或者说半导体的电阻率越低，则寿命越短。电阻率越低，多数载流子浓度越高，这种非平衡载流子就越有机会与多数载流子相遇复合，所以寿命就越短。33载流子的复合与寿命

——直接复合34载流子的复合与寿命

——间接复合晶体中的杂质原子和缺陷有促进非平衡载流子的复合作用。间接复合与直接复合不同，它是通过禁带中某些杂质（缺陷）能级做为“跳板”来完成的。靠禁带中的杂质（缺陷）能级俘获导带中的电子与满带中的空穴在其上面间接进行复合的称之为间接复合，那些起复合作用的杂质（缺陷）能级被称为复合中心。复合中心是不断地起着复合作用，而不是起了一次复合作用就停止了。通过复合中心的间接复合过程比直接复合过程强得多。因为间接复合过程每次所要放出的能量比直接复合的要少，相当于分阶段放出能量，所以容易得多。因而间接复合过程大多情况下决定着半导体材料的寿命值。35载流子的复合与寿命

——间接复合

直接复合和间接复合都是在半导体内部完成的，所以统称为“体内复合”。36载流子的复合与寿命

——表面复合半导体表面吸附着外界空气来的杂质分子或原子，半导体表面存在着表面缺陷。这种缺陷是从体内延伸到表面的晶格结构上的中断，表面原子出现悬空键，或者是半导体在加工过程中在表面留下的严重损伤或内应力，造成在体内更多的缺陷和晶格畸变，这些杂质和缺陷形成能接受或施放电子的表面能级，表面复合就是依靠表面能级对电子空穴的俘获来进行复合的。实际上表面复合过程属于间接复合，此时的复合中心位于半导体材料的表面。37载流子的复合与寿命

——表面复合半导体表面表面复合中心能级E2表面复合38载流子的传输

——漂移半导体中的载流子在不停地做无规则的热运动，没有固定方向地移动，所以半导体中并不产生电流。若在半导体两端加上一个电压，即半导体处于一个电场中，载流子在电场加速作用下，获得了附加的运动，这就称之为载流子的漂移运动。实际上晶体中加速的电子会与杂质原子、缺陷、晶格原子相碰撞，这种碰撞会造成电子运动方向不断发生变化的现象，称之为散射39载流子的传输

——漂移与迁移率迁移率是衡量半导体中载流子平均漂移速度的一个重要参数，其数值等于在单位电场作用下电子和空穴的定向运动速度。因此，它反映了载流子运动的快慢程度。

载流子的迁移率随着温度、掺杂浓度和缺陷浓度变化。同一种半导体材料，温度升高，迁移率下降；掺杂浓度、缺陷浓度增加，迁移率同样逐渐下降。40载流子的传输

——漂移与迁移率迁移率还与载流子的有效质量有关。电子的有效质量比空穴小，所以电子的迁移率比空穴大。迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数，掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂浓度，另一方面取决于迁移率的大小。41载流子的传输

——扩散向半导体中注入非平衡载流子时，注入部分的载流子密度比其它部分高，载流子会由密度大的地方向密度小的地方迁移，这种现象叫做载流子的扩散运动。扩散的强弱是由载流子浓度的变化决定的，浓度梯度越大，扩散也越容易，同时，扩散的强弱还与载流子的种类、运动的速度以及散射的次数等有关，我们用扩散系数来表示载流子扩散能力的强弱。42载流子的传输

——扩散长度非平衡载流子在扩散运动过程中不断地复合而消失。结果非平衡载流子密度由注入部分开始向密度小的方向逐渐减小。在连续注入的条件下，非平衡载流子密度由大到小形成一个稳定的分布。由注入部位到非平衡载流子密度减小到1/e数值位置之间的距离称为载流子的扩散长度。它也是半导体材料的重要参数之一。扩散长度：非平衡载流子在平均寿命时间内经扩散运动所通过的距离。43载流子的传输

——扩散长度扩散长度距离载流子密度044PN结二极管性质

——PN结在一块完整的半导体晶体中，如果一部分是N型半导体，另一部分是P型半导体。在N型半导体中，多数载流子是电子，电子浓度远远超过少数载流子空穴的浓度，而在P型半导体中，空穴是多数载流子，空穴浓度远远超过少数载流子电子的浓度，如下图：45PN结二极管性质

——空间电荷区的形成过程在N型和P型半导体的交界面处存在有电子和空穴浓度梯度，N型区域中的电子就向P型区域渗透扩散，扩散的结果是N型区域中邻近P型区域一边的薄层内有一部分电子扩散到N型区域中去了。由于这个薄层失去了一些电子，在N区就形成带正电荷的区域。同样，P型区域中邻近N型区域一边的薄层内有一部分空穴扩散到N型区域一边去了。由于这个薄层失去了一些空穴，在P型区域就形成了带负电荷的区域。这样在N型区域和P型区域交界面的两侧形成了带正，负电荷的区域，叫做空间电荷区。46PN结二极管性质

——自建电场的定义空间电荷区中的正负电荷间形成电场。电场的方向是由N型区域指向P型区域，这个由于载流子浓度不均匀而引起扩散运动后形成的电场称为自建电场。载流子在电场作用下，会产生漂移运动。自建电场将N区向P区扩散的电子接回到N区，把P区向N区扩散的空穴接回到P区，由此可见，在空间电荷区内，自建电场引起的电子和空穴漂移运动方向与它们各自的扩散运动方向正好相反。N型P型空间电荷区47PN结二极管性质

——PN结的形成空间电荷区也叫阻挡层，就是我们通常讲的PN结。PN结是许多半导体组件的核心，PN结的性质集中反映了半导体导电性能的特点，如：存在两种载流子，载流子有漂移、扩散、产生和复合等基本运动的形成。所以，PN结是半导体组件入门的基础。随着电子和空穴的不断扩散，空间电荷的数量不断增加，自建电场也越来越强，直到与载流子的漂移运动和扩散运动相抵消时，就会达到动态平衡。48硅材料的物理化学性质

——物理性质及常数物理量单位数据原子序14禁带宽度电子伏1.1530K原子量28.081.106300K晶格结构金刚石电子迁移率厘米2/伏秒1350化学键共价键空穴迁移率厘米2/伏秒480密度g/cm32.33电子扩散系数厘米2/伏秒34.6硬度莫氏6.5空穴扩散系数厘米2/伏秒1213熔点℃1420本征电阻率欧姆厘米2.3*105热导率u/㎝·k1.4介质常数11.7热膨胀系数cm/cm℃2.33*10-6折射率4.0-3.55λ为0.55-1.1反射率33%λ为0.4-1.149硅材料的物理化学性质

——化学性质硅在高温下能与氯，氧，水蒸气等作用，生成四氯化硅，二氧化硅。硅不溶于HCl,H2SO4,HNO3以及王水（3HCL+1HNO3），硅与HF可以发生反应，但反应速度比较缓慢。50硅材料的物理化学性质

——化学性质硅和硝酸，氢氟酸的混合液起作用

它利用浓HNO3的强氧化作用。使硅表面生成一层SiO2，另一方面利用HF的络合作用，HF能与SiO2反应生成可溶性的六氟硅酸络合物H2[SiF6]。硅和碱相互作用生成相应的硅酸盐。

硅能与Cu+2,Pb+2,Ag+,Hg+2等金属离子发生置换反应。

51硅材料的物理化学性质

——化学性质