线性电子电路第1章课件

电子线路

线性部分（第四版）谢嘉奎主编授课：曾浩电子线路：指包含电子器件、并能对电信号实现某种处理的功能电路。概述电路组成：电子器件+外围电路电子器件：二极管、三极管、场效应管、集成电路。外围电路：直流电源、电阻、电容、电流源电路等。1.1半导体物理基础知识1.3晶体二极管电路分析方法1.2PN结1.4晶体二极管的应用1.0概述第一章晶体二极管半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。1.1半导体物理基础知识硅(Si)、锗(Ge)原子结构及简化模型：+14284+3228418+4价电子惯性核硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。+4+4+4+4+4+4+4+4硅和锗共价键结构示意图：共价键1.1.1本征半导体当T升高或光线照射时产生自由电子空穴对。共价键具有很强的结合力。当T=0K（无外界影响）时，共价键中无自由移动的电子。这种现象称注意：空穴的出现是半导体区别于导体的重要特征。本征激发。本征激发温度一定时：激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。热平衡载流子浓度热平衡载流子浓度：本征半导体中本征激发——产生自由电子空穴对。电子和空穴相遇释放能量——复合。T导电能力ni或光照热敏特性光敏特性

N型半导体：1.1.2杂质半导体+4+4+5+4+4简化模型：N型半导体多子——自由电子少子——空穴自由电子本征半导体中掺入少量五价元素构成。

P型半导体+4+4+3+4+4简化模型：P型半导体少子——自由电子多子——空穴空穴本征半导体中掺入少量三价元素构成。1.1.3两种导电机理——漂移和扩散

载流子在电场作用下的运动运动称漂移运动，所形成的电流称漂移电流。漂移电流密度总漂移电流密度：迁移率漂移与漂移电流电导率：半导体的电导率电阻：电压：V=E

l电流：I=SJt+-V长度l截面积S电场EI

载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动，所形成的电流称扩散电流。扩散电流密度:扩散与扩散电流N型硅光照n(x)p(x)载流子浓度xnopo1.2.1动态平衡下的PN结阻止多子扩散出现内建电场开始因浓度差产生空间电荷区引起多子扩散利于少子漂移最终达动态平衡注意：PN结处于动态平衡时，扩散电流与漂移电流相抵消，通过PN结的电流为零。

PN结形成的物理过程注意：掺杂浓度（Na、Nd）越大，内建电位差

VB

越大，阻挡层宽度

l0

越小。内建电位差：阻挡层宽度：室温时锗管VB0.2~0.3V硅管VB0.5~0.7V1.2.2PN结的伏安特性

PN结——单向导电特性P+N内建电场Elo+-VPN结正偏阻挡层变薄内建电场减弱多子扩散>>少子漂移多子扩散形成较大的正向电流IPN结导通I电压V电流I

PN结——伏安特性方程式PN结正、反向特性，可用理想的指数函数来描述：热电压26mV（室温）其中：

IS为反向饱和电流，其值与外加电压近似无关，但受温度影响很大。正偏时：

反偏时：

PN结——伏安特性曲线ID(mA)V(V)VD(on)-ISSiGeVD(on)=0.7VIS=(10-9~10-16)A硅PN结VD(on)=0.25V锗PN结IS=(10-6~10-8)AV>VD(on)时随着V

正向R很小I

PN结导通；V<VD(on)时IR很小(IR-IS)

反向R很大PN结截止。温度每升高10℃，IS约增加一倍。温度每升高1℃，VD(on)约减小2.5mV。|V反|=V(BR)时，IR急剧，

PN结反向击穿。1.2.3PN结的击穿特性雪崩击穿齐纳击穿PN结掺杂浓度较低(lo较宽)发生条件外加反向电压较大(>6V)

形成原因:

碰撞电离。V(BR)ID(mA)V(V)形成原因:

场致激发。

发生条件PN结掺杂浓度较高(lo较窄)外加反向电压较小(<6V)

1.2.4PN结的电容特性势垒区内空间电荷量随外加电压变化产生的电容效应。势垒电容CT

扩散电容CD

阻挡层外（P区和N区）贮存的非平衡电荷量,随外加电压变化产生的电容效应。CT(0)CTV0xn少子浓度x0-xpP+N

PN结电容

PN结反偏时，CT>>CD，则Cj≈CT

PN结总电容：Cj=CT+CD

PN结正偏时，CD>>CT，则Cj≈CD故：PN结正偏时，以CD为主。故：PN结反偏时，以CT为主。通常：CD≈几十PF~几千PF。通常：CT≈几PF~几十PF。1.3晶体二极管电路分析方法晶体二极管的内部结构就是一个PN结。就其伏安特性而言，它有不同的表示方法，或者表示为不同形式的模型：适于任一工作状态的通用曲线模型便于计算机辅助分析的数学模型直流简化电路模型交流小信号电路模型电路分析时采用的曲线模型—伏安特性曲线V(BR)I

(mA)V(V)VD(on)-IS当V>VD(on)时二极管导通当V<VD(on)时二极管截止当反向电压V

V(BR)时二极管击穿晶体二极管的伏安特性曲线，通常由实测得到。简化电路模型折线等效：在主要利用二极管单向导电性的电路中，实际二极管的伏安特性。IVVD(on)IV0abIVVD(on)abVD(on)RDD+-理想状态：与外电路相比，VD(on)和RD均可忽略，二极管的伏安特性和电路符号。开关状态：与外电路相比，RD可忽略时的伏安特性。简化电路模型：折线等效时，二极管的简化电路模型。小信号电路模型：为二极管增量结电阻。（室温）：PN结串联电阻，数值很小。Cj：PN结结电容，由CD和CT两部分构成。注意：高频电路中，需考虑Cj影响。因高频工作时，

Cj容抗很小，PN结单向导电性会因Cj的交流旁路作用而变差。IVQrsrjCj图解法分析二极管电路主要采用：图解法、简化分析法、小信号等效电路法。（重点掌握简化分析法）写出管外电路直流负载线方程。1.3.2晶体二极管电路分析方法利用二极管曲线模型和管外电路所确定的负载线，通过作图的方法进行求解。要求：已知二极管伏安特性曲线和外围电路元件值。分析步骤：作直流负载线。分析直流工作点。优点：直观。既可分析直流，也可分析交流。例1：已知电路参数和二极管伏安特性曲线，试求电路的静态工作点电压和电流。IVQ+-RVDDDI+-V由图可写出直流负载线方程：V=VDD-IR在直流负载线上任取两点：解：VDDVDD/R连接两点，画出直流负载线。VQIQ令I=0，得V=VDD；令V=0，得I

=VDD/R；所得交点，即为Q点。简化分析法即将电路中二极管用简化电路模型代替，利用所得到的简化电路进行分析、求解。将截止的二极管开路，导通的二极管用直流简化电路模型替代，然后分析求解。（1）估算法判断二极管是导通还是截止？假设电路中二极管全部开路，分析其两端的电位。理想二极管：若V>0，则管子导通；反之截止。实际二极管：若V>VD(on)，管子导通；反之截止。当电路中存在多个二极管时，正偏电压最大的管子优先导通。其余管子需重新分析其工作状态。例2：设二极管是理想的，求VAO值。图(a)，假设D开路，则D两端电压：VD=V1–V2=–6–12=–18<0V，解：故D截止。VAO=12V。

+-DV2V1+-AOVAO+-12V-6V3K(a)+--+D1D2V2V1+-AOVAO3K6V9V(b)图(b)，假设D1、D2开路，则D两端电压：VD1=V2–0=9V>0V，VD2=V2–(–V1)=15V>0V

由于VD2>VD1

，则D2优先导通。此时VD1=–6V<0V，故D1截止。VAO=–V1=–6V。

（2）画输出信号波形方法根据输入信号大小判断二极管的导通与截止找出vO与vI关系画输出信号波形。例3：设二极管是理想的，vi=6sint(V)，试画vO波形。解：vi>2V时，D导通，则vO=vivi2V时，D截止，则vO=2V由此可画出vO的波形。

+-DV+-+-2V100RvOvit620vi(V)vO(V)t026小信号分析法即将电路中的二极管用小信号电路模型代替，利用得到的小信号等效电路分析电压或电流的变化量。分析步骤：将直流电源短路，画交流通路。用小信号电路模型代替二极管，得小信号等效电路。利用小信号等效电路分析电压与电流的变化量。1.4晶体二极管的应用电源设备组成框图：电源变压器整流电路滤波电路稳压电路vivOtvitv1tv2tv3tvO整流电路1.4.1整流与稳压电路D+-+-RvOvi当vi>0V时，D导通，则vO=vi当vi0V时，D截止，则vO=0V由此，利用二极管的单向导电性，实现了半波整流。

若输入信号为正弦波：

平均值：

VOt0vit0vO稳压电路某原因VOIZI限流电阻R：保证稳压管工作在Izmin~Izmax之间稳压原理：

VOVRVO=VZ输出电压：D+-+-RRLILVIVOIZI1.4.2限幅电路(或