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硅材料相关知识及多晶硅片检验标准2010.6目录晶体硅产业链相关知识拉制单晶硅棒与单晶硅棒的切片浇注多晶硅锭与切片硅片检验标准及检验方法一.晶体硅产业链相关知识一.晶体硅产业链相关知识一.晶体硅产业链相关知识二.单晶硅棒拉制及切片

多晶硅料拉制硅棒(单晶)单晶硅生长

单晶硅生长单晶硅生长拉晶过程可以分为以下几个阶段：1.熔硅。在熔硅阶段坩埚位置的调节很重要。开始坩埚位置较高，可以使坩埚口与加热器的顶部对齐，这样可以使坩埚底部的多晶硅料先熔化。然后再将坩埚逐渐降至拉晶的正常位置。熔硅过程不宜太长，熔硅时间长，熔硅中掺入杂质的挥发量大，坩埚熔蚀也严重。熔硅过程中应注意防止熔硅溅出或粘附在液面以上的坩埚壁上。2.引晶。将籽晶和坩埚的转速按照设备工艺规范分别设置调整好。当处于预置热场位置中的熔硅温度稳定后，将籽晶下降至熔硅上方预热10分钟，然后使籽晶缓慢下降，使其与熔硅接触。若籽晶很快被熔断，表明熔硅温度太高；若籽晶陷入熔硅，但融化很慢甚至不熔化或长大，表明熔硅温度太低；若熔硅很快浸润籽晶，并沿籽晶垂直面攀缘而上，端部稍微融化，则熔硅温度适当。在合适的温度下，籽晶可与熔硅长时间接触，既不会进一步熔化，也不会生长。单晶硅生长3.收颈。观察弯月面形状，如果适当，就开始将籽晶慢慢向上提拉，并逐渐将拉速增大到3.5mm/min以上。收颈部的直径、长度按照拉制单晶规格对应的工艺规范进行控制。细长的颈部有利于抑制位错从籽晶向颈部以下晶体延伸。颈部长些还可以使熔硅温度在放肩之前先稳定下来。4.放肩。根据收颈时的温度变化，将温度降低15℃～40℃，并将拉速调至0.4mm/min。随时观测直径，保持温度稳定，尽可能长成平单晶硅生长5.收肩（转肩）。当肩部直径约比需要的单晶直径小3～5mm时，将拉速提高到2.5mm/min，使直径增长速率降低。同时坩埚也开始自动跟踪，使熔硅液面始终保持在相对固定的位置上。6.等径生长。当直径达到要求后，将拉速降到1.3～1.5mm/min左右，然后在电子系统的自动控制下开始等直径生长。7.收尾。当坩埚中硅料剩下1.5kg左右时，停止坩埚跟踪，选取等直径生长阶段最后2h的平均拉速，并逐渐升温，使尾部长成锥型。硅棒的加工硅棒切片三.多晶硅锭浇注太阳电池用多晶硅与光电转换效率尽管关于多晶硅片质量与太阳电池光电转换效率之间详细的原理非常复杂，但是与氧、碳、金属杂质和晶体结构有关的硅片质量的指导方针，可用于改进现有硅片材料和开发新的硅片材料。最重要的硅片特性为氧、碳含量，金属杂质和晶体缺陷、断层以及晶界。三.多晶硅锭浇注三.多晶硅片切割

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