功率半导体行业深度

功率半导体：电能转换的载体功率半导体：功率分立器件与电源管理IC的集合功半导体以电能换为核的半导器件，过对电与电压行调控现电在系统的形式换与传分配，作用近于人体血液循系统，调整的电能送到对的用电端，为统运行供基础障。在电供能基础，传感将外界、声音压力和度等物量转换电信号通过模信号芯片将信号转为数字号给数芯片进计算处并指导部分芯进功实。图半导体分类及市场规模（22E）OiY理功率半导体包含分立器件及电源管理芯片且细分种类繁多，预计2022年总市场规模约为543亿美元。功率半导体由分立功率器件与电源管理芯片组成；根据OMDA与Yole据2022全功半功器及源理片场模为543美元半体场9中分立功器件281亿美电源管理芯片262亿美元。尽管功率半导体市场规模远小于数字芯片市场规模，但作电系底能流核，率导是子统常行基础。功率器件：快速的电子“开关”功率器是快速的电“开关通过切“开与关状态配其驱动电路实现电流与电压状态的改变。开内部功能联及交影响定开关的特，最终实现直流-直\交-交电压高、电流率及电方向整流\变的变并用稳器变器逆器整器及DCDC源。图功率半导体-快速的电力电子“开关”待优化OiY理功率器包括二极管晶闸管晶体管等品其中晶管包括双极（BJ、场效应如MOSFET及绝缘型如IGBT等器。体按控性动式载子型维进分。表分立功率器件的分类及性能特点分方式类别器件性特点可性可型极管实单导，控功能控型闸管能现启无自关，动路复杂控型体如ET实电开与断驱电简单驱方式流动型T极体管电驱器，要驱电、续动率压动型ETT电驱器，动压对流动，动率小载子类型极型ETD关度，作率，压力差大流导损大极性T、D作率，态流、通关断耗小合型T作率中耐能较，电区向性异理二极管极是由PN或特结(属-导)成元件备向特即流向不（向决施电的向实交流整的能据应电范及构分整二管恢二管、TVS极及特二管。晶闸管：由PNPN四层半导体组成；当晶闸管接入正向电压并产生足够大的电时闸就导通于旦通门失而半型件于没导和断间放区此态阻小热少受电流力强耐压可接于制流。图功率分立器件的分类理晶体管三端组的件通控三的流电实器的导通或关断，包括双极型（BJT）、场效应型如MOSET及绝缘栅型如IGT等器：BJ（BipolarTransistor）双晶管具电放的能可将信转成信号小（I基流发极×h（流流增益电从电流发极BJTs两类型NPN和PNP型,NN包括耐电到耐电产；PNP主为受压为400V以的品。MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）金属-化半体效晶管过制极源极源之的压可使电子在件中形成沟道”，现器件导通；过调节压的大可以控制通电流小，最实现“开与“关”的换。由其为单型器件开关能，用低流度大约10kHz开电。IGB（InsulatedGateBipolarTransistor）绝栅极晶管作为MOSET和BJT组成复合功率导体器件其工作原与MOFET类似既具了MOSET入抗制率动路单关度的势具备了BJT通态流大、电压低损耗小等点,解决了MOSET高压况下电流能大问，用高流度和20Hz下交驱条下作。以电为量来源的下应用均需用功率器件方面能应增加网、伏风、能新源车需到率件集于高率，件以IGBT、SiC器件及大功率晶闸管为主，对器件可靠性与热管理要求较高。另一方面业动机UP据心场对电率升要催了中功率段功率器件如IGBT、中高压MOSET的应用，对器件集成度、可靠性及热管理均出了要。此外在消费子、电等低功应用中硅基和GaN基功率件有用该应对件紧性集度出较要。图功率器件的应用场景及价值量区间OiY理功率器制造流程包硅晶圆-外延-芯片制造-封：(1底通区（C）法和直拉（FZ）法得到单晶硅，并通过切割抛光后获得器件衬底（晶圆）；(2)据件构行延膜积刻蚀离注入-散多工获得芯晶圆(3露芯需封进个壳并充缘料把片电极到外部成完整功率器产品，外中有一芯片的单管产，有多颗芯电气互并包含热通道连接接和绝缘护等单的为模产品，封装式根据用工况同而有区别；后，再封装好单管或块等器产应到变等源统。图功率半导体的制造流程Y理功率器件行业特点与竞争要素制造为先，IDM为长远发展趋势前道工是功率器件片性能的决性因素集电中拟片晶管、电和电容元件的机组合逻辑芯是晶体的堆叠排列，芯片功差主来于IC计此括片构I令集计程设软工具在的设环是片附值核心与集成电路不，功率器件的功能实现及差化来源于不的器件结构而器件构需通过前制造工艺实的制造工艺坏直接决定芯片的电子输等性能表现因此为掌握心工艺环，全球功器件龙头制商多以IDM模式为。图功率器件与集成电路的产品附加值比较理后道封装是证器件可靠性的关键节。功半体件电系工的键，因产品可性是核参数。常功率件要据应用实际工对芯片行定化装保其使中可性别在业车对品压温、耐击等可性要求高的应领域，品形式模块为，厂商对模块行管理磁EM方进合设以证个片机合行能现，此高靠性IGBT块，装节本比超30。环节 关环节 关工作 对品性能影响 成影响因素计 构计优化 构化提芯效率 片积小本低片应动工匹配据片应动工匹配据用求行数设调整定本毛率升率产批稳性低定本毛率升率产批稳性低本提毛率造据用行管、性等计仿真 定品定环耐等靠性装 制设原料本附值同装料化 低装本提可性理单管拉开芯片差距，模块建立客户粘性应用场定义器件类型，件性能定义芯参数。应端个化求要对芯特性及块的电结构、扑结构外形和口控制的设计求。以车逆器例功主动常要到个片联使单多并联，管间电流流和平、同时断等难大，且口较多通过芯互连配保护件具备好一致及稳定的功率块成为流选择而模块据汽车况对高温、腐蚀、氧化及械振动要求进定制化计，据再对芯的态能结等面出求并过造艺行现。图功率半导体应用思路Y理单管依芯片技术拉差距模块依定制化设计立客户黏性管品装形标准化以规模生产为，产品争力来于芯片构优化性能提以及片面积小带来成本降。模块品是基应用的制化产，而应系电拓及间计均于块电能管与部寸参数此，模是与客建立长合作关的桥梁在此过中，器厂商不需要芯设计队还需培养强的应用队，能速、准地理解户的个化需求并这需转成品求行块发反到片进对的计发。图单管与模块的核心要素理表单管与模块各个环节的特点与侧重点对比与发展关键单管模块应特点低场，格准产，型直适用压电场据业车场对态能要不同行制设计芯环节片计仿能决成与品能配块用求设与真力封环节准化制，现应的解关要素端品规化渠能，端品芯性能可性产能力理差异化vs.标准化、高性能与可靠性：器件制造商与集成商的差异化考量功率产生命周期长迭代慢差异化件产品铸就片制造商核竞争力功率件迭代级的驱力来源下游用量的提及低功的应用求，可耐用的用要求定了其品生命期长，此自20世纪50年代率二极、功率极管面至今功器件迭速度较。每代品源于用的新要求，各类器件非对替代系，而各有分工和部竞争的系。在过程中功率器制造商通过器结构设提升产性能，小芯片积降低造成本模定化造异，终现润间行壁的升。图器件制造商与集成商的考量结可靠性先“标准化产品是统集成商降供应链成本需求。虑统故障来的售成本，统集成将产品靠性作首要考。以高应用为，在分系统计时会低单个片性能求，优考虑选结构简面积较的平型器件保证芯的耐压量及散水平。时，为低成本开发时，集商会采用“平”方开(如车)，功率器产品需集成商部有一定用性且多家可换的供商。在背景下功率器厂商倾于争取第供商领块数器设“准成就城于进者，选对标供”能以升价作主发点赢更市份。发展趋势：高效率、高可靠性、低成本与新材料芯片向高效率、低本的器件结发展功率器件是电能传输效率的关键产品向着高转换效率高功率密度即小体积方向发展相应地芯片向着结构优化以提升传输效率减小芯片面积以降低成本的方向不进以英飞凌IGT产品为例7代产品围绕器件的电场分布结温短路能力等参数进行结构的设计优化，其中3//7代器件实现了变革性的技术突破：IBT3通过背面注入了一个掺杂浓度略高于N-衬底的N缓冲层，使得电场强度可迅速降低，整体电场呈梯形且漂移区厚度减小，实现了器件关断时拖尾电流及损耗（低导通压降）的降低。IBT4则通过薄晶圆及优化背面结构，进一步降低了开关损耗，提升了器件输出电流的能力。IGT7则是增加了多种形式沟槽，综合各沟槽形式的优点，使得器件性能显著提升此外沟槽结构使得芯片面积不断减小在功率密度提升的同时降低了芯片成本。图英飞凌IBT产品理表英飞凌IBT产品参数IBT技特点芯面积（对值）关时间（秒）工结温℃） 断电压） 出时间1面透（)055082进平穿型T）6310003槽（h）050024穿型T）155075场止（）面铜795016槽电截型Th）455037沟栅截（F）22507理封装形向着高可靠和高集成度向发展单管封向小体积方发展，模块装向高可靠性展在车工等度变化、振动动态工复杂的景中，块是保系统稳运行的键。为升可性，未模块将着优化合装配连接技、提高温度和载变化可靠、改善热效果通过改外壳和注材料配方来高抗气变化的应性优化内连接和部配件线、提功率模的集成以降低统成本方发。图功率器件封装技术演进理制造工向12英寸拓展功率器应用场景逐丰富12英寸产可用于生产的需较大的低压器件以提升单位产量。圆面增加单位晶产芯片量升，片成降低，此，功率器件龙头厂商均布局了12英寸产线，将用量较大的中低压功率器件放于12英寸线上生产。此外，由于12英寸硅片仅能用直拉法（CZ）生产，因此需要区熔法（FZ）硅片中高功率器还是以8英寸及下产线为主。图12英寸工艺适用产品及应用Y理比8寸线12寸设更购且备本势片量倍道本降低20-30右条12寸设经厂房设备装验证，投后还需进洗线，简工艺平到复杂艺平台行调试达到稳生产态需要2以的间。图12英寸线建设过程及成本优势Y理大功率用向宽禁带导体器件发展随终端应电子架复杂程提升，基器件理极限法满足分高压高温高频及功耗的用要求具备热率高、界击穿强高、子饱和移率等点碳Si件为率件料的术代品现应用新能源车、光等领域在电力子设备实现对能的高管理。逆器例化模代硅基IGBT后变输功可至基统的2.5，积小1.5，率度原有3.6，终现统本体低。图不同半导体材料对应的应用领域理全球格局渐稳，新能源触发新一轮变革历经整合洗牌，行业格局渐清晰回顾功半导体行业史市场需驱动力来源用电场景的化从消费电子外延至高铁变频白电、工控及新能源。我以飞、安美意半导三功器厂营增及公年为考行增动进剖析203年前，功率器件需求来源集中在消费电子、传统汽车、照明等领域，2013年-205随洲伏施建铁速展中压率件如IGT来应场景需求后2016后于工用效提及电耗低要求频化为此段率导的增能IPM模产大开应自2020年始，新源发电与新源汽从点、推向需求动阶段变用场景幅加，功率半体进入景气周期。图20-02年功率半导体代表公司营收增长动因复盘（增速，）Boe223为Boeg理市场集中度不高，第一大厂商市占率不到20。从CR5的集中度及各厂商市占率，2014前率导市集度低各市率近在历201-203的行期后201-206业入购合期业中度幅升2015英凌成国际流公司(IR并购国业LSPowrSemtech所股、购注驾辅系的PCB造商ScweierEletroicandTTTch的股权，NXPfrescae合并，安森半导体(OnSemconuctr)宣布并仙半体(Farchld)行重后头应显CR5定局成。进入2019年各家开始新一轮并购，CR5格局至今保持稳定：Dides宣布收购德仪晶制厂GFA飞收赛拉提汽半体占姆布收松下半体的二管和三管业务以充汽车工业市份额，森美半导体宣布以4.3亿美元收购格芯位于美国纽约州的300m晶圆厂获取格芯先进的CMO、MOSET和IGT造力瑞以67美收购ID。图21-00功率半导体行业集中度变化情况Boe理碳化硅引领行业增速，汽车、新能源与工控驱动行业增长2021-2025年全球功率器件市场将由259亿美元增至357亿美元，年复合增速约为8.4中禁半体碳硅化市增最均超40合Omda、Yole据我测算25全碳硅件场达43美（占12；IGT最要件益汽能等增用场模从21年9.7美元快速增至136亿美元（占38），年复合增速约为128；MOSET消费类应用等量场降汽车能等增用长场本持定25市规约为104美（占29）。图22-05全球功率器件市场规模及增速（按器件类型分，亿美元，）OiY算2025年汽车工控将成为率器件最主市场占比达41和30合Omda、Yole据们算205全汽新源车率件场增至142亿美元(占41)，21-5年复合增速最快为18，工控市场将增至107亿美元(占3021-5复增为13能发市将至20美元占62125年复合增速达13；此外，电网市场将增至8亿美元(占2)，21-5年复合增速达19.图22-05全球功率器件市场空间及增速（按应用分，亿美元，）Oi算新能源车中电能取燃油成为汽驱动的能量来源每次电电压的变换需用到功率器件。“三系统”即池、机及控系取代油发机、箱或变速；同时配套新增DCDC模块电机控系统、池管理统及高电路等统以完电能在车中的配与管。以纯动汽车例，在动端，流依次经外部充电设备、车载充电机OBC（输入为交流电流时使用）、电池、逆变器电机电、减速及车轮同时通电池管系统进能量管；在车及助统，流电处出经过DCDC换、压池辅系。图汽车电动化框架理汽车电化加速功率器单车价值量多将增至700美金以据飞汽事部据车动和能芯市未五将别以22和21复合速速长21纯动车率件车值约450元中逆器占70，车载充电器（OBC）、BMS及DCDC电源等系统占30。随着自动驾驶、车率升化及化加渗25纯动车率件车值量约700元。图2-7年汽车半导体单车价值量变化及市场情况理工业电机及其控制系统的用电量将增至全球耗电量的一半，其中通用变频器占60。据英飞数据，计到200年业电机统中电耗电量占60。全球工驱动市高压电变频器（>1V）占9；中电压驱（<1kV）占91，其中约三分之二为通用型占60，包括风机、泵类和空气压缩机及升降、起重电和舶动领域三之为服动括作器人流器等。协机人例单半体值达350元中率件约200元。图全球工业驱动市场情况与应用理新能源电带来电网构变革光伏风电储能及型电网均为率器件应用增量。随光伏、电及能等新直流装将接配电网配电的整体构之生化流备入流网以流交的式配储设中，每电能变均需用功率器。根据飞凌数，光伏风电与能的逆器配装单位MW功器价量别在200-350200-500250-300欧左右。外，由配电网受的扰类型会显增加电网中有越来多的如中高压大容量AC-C换流器、DC-C直流变压器以及直流断路器等装置，对地IGBT中压率件量大增。图新能源发电带来的电网变革 图新能源发电功率半导体单位价值量与每年发电量理 :理家电变化带来半导单机价值量升白电IPM模块国化空间大据飞凌据，随家用空、商用调、冰、洗衣和热泵变频化变速电的应用使得半导体单机价值量由0.7欧元提升至9.5欧元。其中，IPM模块、IGT功半体量用变白中实电频的化据业线计，尽管中国已成为全球最大的白色家电生产基地，其中空调占全球80的产能，冰和衣亦超50然家电IPM块产例小于15国化间大。图家电变频化半导体单机价值量提升 图217年-01年我国白电IM模块国产化率 :理 :理碳化硅为增速最快的功率器件21-25年CAGR42，预计25年全球碳化硅器件市场将超43亿美元。与Si相比，SiC击穿场强是Si的10倍，这意味着同样电压等级SiCMOSET外延厚度只要Si的十之一，应漂移区抗大大低；且SiC带度是Si的3，电力强同，SiC导及点常，是Si的2-3；SiC子和度是Si的2-3，够现10的作率；此与IGT比SiC件关耗多可少74。图碳化硅应用优势及市场空间（亿美元）:OiY理合Yole据们计SiC件场从2021年10.9美增至205年43亿美元以上，复合增速达42。其中，新能源汽车将从201年6.7亿增至2025年34亿美，复合速51，占个市场80。除车外，伏、风及储能等新能市场将从201年1.54亿美增加至205年5.14亿美，此外，电设施道通电驱等域将速加。存量替代与增量渗透驱动中国企业快速成长中国企业份额提升迅速，产品结构不断升级2021年亚太区占全球功半导体市场的74.3其中中厂商成长迅根据Yole数据，亚太地区在全球功率半导体市场的占比由2020年71.增加到201的74.中企在细市成迅：2021全球IGBT分立器市场，兰市率3.5(列八)智能功模块IPM(IteligetPowrModle)域兰市率2.2(列八)微子占率1.0(列十在IGBT块域斯半市率3.0(列六)时电市率2.列十)；在MOSFET分立器件领域，华润微市占率4.0(位列第八)，安世半导体市占率3.7(列九)士微占率3.0(列十)。图全球功率半导体主要参与者及各细分领域市占率情况:YOi理我国的率半导体以门槛细分应为起点逐步向术实现较难应用领域发展，并随能源头部厂商出海步走向国际化随各司术界拓宽产品式逐步单品替阶段向决方案展；在业缺货加新能领域渗加速催化下从部分价值量技术门较低的费、家及低端控如焊等领逐步向证壁垒高的高工控、伏及新源汽车端模块领域进突破此外，供应链境多变背景下国内下应用厂国产化愿增强光、能新源车新领国化大提。图中国功率半导体发展的产品层次:理以新能源汽车为例，作为增量市场，乘用车功率IGBT模块国产化率已迅速提升至50以上。据NE代据我国22前季新源险用主驱IGT案国供商计比54中亚半体载约69.9占23，达导约543占18代气约41.1占13计产化将各产释环提。图22年19月我国新能源上险乘用车主驱IBT模块供应商情况(万只)NE理IDMorFabless？存量与增量的博弈我国功率半导体仍处于单品替代阶段，代工平台工艺仍领先，IDM优势体现尚需时日。我功率半体发展处于早阶段IGB、结MOS等高端器国产率较低单替阶20下年业货能加渗以国际环变化等因素催下，汽、光伏新能源用为国功率厂提供验机会国产化提升迅；而工、光伏块等存或高技门槛领国产化仍较低，IDM多品类规模化优势仍不明显。此外，由于我国特色工艺代工平台如华虹等术积累厚，国内IDM厂商艺仍处追赶阶，技术代优势在更长时维内能现。图中国功率半导体代工与IM的产能扩张与中短期格局:理特色工艺代工厂扩产持续，Fabless与IDM界限渐模糊。与全球功率半导体IM为的产能局不同我国特工艺代厂在政及市场重驱动迅速成。通过国内可用生产MOSET\GBT的主代工厂及表性IDM厂商能增量进行梳，我们计21-5年我特色工代工产增速将高于IDM的产增速，以虹、积半导体中芯集为代表代工平在产能工艺成度上均备竞争力，头部设计公司近几年内产能相对充裕且工艺平台较成熟，短期内与IM界将步糊、异竞尚显。22年前三季度功率半导体整体保持加速增长回顾22年前三季度，我国主要功率半导体上市公司合计营收同比增长20.至373.13亿元合计归净利润同增加2至69.37亿元Q22率导块计收比升16.0比长1.8至1331元计母利同比增加1比降0.4至247元率导整景持续自2Q2分公司现业绩化，主系：1)手、家电消费终产品需受到疫、通胀等素制；2能汽、伏储等能需持增。图功率半导体行业公司营业收入 图功率半导体行业公司单季度营业收入 W理 Wd理图功率半导体行业公司归母净利润 图功率半导体行业公司单季度归母净利润 W理 Wd理3Q22功率半体板利润率比环比回存货周天数应收账周转天数环比小幅下率导板块3Q22利同降3.2pc比降2.1ct至30.，其中除斯达半导、东微半导外均同环比回落；3Q22净利率同比下降3.1pct、环下降2.3ct至16.。3Q22功率导体板块货周转天数同比增加1336天、环比下降1.7天至11716天；应收账款周转天数同比减少2.2、比降2.19至86.2。图功率半导体行业公司毛利率、净利率 图功率半导体行业公司存货、应收账款周转天数W理 Wd理据ICinsghts据预计22全功率立件销额同增长11，达到245亿美，实现续六年长，创历新。在汽及工业拉动下分器件均售格幅十新22同增达11预计23年随全球经济增长放缓以及缺货情况缓解，预计收入将下降2至240亿美元，从24年开始进入另一个长周期。图全球功率器件销售情况（单位：十亿美元）:ICiit理中国主要功率半导体公司分析斯达半导斯达半导是国IGBT的龙头企业2021年全球IGBT模块市场市占排名第（市占率3.0），国内IGBT模块市场份额第一。公司产品主要应用于工业控制、新源白变家等域。207-201公营收年复增率40.；扣非归母净利润年均复合增长率65.；在产品技术升级及应用结构优化的驱动，司利从2017的30.0升至1H22的40.9盈能持增。图公司营收、扣非归母净利润（亿元）及毛利率 图公司近五年分产品营收结构（） i理 Wd理端由7年至2的2车T过0CT始计3，司TT和计3。图公司未来布局及产能规划:理公司在Fabless模式基上，通过自产线补充产类型，拓宽未增长空间。司低压IGT芯一与内术先代平长合进产技术的迭代升级；在此基础上，公司自建6英寸高压功率芯片产线将IGT产品向330V以上的电网、轨交和风电等应用拓展，碳化硅芯片产线作为从模块到芯片品步展衔为来化行加期好能的备。士兰微士兰微是内最早的IDM厂商之从国内条5/6英寸线8英寸线到12英寸特色工艺线，司始终保持行业领先，成包括合半体在，外延、片计制到装垂整模式司品盖率导、拟片及LED等领域。近5年公司快速成长，201-201年公司营业收入年均复合增长率27.；非母利年复增率73.。图公司营收、扣非归母净利润（亿元）及毛利率 图公司近五年分产品营收结构（） i理 W理公司在率器件业务持领先IGBTMOSFET分立器及IPM模块均全球前十。21司T达T达名M达司T要司1产驱T调T和1司3。表公司产能布局情况（截至222年6月）业务产能进展士集成6寸2片/月1总产出、6寸片44片同增加4士集

8寸 6片月 1总产出8寸片3片2起设期3，投入9元募集0规划BT率片22寸3片月士集科 期：4片（21建）

片/、OT率片2片/和MET率片2片年（营）2

期：2片（2建）

1年2寸片0片，22能达5片，际出达7片/月士明（营

4寸 N和S端D片2片/月品要于间显、iD示、外耦安监、用D6寸 C率件片2片月 2年起建设周期3年，总投入5亿元(拟募集5亿)，规划CET芯片2片/、CD片4片年集科技

能率块 3只/率件 0只年S感器 2只年

2实年智功模M3只产业和车功模）0万只、年产功率器件0亿只、年产S传感器2亿只、年产光电器件00电件 0只年只封能力业入4元利润4元业和车功率块0只/年成士兰 装 车功模块 0只/年2起设期3投入0募集1元产预新年售入68元新年润额9元。理2线至2放2能5达7计2达6产6片2司25年12英寸线总产能将达9万片/月公划CT片2CD片4，2产0产0计2年2到3年4现。时代电气时代电气以轨道通为起点，新能源、工等新兴领域形了“同心多化”的业务布局。中时代气是国中车下股制企，经多年耕细，公司轨道交等领域为了掌核心器技术的备制造头。依于在轨交装领的心术资优势司拓率导器件业流品、新源汽车驱系统传感器件海装备等兴装备务产沿产链自上下电子件零件系铺。图公司营收、扣非归母净利润（亿元）及毛利率 图公司近五年分产品营收结构（）i理 W理新能源发电与车驱动公新兴装备业务加成长。光、电储及能源汽带来电架构升，带来从逆变、电驱等整机功率器、传感的量价升。公司22年前季度新兴备整体实现收35.3(Yo+13.0)；其中，工业变流营收8.5亿元（YoY+19.8)，海工装备营收2.91亿元(Yo+9159，新能源汽电驱系统营收8.35亿元(Yo+19.8)，功率半导体收12.2元(oY+778)感件收2.6元(Yo+12.3司光伏逆器22年7-9月（7.0-920）国累计中标5.6GW，其中7、8月市占位第一新源车IGT块列内五电动统列内十。表公司功率器件产能情况产项目设产能投情况产定位期8寸2片/年定出压件主聚轨交、网高风等T件期8寸4片/年计2满产低器为，焦车新源电等T件兴6片，计4投产 焦能汽领中压件材低功器项目 8寸拓至2片年洲6片，计4投产 焦能发及控家领低组基材拓至2片年化芯产线 6寸5片年 计4投产 现有4寸C片提到6寸现有4产能1片年理硅基与碳化基功率器件产能同步升级。公司8英芯产一期稳产，二已逐步近设计能24万片年在此基上，公布局了低压功器件业项目兴项聚新源车域能36片/（拓至72片/年洲项聚新源电工电域能36片/（拓至72片年外司现有4寸化产线(1片/月升至6寸(2.5万片/月以现芯工及能的升。于新能汽车、风储、网及轨交国外户累机的务展司率件务成来要长点。BYD半导(未上市)比亚迪导体是是国内先的汽车半体供应平台一作比迪公，主从功半体能制I能感及电导产品发产及销售公以车规半导体核心，步推动业、家、新能源和消电子等域半体用由亚汽领的累前司量产IGBSiC器件、IP、MCUCMOS图像感器、磁传感、LED光源显示等品，应于汽电机驱控制系、整车管理系、车身制系统电池管系统、车载影像系统及照明系统等重要领域。201-201年公司营业收入年均复合增长率33.；非母利年复增率1233。图公司营收、扣非归母净利润（亿元）及毛利率 图公司近五年分产品营收结构（）i理 W理整车拉汽车半导体速增长，产能布拓宽公司成空间公比迪车销持续保国内领，叠加能源汽行业增驱动，亚迪半体在汽国功半体保第一据NE代据1-9我新源险用比亚迪半体配套约724万(占21.)，仅于英飞凌占25.）。未来随着南导逐满产沙导产逐释司功及能IC务进步速长。表公司产能布局情况产项目设产能投情况产定位率块- 0只定出规、业功半体块南导体 8寸6片/年 计3满产 计2年12可到2片年出0（计增入5元）3年3满产可套能汽约0辆波导体6寸6片/年定出率导晶，配新源车约0辆未部转碳硅沙导体8寸2片年计5达产率导和能制C圆预可套能汽约0辆理东微半导公司国内高压级结MOSET的领企业，产包括高超级结MOSET及中低屏栅MOSET超硅MOFET及TGBT等装标化功单器为，因公司以产品性明显好竞品铸了在细领域的先地位产品平售价显高于行；以司高压级结产为例，性能达了与国龙头可水平部小率变中司结MOS片现替换IGBT片实系效的幅高208-201公营收年复增率723非母利年复增率95.。图公司营收、扣非归母净利润（亿元）及毛利率 图公司近五年分产品营收结构（）i理 W理新能源公司行业务主要驱动力1H22公汽车及业级应用占已超过70。其收主要来于新能汽车车充电机光伏与能逆变器和充桩与工电源等领域并已覆盖各领域的头部客户。在光储领域，公司客户包含客户A、昱能科、禾迈份、爱惟、日元等光逆变厂，洛仑、宁德代和图电气储能厂；在新源汽车直流充桩领域户涵盖亚迪、搏尔、城科、英威、欣锐技和威斯等车充电器整车厂，英可、英飞、锐、联技盛股、优能客户A充桩商。图公司基本布局理宏微科技司深耕IGTFRD器及块品国代厂之一品要用于伏变器工领，来车IGBT块品逐放。司在IGBT及FRD域累年公司于12寸IGT台微槽术望22完证，FRED涉及的软恢复结构和非均匀少子寿命控制技术等芯片设计与制造技术已成熟207-221公营收年复增率27.非母利年复合长率877。图公司营收、扣非归母净利润（亿元）及毛利率 图公司近五年分产品营收结构（） i理 W理工控IGBT产品夯基础新能源用占比提1-Q22司控入比约53，伏入比由21约10至29电收占约为4规品比全年有望实现15以上；未来光伏和汽车业务占比将逐年提升。目前公司工控客户涵台达集、汇川术、英腾和合新能等家变频头部企，松下佳士技、奥集团和上沪工等家电焊知名企。新能汽车客涵盖比亚迪汇川技术和臻科技；充桩客户括英飞、英可、优优能和特来电公司，伏客户括A公、阳光源、固威和格瓦特等家龙头预计23光与能汽模的量拉公业快增。表公司产能布局情况（截至222年6月）业务设产能 进展山区 0只年 定出竹

期0只/可展） 入用期0只/车级） 设期：3（5）总资：6元理扬杰科技扬杰技是国最早的率半导体IDM厂商一，公具备功率导体硅、芯及件造装试综制能品括单硅棒片延片、56及8等类力子件片MOSETIGBSiC列品功率块、小号二三管、功二极管及整桥等，品广泛用于汽电子、新能源、5G通讯、电力电子、安防、工业及消费类电子等诸多领域。207-201公营收年复增率31.非母利年复增率34.。图公司营收、扣非归母净利润（亿元）及毛利率 图近10年公司收入结构（按地区分） i理 W理“双品牌战略形国内外正循环司欧市主MCC微科牌。司在2015就购该牌品作北半体名牌与DII-KY、Futre团及Arrw团全性子器代商终国客长合，对安森美国际第梯队品，产品格优且利较高，收后公司外业务入年升止22前季度司外务售入比倍长入占比达30以上。此外，在中国地区及亚太市场，公司主推“YJ”品牌；整体以“品”锚形了内业的向环。图公司基本布局理产品结构持升级，产能布局逐步善。公产获多海外著汽零部企认可批供超30022前季汽电业同增超50，司规封产已现5以增外司MOSETIGT及SiC新产品22年前季度公销售收同比增长超过100，IGBT在光应用已得批订单SiCSBD得光逆器户可批出。在MOSE、IGT产端发力的时，司收购了湖楚微半体将在来补齐8英晶圆制能力目前，微半导一期已一条月产1万的8英线，二将建设1条月产3片的8寸基片线和1月产0.5片的6寸化基片线，为司来品构化供产保。新洁能新洁能是国内MOSET品类最齐全且产品技术领先的设计公司，主要产品包括以IGB蔽栅MOSE（SGTMOSE结MOFE（SJMOSE槽型MOSET（TrechMOSET大艺台基的片功器件SiCMOSEGaNHET、功率模块及智能功率IC等新产品。公司整体产品型号超160款，电压覆盖12V170V全