标准解读

《GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法》相较于《GB 6617-1986》进行了多方面的更新与改进。首先，在标准的适用范围上，《GB/T 6617-1995》更加明确地定义了本方法适用于单晶硅和多晶硅材料，以及这些材料制成的器件或结构件表面局部区域电阻率的测量。其次，新版本对试验原理进行了更为详细的阐述，包括扩展电阻探针技术的基本理论及其应用条件等信息。

在设备要求方面，《GB/T 6617-1995》增加了对于测试系统准确度的要求，并且规定了探针间距、压力控制等参数的具体数值。此外，还新增加了关于样品准备的内容，比如如何清洗样品表面以确保测试结果的准确性。同时，该标准也详细描述了整个实验过程中的步骤，包括但不限于样品固定方式、探针接触点的选择原则等，使得操作流程更加规范统一。


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  • 被代替
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  • 1995-04-18 颁布
  • 1995-12-01 实施
©正版授权
GB/T 6617-1995硅片电阻率测定扩展电阻探针法_第1页
GB/T 6617-1995硅片电阻率测定扩展电阻探针法_第2页
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文档简介

UDC669.782-415：317.33：21中华人民共和国国家标准GB/T6617-1995硅片电阻率测定扩展电阻探针法Testmethodformeasuringresistivityofsiliconwafersusingspreadingresistanceprobe1995-04-18发布1995-12-01实施国家技术监督局发布

(京)新受字023号中华人民共和国国国家标准硅片电阻率测定扩展电阻探针法GB/T6617-1995中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码：1(0045电话：63787337、637874471995年11月第一版22005年1月电子版制作书号：155066·1-11907版权专有侵权必究举报电话：（010）68533533

中华人民共和国国家标准CB/T6617-1995硅片电阻率测定扩展电阻探针法Testmethodformeasuringresistivityofsilicon代替6617-86wafersusingspreadingresistanceprobe1主题内客与适用范图本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量品体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围：10-～10”·cm.2引用标准GB1550硅单晶导电类型测定方法GB/T1552硅、铺单品电阻率直排四探针测量方法GB1555硅单晶晶向光图测量方法GB1556硅单晶晶向X光衍射测量方法GB/T14847重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法YS/T15硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法3方法提要扩展电阻法是一种实验比较法。该方法是先测量重复形成的点接触的扩展电阻，再用校准曲线来确定被测试样在探针接触点附近的电阻率。扩展电阻R.是导电金属探针与硅片上一个参考点之间的电势降与流过探针的电流之比。浏量装量4.1机械装置4.1.1探针架：可采用单探针、两探针和三探针结构。探针架用作支承探针，使其以重复的速度和预定的压力将探针尖下降至试样表面，并可调节探针的接触点位置。4.1.2探针尖采用坚硬耐磨的良好导电材料如锁、碳化鸽或鸽-钉合金等制成。针尖曲率半径不大于25Pm,夹角为30°～60°。针距为15～1000rm.4.1.3样品台：绝缘真空吸盘或其他能将硅片固定的装置，能在互相垂直的两个方向上实现5~500km步距的位移。4.1.4绝缘性，探针之间及任一探针与机座之间的直流绝缘电阻大于1GQ4.2电学测量装置可采用恒压法

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