标准解读

《GB/T 5594.4-1985 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 介质损耗角正切值的测试方法》是一项国家标准，它规定了用于测定电子元器件中结构陶瓷材料介质损耗角正切值的方法。该标准适用于在特定频率下对陶瓷材料进行电性能评价时使用。

根据这项标准，介质损耗角正切（tanδ）是指交流电场作用下，材料内部能量损失与储存能量之比的一种度量方式。通过测量这个参数可以评估材料的绝缘性能和品质因素。标准详细描述了实验所需的仪器设备、样品准备步骤、测试条件以及具体的操作程序等信息。例如，要求使用的测试频率范围通常为几百赫兹到兆赫兹之间，并且指出了如何正确连接电路以确保准确读数。


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  • 1985-11-27 颁布
  • 1986-12-01 实施
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UDC621.315.612：621.382/.387：620.1中华人民共和国国家标准GB5594.4-85电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法介质损耗角正切值的测试方法TestmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinnelectroniccomponentsTestmethodfordielectriclossangletangentvalue1985-11-27发布1986-12-01实施国家批准

中华人民共和国国家标准电子元器件结构陶瓷材料UDC621.315.612：621.382性能测试方法/.387:620.1GB35594.4-85介质损耗角正切值的测试方法TestmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinelectroniccomponentsTestmethodfordielectriclossangletangentalue本标准适用于测定电子元器件结构陶瓷材料在频率1MHz,温度从室温至500℃条件下的介质损耗角正切值。1定义和测试原理陶瓷材料的介质损耗角正切值（tano）是表示在某一频率交流电压作用下介质损耗的参数。所调介质损耗即是单位时间内消耗的电能。由陶瓷材料制成的元器件，当它工作时，交变电压加在陶瓷介质上，并通过交变电流，这时陶瓷介质连同与其相联系的金属部分，.，可以石成有损耗的电容器，并可用一个理想电容器和一个纯电阻器并联或串联的电路来等效，如图1所示。电压和电流的相位关系可用图2表示。a.料联等效电路b.串联等效电路图1有损耗电

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