标准解读

《GB/T 4937.4-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST)》是一项国家标准,旨在规定半导体器件在特定条件下进行的强加速稳态湿热试验的方法。这项标准适用于评估半导体器件在高温高湿环境下的可靠性。

根据该标准,HAST(Highly Accelerated Stress Test)试验是一种通过提高温度和湿度来加速材料老化过程的技术手段,用于快速检测产品在长期使用过程中可能遇到的问题。此方法能够有效缩短测试时间,同时提供关于样品耐久性和稳定性的关键信息。

标准中详细描述了HAST试验的具体条件,包括但不限于试验箱内的温湿度设置、加压情况以及持续时间等参数。例如,它指定了温度范围通常为105°C至130°C之间,并且相对湿度需保持在饱和状态或接近饱和;此外,还要求一定的气压水平以确保试验的有效性。这些严格控制的环境因素共同作用于被测样本上,模拟其在实际应用中可能遭遇的恶劣工况。

对于待测样品的选择与准备,《GB/T 4937.4-2012》也给出了明确指导,比如需要考虑样品的数量、类型及其安装方式等因素,确保试验结果具有代表性且可重复。

此外,标准还涵盖了试验后的处理步骤及数据分析方法等内容,帮助用户正确理解和评价试验数据的意义,从而做出合理的判断或决策。通过遵循本标准所规定的程序执行HAST试验,可以有效地对半导体器件的质量和性能进行全面而深入的考察。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2012-11-05 颁布
  • 2013-02-15 实施
©正版授权
GB/T 4937.4-2012半导体器件机械和气候试验方法第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST)_第1页
GB/T 4937.4-2012半导体器件机械和气候试验方法第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST)_第2页
GB/T 4937.4-2012半导体器件机械和气候试验方法第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST)_第3页
GB/T 4937.4-2012半导体器件机械和气候试验方法第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST)_第4页
GB/T 4937.4-2012半导体器件机械和气候试验方法第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST)_第5页
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文档简介

ICS3108001

L40..

中华人民共和国国家标准

GB/T49374—2012/IEC60749-42002

.:

半导体器件

机械和气候试验方法

第4部分强加速稳态湿热试验HAST

:()

Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—

Part4DamheatsteadstatehihlacceleratedstresstestHAST

:p,y,gy()

(IEC60749-4:2002,IDT)

2012-11-05发布2013-02-15实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

半导体器件

机械和气候试验方法

第4部分强加速稳态湿热试验HAST

:()

GB/T4937.4—2012/IEC60749-4:2002

*

中国标准出版社出版发行

北京市朝阳区和平里西街甲号

2(100013)

北京市西城区三里河北街号

16(100045)

网址

:

服务热线

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年月第一版

20132

*

书号

:155066·1-46248

版权专有侵权必究

GB/T49374—2012/IEC60749-42002

.:

前言

半导体器件机械和气候试验方法由以下部分组成

GB/T4937《》:

第部分总则

———1:;

第部分低气压

———2:;

第部分外部目检

———3:;

第部分强加速稳态湿热试验

———4:(HAST);

第部分稳态温湿度偏置寿命试验

———5:;

第部分高温贮存

———6:;

第部分内部水汽含量测试和其他残余气体分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分标志耐久性

———9:;

第部分机械冲击

———10:;

第部分快速温度变化双液槽法

———11:;

第部分变频振动

———12:;

第部分盐气

———13:;

第部分引线牢固性引线强度

———14:();

第部分通孔安装器件的耐焊接热

———15:;

第部分粒子碰撞噪声检测

———16:(PIND);

第部分中子辐射

———17:;

第部分电离辐射总剂量

———18:();

第部分芯片剪切强度

———19:;

第部分塑封表面安装器件的耐湿和耐焊接热

———20:;

第部分可焊性

———21:;

第部分键合强度

———22:;

第部分高温工作寿命

———23:;

第部分加速耐湿无偏置强加速应力试验

———24:;

第部分温度循环

———25:;

第部分静电放电敏感度试验人体模式

———26:(ESD)(HBM);

第部分静电放电敏感度试验机械模式

———27:(ESD)(MM);

第部分静电放电敏感度试验器件带电模式考虑中

———28:(ESD)(CDM)();

第部分门锁试验

———29:;

第部分非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性内部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐湿无偏置高压蒸煮

———33:;

第部分功率循环

———34:;

第部分塑封电子元器件的声学扫描

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

第部分手持电子产品用元器件桌面跌落试验方法

———37:;

GB/T49374—2012/IEC60749-42002

.:

第部分半导体器件的软错误试验方法

———38:;

第部分半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量

———39:。

本部分是的第部分

GB/T49374。

本部分按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻译法等同采用半导体器件机械和气候试验方法第部分强

IEC60749-4:2002《4:

加速稳态湿热试验

(HAST)》。

为便于使用本部分做了下列编辑性修改和勘误

,:

用小数点代替作为小数点的逗号

a)“.”“,”;

删除国际标准的前言

b);

将第章中见改为见

c)8e)“3.1”“4.2”。

本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出

本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本部分起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所

:。

本部分主要起草人李丽霞陈海蓉崔波

:、、。

GB/T49374—2012/IEC60749-42002

.:

半导体器件

机械和气候试验方法

第4部分强加速稳态湿热试验HAST

:()

1范围

的本部分规定了强加速稳态湿热试验方法用于评价非气密封装半导体器件

GB/T4937(HAST),

在潮湿的环境下的可靠性

2强加速稳态湿热试验HAST—一般说明

()

强加速稳态湿热试验通过施加严酷的温度湿度和偏置条件来加速潮气穿透外部保护材料灌封或

、(

密封或外部保护材料和金属导体的交接面此试验应力产生的失效机理通常与稳态温湿度偏

)。“85/85”

置寿命试验见相同试验方法可以从稳态寿命试验或本试验方法中选

(IEC60749-5)。85℃/85%RH

择在执行两种试验方法时稳态寿命试验的结果优先于强加速稳态湿热试验

。,85℃/85%RH

(HAST)。

本试验方法应被视为破坏性试验

3试验设备

试验需要一台能连续保持规定的温度和相对湿度的压力容器同时提供电连接试验时给器件施加

,,

规定的偏置条件

31受控条件

.

在上升到规定的试验环境和从规定的试验环境下降过程中压力容器应能够提供受控的压力温度

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