GB/T 4937.11-2018半导体器件机械和气候试验方法第11部分：快速温度变化双液槽法

ICS3108001

L40..

中华人民共和国国家标准

GB/T493711—2018/IEC60749-112002

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第11部分快速温度变化双液槽法

:

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part11Raidchaneoftemerature—Two-fluid-bathmethod

:pgp

(IEC60749-11:2002,IDT)

2018-09-17发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T493711—2018/IEC60749-112002

.:

前言

半导体器件机械和气候试验方法由以下部分组成

GB/T4937《》:

第部分总则

———1:;

第部分低气压

———2:;

第部分外部目检

———3:;

第部分强加速稳态湿热试验

———4:(HAST);

第部分稳态温湿度偏置寿命试验

———5:;

第部分高温贮存

———6:;

第部分内部水汽含量测试和其他残余气体分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分标志耐久性

———9:;

第部分机械冲击

———10:;

第部分快速温度变化双液槽法

———11:;

第部分扫频振动

———12:;

第部分盐雾

———13:;

第部分引出端强度引线牢固性

———14:();

第部分通孔安装器件的耐焊接热

———15:;

第部分粒子碰撞噪声检测

———16:(PIND);

第部分中子辐照

———17:;

第部分电离辐射总剂量

———18:();

第部分芯片剪切强度

———19:;

第部分塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响

———20:;

第部分对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作包装标志和运输

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分键合强度

———22:;

第部分高温工作寿命

———23:;

第部分加速耐湿无偏置强加速应力试验

———24:(HSAT);

第部分温度循环

———25:;

第部分静电放电敏感度试验人体模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分静电放电敏感度试验机械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分静电放电敏感度试验带电器件模型器件级

———28:(ESD)(CDM);

第部分闩锁试验

———29:;

第部分非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性内部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐湿无偏置高压蒸煮

———33:;

第部分功率循环

———34:;

第部分塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅰ

GB/T493711—2018/IEC60749-112002

.:

第部分采用加速度计的板级跌落试验方法

———37:;

第部分半导体存储器件的软错误试验方法

———38:;

第部分半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量

———39:;

第部分采用张力仪的板级跌落试验方法

———40:;

第部分非易失性存储器件的可靠性试验方法

———41:;

第部分温度和湿度贮存

———42:;

第部分集成电路可靠性鉴定方案指南

———43:(IC);

第部分半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法

———44:。

本部分为的第部分

GB/T493711。

本部分按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻译法等同采用半导体器件机械和气候试验方法第部分

IEC60749-11:2002《11:

快速温度变化双液槽法

》。

与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下

:

半导体器件机械和气候试验方法第部分外部目检

———GB/T4937.3—20123(IEC60749-

3:2002,IDT)。

本部分做了下列编辑性修改

:

根据更改单表中的偏差更改为

———IEC60749-11:2002,1-40℃-30℃-10℃;

表中的脚注编号由改为

———“1,2,3”“a,b,c”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本部分起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所

:。

本部分主要起草人张天福高金环彭浩李树杰于学东崔波裴选迟雷张艳杰

:、、、、、、、、。

Ⅱ

GB/T493711—2018/IEC60749-112002

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第11部分快速温度变化双液槽法

:

1范围

的本部分规定了快速温度变化双液槽法的试验方法当器件鉴定既可以采用空

GB/T4937———。

气空气温度循环又可以采用快速温度变化双液槽法试验时优先采用空气空气温度循环试验

-———,-。

本试验也可采用少量循环次次的方式来模拟清洗器件的加热液体对器件的影响

(5~10)。

本试验适用于所有的半导体器件除非在有关规范中另有说明本试验被认为是破坏性的

。,。

本试验与基本一致但鉴于半导体器件的特殊要求采用本部分的条款

GB/T2423.22—2002,,。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验温度变化

GB/T2423.22—20022:N:

(IEC60068-2-14:1984,IDT)

半导体器件机械和气候试验方法第部分外部目检

IEC60749-33:(Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—Part3:Externalvisualmethods)

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

负载load

负载由试验样品以及试验时用于固定样品的夹具组成