标准解读
《GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范》与《GB/T 4589.1-1989》相比,在多个方面进行了更新和完善。主要变化包括:
- 标准的结构更加清晰,内容更为详细。2006版对术语定义、分类以及标记等基础信息进行了补充说明,使读者更容易理解标准的具体要求。
- 增加了对于环境条件的要求描述,比如温度范围、湿度等因素的影响,这些都直接关系到半导体器件的工作性能及可靠性。
- 对于质量保证体系提出了更严格的规定,强调了从设计、生产到测试整个过程的质量控制措施,旨在提高产品的稳定性和一致性。
- 引入了一些新的测试方法和技术指标,反映了当时最新的科学技术发展水平,以确保产品能够满足日益增长的应用需求。
- 在安全性方面做了进一步强化,增加了更多关于电气安全、机械强度等方面的要求,保障用户在使用过程中的人身财产安全。
- 考虑到环保因素,新版标准还加入了限制有害物质使用的条款,鼓励采用绿色材料和生产工艺,减少对环境的影响。
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- 现行
- 正在执行有效
- 2006-10-10 颁布
- 2007-02-01 实施
文档简介
ICS31.080.01L40中华人民共和国国家标准GB/T:4589.1—2006/IEC60747-10:1991QC700000代替GB/T4589.1—1989半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范Semiconductordevices-Part10:Generiespecificationfordiscretedevicesandintegratedcircuits(IEC60747-10:1991.IDT)2006-10-10发布2007-02-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局爱布中国国家标准化管理委员会
GB/T4589.1-2006/IEC60747-10:1991三前言范围2总则2.1优先顺序2.2有关文件2.3单位、符号和术语·2.4电压、电流和温度的优先值2.5标志·……2.6质量评定类别2.72.8注意事项3质量评定程序3.1定批准的资格3.2商业保密信息3.3检验批的构成3.4结构相似器件3.5鉴定批准的授予3.6质量一致性检验3.7统计抽样程序3.8规定LTPD时的耐久性试验3.9规定失效率时的耐久性试验3.10加速试验程序…………3.11能力批准4试验和测试程序…………….4.1电测试和光测试的标准大气条件164.2破坏性试验定义·……·…·…·16物理检查………4.3164.4电测试和光测试·4.5环境试验…批允许不合格品率(LTPD)抽样方案附录A(规范性附录)16附录B(规范性附录)需检查的尺寸…附录C(规范性附录)20附录D(资料性附录)按ppm(百万分之一)评价质量水平…27附录NA(资料性附录)本标准对IEC60747-10:1991所做的编辑性修改和原因
GB/T4589.1-2006/IEC60747-10:1991前本部分是半导体器件系列国家标准之一。下面列出本系列已出版的国家标准:GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范(B/T17573—1998半导体器件分立器件和集成电路第1部分:总则GB/T4023—1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管GB/T6571—1995半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T20516—2006半导体器件分立器件第4部分:微波器件GB/T15291—1994半导体器件第6部分:品闸管-B/T4587—1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管GB/T4586-1994半导体器件分分立器件第8部分:场效应晶体管GB/T16464-1996半导体器件:集成电路第1部分:总则GB/T17574-1998半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路GB/T17940-2000半导体器件集成电路第3部分:模拟集成电路GB/T12750—1991半导体集成电路分规范(不包括混合电路)GB/T8976—1996膜集成电路和混合膜集成电路总规范GB/T11498—1989膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)GB/T16465—1996膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用能力批准程序)本部分等同采用IEC60747-10:1991(QC700000)《半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范》英文版)。同时将下列三个修改单的有关内容纳入其中:mendement1(1995-02);Amendement2(1996-02)Amendement3(1996-08)。本部分代替GB/T4589.1—1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》本部分与GB7T4589.1—1989相比,主要变化如下:-2.1条优先顺序中"空白详细规范”排在了“族规范"之前;22.2条有关文件中删除了与IEC147、IEC148有关的标准.增加了IEC60747-5:1984.IEC60747-11:1985IEC60748-1:1984、IEC60748-2:1985IEC60748-3:1986IEC60748-11:1990等有关标准.同时ISO2015:1976被ISO8601:1988替代.ISO1000的年代号更新为1981.ISO2859的年代号更新为1989:增加了2.8*注意事项”的内容;增加了3.10“加速试验程序"3.11“能力批准”和4.2“破坏性试验的定义”等相关内容;增加了附录D(资料性附录)“按ppm(百万分之一)评价质量水平";对第3.9.51)的内容进行了变更;对第4章“电测试”内容进行了调整,本章内容也适用于光测试.因此该章所有“电测试”改为“电测试和光测试”;对对第4章中正文参考的标准,如IEC60747-2、IEC60747-5.本部分删除该标准号及其相关内容:附录B"需检查的尺寸”中对集成电路部分进行了调整本部分2.2有关文件中与IEC标准相对应等同采用的国家标准是:
GB/T4589.1-2006/IEC60747-10:1991IEC标准编号IEC标准编号国家标准编号国家标准编号IEC60068-1:1988GB/T2421-IEC60747-1:1983-1999GB/T17573--1998GB/T2423.1-2001IEC60068-2-1:1990TEC60747-11:1985GB/T12560-—1999IEC60068-2-2:1974GB/T2423.2-2001IEC60748-1:1984GB/T16464-1996IEC600617-12:1991GB/T4728.12-19961EC60748-2:1985GB/T17574-—1998IEC600617-13:1993GB/T4728.13-1996EC60748-3:1986GB/T17940-2000本部分对IEC60747-10:1991的编辑性修改意见见附录NA本部分的附录八、附录B和附录C是规范性附录,附录D、附录NA是资料性附录本部分由中华人民共和国信息产业部提出。本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口本部分起草单位:中国电子技术标准化研究所(CESI).本部分主要起草人:罗发明、陈裕昆、金毓铃
GB/T4589.1-2006/IEC60747-10:1991半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范1范围本规范构成国际电工委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)的一部分本规范是半导体器件(分立器件和集成电路,包括多片集成电路.但不包括混合电路)的总规范本规范规定了在ICQ体系内采用的质量评定的总程序.并给出了下述方面的总原则:电特性测试方法:气候和机械试验;耐耐久性试验。注:当存在已批准的、适用于特定的一种或几种器件类型的分规范、族规范和空白详细规范时.必须用这些规范来补充本规池。2总则2.1优先顺序当出现矛盾的要求时,各种文件应按以下权限顺序排列:详细规范:2空白详细规范;3族规范(若存在时):分规范:5总规池:6建础规范:ECQ程序规则;需要参考的其他国际文件.如IEC文件:9)国家文件。同样的优先顺序也适用于等效的国家文件2.2:有关文件详细规范应指出适用的文件:IEC标准:IEC60027电工技术中使用的文字符号IEC60050国际电工技术词汇(IEV)IEC60068基本环境试
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