标准解读

《GB/T 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法》是一项国家标准，旨在规范非本征半导体单晶材料中霍尔迁移率及霍尔系数的测量过程。该标准适用于研究与开发领域内对半导体材料性能进行表征时使用的技术人员。

根据此标准，霍尔效应是指当电流通过置于磁场中的导体或半导体时，在垂直于电流方向和磁场方向上会产生一个横向电场的现象。基于这一原理，可以测定样品的载流子浓度、类型（n型或p型）以及迁移率等重要参数。标准详细描述了实验所需设备、测试条件设置、样品准备步骤、数据采集方法以及计算公式等方面的内容。

在具体操作流程方面，首先需要制备符合要求的样品，并确保其表面清洁无污染；然后将样品放置于特定夹具中并连接至测量电路；接着施加恒定且均匀的磁场，并通过样品通入稳定电流；最后记录下此时产生的霍尔电压值。重复上述过程以获得不同磁场强度下的多组数据点。利用这些数据结合相关物理公式即可求得待测样品的霍尔系数和载流子迁移率。

整个测量过程中需要注意控制环境温度、避免外界电磁干扰等因素的影响，同时对于不同类型的半导体材料可能还需要调整某些具体的实验参数来保证结果准确性。此外，该标准还提供了误差分析的方法，帮助研究人员评估测量精度并对结果做出合理解释。


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  • 1984-04-12 颁布
  • 1985-03-01 实施
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GB/T 4326-1984非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法_第1页
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UDC621.315.592:621.317.3中华人民共和国国家标准GB4326-84非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法ExtrinsicsemiconductorsingleeCrystals-measurementofHallmobilityandHallcoeffictent1984-04-12发布1985-03-01实施家标准局批准

中华人民共和国国家标准UDC621.315非本征半导体单晶霍尔迁移率和.592:621.317.8GB4326-84霍尔系数测量方法ExtrinsicsemiconductorsingleCrystals-measurementofHallmobilityandHallcoerficient本标准适用于在非本征半导体单晶试样中确定载流子霍尔迁移率。为获得霍尔迁移率必须测量电阻率和霍尔系数，因此本标准也分别适用于这些参数的测量。本方法仅在有限的范围内和对错、硅和砷化钦进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料。所述的测量技术至少适用于室温电阻率高达10"Qcm的试样。1术语1.1电阻率1.1.1电阻率是材料中平行于电流的电位梯度与电流密度之比。电阻率应在零磁通下测定。11.1.2电阻率是材料中直接测量的址。在具有单一类型载流子的非本征半导体中，电阻率与材料基本参数的关系如下：p=（neu）-！（1）式中：p一电阻率，.cmi载流子浓度，cm-3电子电荷值，C；-载流子迁移率，cm²/V·s。必须指出，对于本征半导体和某些P型半导体如P-Ge（存在两种空穴)，式（1）显然是不适用的，而必须采用如下关系式：P-二（meui）-（2）式中心和4,表示第；种载流子相关的量。1.2蛋尔系数在各向同性的固体上同时加上互相垂直的电场和磁场，1.2.1则载流子在第三个互相垂直的方向上偏转，在试样两侧建立横向电场，称

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