半导体分立器件及其基本电路

电子技术考核方式1、平时成绩：30％作业、出勤、课堂表现：10％实验：20％2、期终考试：70％第一章半导体分立器件及其基本电路第一章半导体分立器件及其基本电路1.1半导体的基本知识与PN结1.2半导体二极管及其应用电路1.3放大电路的基本概念及其性能指标1.4三极管及其放大电路1.6多级放大电路§1.1半导体的基本知识与PN结1.1.1半导体的导电特性半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的材料。常见的半导体材料有硅、锗、硒及许多金属的氧化物和硫化物等。半导体材料的特性：纯净半导体的导电能力很差；温度升高——导电能力增强；光照增强——导电能力增强；掺入少量杂质——导电能力增强。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。GeSi一、

本征半导体硅和锗的共价键结构共价键共用电子对+4表示除去价电子后的原子+4+4+4+4+4+4形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。+4+4+4+4完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。硅和锗的晶体结构在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。

自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。

这一现象称为本征激发，也称热激发。本征半导体的导电机理+4+4+4+4本征半导体的导电机理自由电子空穴束缚电子本征半导体的导电机理本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。N型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑）二、杂质半导体Negative+4+4+5+4N型半导体多余电子磷原子N型半导体N型半导体中的载流子是什么？1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。3、掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。？+4+4+3+4空穴P型半导体硼原子在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟）Positive杂质半导体的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体空穴正离子负离子电子1.1.2PN结及其单向导电性半导体器件的核心是PN结，是采取一定的工艺措施在一块半导体晶片的两侧分别制成P型半导体和N型半导体，在两种半导体的交界面上形成PN结。各种各样的半导体器件都是以PN结为核心而制成的，正确认识PN结是了解和运用各种半导体器件的关键所在。扩散运动:物质从浓度高的地方向浓度低的地方运动,即由于浓度差产生的运动.漂移运动:在电场力作用下,载流子的运动.P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动空间电荷区一、PN结形成扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。漂移运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。

最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。又称阻挡层。

图PN结的形成过程

1.空间电荷区中没有载流子。2.空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴.N区

中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。3.P

区中的电子和N区中的空穴（都是少子），数量有限，因此由它们形成的电流很小。注意:二、PN结的单向导电性

如果外加电压使PN结中：

P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；

P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。PN结具有单向导电性:若外加电压使电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小。－－－－++++内电场外电场变薄PN+_内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。

(1)PN结加正向电压图PN结加正向电压时的导电情况－－－－++++内电场外电场变厚NP+_内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。

(2)PN结加反向电压图PN结加反向电压时的导电情况1.2半导体二极管及其应用电路

在PN结上加上引线和管壳，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。1.2.1半导体二极管(a)点接触型

PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(b)面接触型(c)平面型符号：D阳极阴极PN

PN结面积大，用于工频大电流整流电路。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。UI死区电压硅管0.5V,锗管0.1V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压U(BR)死区电压正向反向外电场不足以克服内电场,电流很小外电场不足以克服内电场,电流很小一、伏安特性当外加电压大于死区电压内电场被大大减削弱,电流增加很快。UI死区电压硅管0.5V,锗管0.1V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压U(BR)死区电压反向由于少子的漂移运动形成很小的反向电流,在且U<U(BR)内,其大小基本恒定,称反向饱和电流IS,其随温度变化很大。一、伏安特性UI死区电压硅管0.5V,锗管0.1V导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压U(BR)死区电压反向当U>U(BR)时,其反向电流突然增大,反向击穿。一、伏安特性二、主要参数1）最大整流电流IOM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2）反向击穿电压UBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UDRM一般是UBR的一半。3）反向电流IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，一般在几uA以下；锗管的反向电流要大几十到几百倍。三、二极管的模型1、理想模型2、恒压降模型等效电路等效电路硅管:0.7V锗管:0.3V1.2.2二极管的应用检波作用整流作用二极管的应用是主要利用它的单向导电性,包括整流、限幅、保护、检波、开关等。例tuituoRuiuoD单向脉动电压例已知E=5V，ui=10sintV,试画出输出电压波形。限幅作用E限幅作用E例RRLuiuRuotttuiuRuo检波作用检波作用例：电路如图，求Y点的电位。ABY+3V0V-12VDADBRVA>VB,DA优先导通，若D的压降为0.3V，则：VY=2.7VDA导通DB截止DA：钳位作用DB：隔离作用一、伏安特性曲线UIUZIZIZmaxUZIZ稳压误差曲线越陡，电压越稳定。-+1.2.3特殊二极管稳压管是特殊的面接触型半导体硅二极管,其反向击穿是可逆的,且反向电压较稳定.1.稳压管：二、稳压过程：­¯¯¯®¯®¯®RLIZ+uCCUOuRRLUOIZUO®稳压二极管的参数（1）稳定电压UZ（2）电压温度系数U（%/℃）稳压值受温度变化影响的系数。UZ=5.6V左右，受温度影响小，有较好的温度稳定性。（3）动态电阻稳压二极管反向击穿后稳定工作的电压。（4）稳定电流IZ（5）最大允许功耗管子不致产生热击穿的最大功率损耗工作电压等于稳定电压时的工作电流，即管子的正常工作电流。2.发光二极管(LED)有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。阳极阴极3.光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。IU照度增加阳极阴极1.3放大电路的基本概念及其性能指标放大电路：也叫放大器，是一种能量转换电路，能将微弱的电信号放大，其能量来源于供电电源。性能指标放大电路信号源负载放大电路1、输入电阻ri从输入端口看进去的电阻riri

是衡量放大电路对信号源衰减程度2、输出电阻ro从输出端口看进去的电阻放大电路riroro是衡量放大电路带负载能力3、放大倍数：描述放大电路的放大能力放大电路riro电压放大倍数：电流放大倍数：源电压放大倍数：§1.4三极管及其放大电路1.4.1三极管BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型一、三极管结构和符号BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高BECNNP基极发射极集电极发射结集电结BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管三极管的符号ICmAAVVUCEUBERBIBECEB1、实验线路二、电流分配和放大作用00.020.040.060.080.10<0.0010.71.52.33.103.95<0.0010.721.542.363.184.05ICIBIE2.实验数据(1)IE=IB+IC(2)IC(或IE)»IB

这就是晶体管的电流放大作用(4)要使晶体管起放大作用,外部条件:发射结正偏,集电结反偏.(3)当IB=0时,IC=ICEO<0.001mA=1uABECNNPEBRBEc发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。IE基区空穴向发射区的扩散可忽略。IBE进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。三、晶体管内部载流子运动规律BECNNPEBRBEcIE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBO从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。IC=ICE+ICBOICEIBEICEIB=IBE-ICBOIBEIBBECNNPEBRBEcIEICBOICEIC=ICE+ICBOICEIBE要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。ICE与IBE之比称为电流放大倍数ICmAAVVUCEUBERBIBECEB测量电路四、特性曲线三极管各极电流与电压的关系（1）输入特性：IB=f（UBE）UCE=CUCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。（2）输出特性：IC=f(UCE)IB=C集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区。此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压，称为截止区。输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,且IC

=

IB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCEUBE

，

IB>IC，UCE0.3V

(3)截止区：

UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO

0

BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管UC>UB>UEUE>UB>UC符号：（1）V1=3.5V，V2=2.9V，V3=12V。例1：测得工作在放大电路中几个晶体管三个极电位值V1、V2、V3，判断管子的类型、材料及三个极。NPN型硅管，1、2、3依次为B、E、C（2）V1=3V，V2=2.8V，V3=12V。（3）V1=6V，V2=11.4V，V3=12V。（4）V1=6V，V2=11.8V，V3=12V。NPN型鍺管，1、2、3依次为B、E、CPNP型硅管，1、2、3依次为C、B、EPNP型鍺管，1、2、3依次为C、B、E四、主要参数___b1.电流放大倍数和：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：直流放大倍数例：UCE=6V时：IB=40A,IC=1.5mA；IB=60A,IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：=2.集-基极反向截止电流ICBOAICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。越小越好。3.集-射极反向截止电流ICEOAICEO5.集-射极反向击穿电压当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。4.集电极最大电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。6.集电极最大允许功耗PCM集电极电流IC流过三极管，所发出的焦耳热为：PC=ICUCE必定导致结温上升，所以PC

有限制。PCPCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区五、复合三极管β=β1β2

1.4.2共发射极放大电路三极管放大电路有三种形式共射放大器共基放大器共集放大器以共射放大器为例讲解工作原理放大电路的结构示意框图见图3、元件选择要使信号不失真地放大。放大电路的组成原则：1、有直流电源，保证E结正偏，C结反偏。2、元件安排要保证信号传输，即信号能从输入端加到三极管上（有信号输入回路），经放大后从输出端输出（有输出回路）。一、共射极放大电路组成RB+ECEBRCC1C2T放大元件iC=iB，工作在放大区，要保证集电结反偏，发射结正偏。uiuo输入输出？参考点使发射结正偏，并提供适当的静态工作点,RB为几十K至几百K。基极电源与基极电阻RB+ECEBRCC1C2T集电极电源，为电路提供能量。并保证集电结反偏。RB+ECEBRCC1C2T集电极电阻,将变化的电流转变为变化的电压,实现电压放大。Rc=几K几十KRB+ECEBRCC1C2T隔离输入输出与电路直流的联系，同时能使信号顺利输入输出。C1、C2值较大,几uF至几十uF的电解电容.RB+ECEBRCC1C2T耦合电容：电解电容，有极性。大小为10F~50F单电源供电可以省去RB+ECEBRCC1C2TRB单电源供电+ECRCC1C2T二、静态分析放大电路分析静态分析动态分析估算法图解法微变等效电路法图解法

静态是放大电路没有输入信号时的工作状态,静态分析所要确定的是放大电路的静态值IB、IC、UBE、UCE,其值直接影响放大电路的质量。

动态分析是要确定放大电路的电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro。ui=0时由于电源的存在IB0IC0IBQICQIEQ=IBQ+ICQRB+VCCRCC1C2TIBQICQUBEQUCEQ(ICQ,UCEQ)(IBQ,UBEQ)RB+ECRCC1C2T直流通道和交流通道电容对交、直流的作用不同。如果电容容量足够大，可以认为它对交流不起作用，即对交流短路。而对直流可以看成开路，这样，交直流所走的通道是不同的。这样就有了交流通道（只考虑交流信号的分电路）和直流通道（只考虑直流信号的分电路）。不同的信号可以分别在不同的通道分析。RB+ECRCC1C2开路开路原则:对直流信号电容可看作开路RB+ECRC直流通道直流通道1、估算法确定静态值RB+ECRCIBUBEICUCE2、用图解法确定静态值：RB+ECRCIBUBEICUCE+ECRCICUCEUCE=EC-ICRC先估算IB，然后在输出特性曲线上作出直流负载线，与IB对应的输出特性曲线与直流负载线的交点就是Q点。ICUCEQEC由直流通路列出:UCE=EC-ICRC据此做出直流负载线,与输出特性曲线交点为Q.(IBQ,UBEQ)

和(ICQ,UCEQ

)分别对应于输入输出特性曲线上的一个点称为静态工作点。IBUBEQIBQUBEQICUCEQUCEQICQ例：确定静态工作点。已知：EC=12V，RC=4K，RB=300K，=37.5。解：请注意电路中IB和IC的数量级估算法(1)作直流负载线UCE=EC-ICRC所以IC=0时,UCE=EC=12VUCE=0时,EmARICCC3==做出直流负载线(2)由得出交点Q其静态值为IB=40uA,IC=1.5mA,UCE=6VICUCEEC36912123020uA406080100QIB1.56图解法RB为偏置电阻。RB发射结“地”Q'

Q''

RB+ECRCIBUBEICUCE若改变RB,则IB改变,Q点在直流负载曲线上移动,如图所示。ICUCEEC36912123020uA406080100QIB为偏置电流，简称偏流。产生偏流的电路为偏置电路，其路径为EC动态分析是在静态值确定后分析信号的传输情况,考虑的是交流信号或称信号分量.所要确定的参数为Au、ri、ro等。方法有微变等效电路法和图解法。UA大写字母、大写下标，表示直流量。uA小写字母、大写下标，表示全量。ua小写字母、小写下标，表示交流分量。Ua大写字母、小写下标，表示交流分量的有效值。符号规定三、动态分析uAua全量交流分量tUA直流分量1、微变等效电路法将晶体管线性化,把放大电路等效为线性电路。线性化条件,就是晶体管在小信号(微变量)情况下工作。这样在Q点附近的小范围内用直线段近似地代替晶体管的特性曲线。晶体管的微变等效电路输入回路iBuBE当信号很小时，将输入特性在小范围内近似线性。uBEiB对输入的小交流信号而言，三极管相当于电阻rbe。rbe的量级从几百欧到几千欧。对于小功率三极管：输出回路iCuCE所以：输出端相当于一个受ib控制的电流源。在线性工作区内：为一受控源iciB晶体管的微变等效电路uceuberbeibibicBECibicCBEubeuceRB+ECRCC1C2短路短路置零交流通路的原则:*电容可忽略,以短路代替。*直流电源可认为是短路。uiRBRCRLuoibicuceCubeBE交流通路放大电路的微变等效电路uiRBRCRLuoibicuceCubeBE交流通路放大电路的微变等效电路rbeibibiiicuiuoRBRCRLBEC放大电路的微变等效电路1）电压放大倍数计算rbeibibiiicuiuoRBRCRLBEC设输入信号为正弦,可用相量表示当RL=时,(1)ri小,则ii值愈大,增加信号源负担。(2)经RS和ri分压,ri小,ui值亦减小,从而使uo减小。(3)后级的ri即为前级的RL,ri小会降低前级的AurirbeibibiiicuiuoRBRCRLBEC2）输入电阻计算0rbeRBRC0所以：通常希望ro愈小愈好。因为对负载来说,放大电路即为信号源,ro即为内阻。若ro较大,带负载能力就较差。求ro的方法:加压求流法将信号源短路(ui=0,但Rs保留)将RL去掉,在输出端加一交流电压,遂产生电流。则:RS3）输出电阻计算iBuBEQiCuCEuiiBiBiCuCE怎么变化？假设uBE有一微小的变化2、图解法iCuCEiCucEuCE相位如何？uCE与uBE反相uCE的变化沿一条直线RB+ECRCC1C2uiiBiCuCuo各点波形四、失真分析：为了得到尽量大的输出信号，要把Q设置在交流负载线的中间部分。如果Q设置不合适，信号进入截止区或饱和区，造成非线性失真。失真：输出信号的波形不象输入信号的波形iCuCEuo可输出的最大不失真信号合适的静态工作点ibiCuCEuoQ点过低，信号进入截止区称为截止失真信号波形iCuCEuoQ点过高，信号进入饱和区称为饱和失真信号波形五、静态工作点的稳定为了保证放大电路的稳定工作，必须有合适的、稳定的静态工作点。但是，温度的变化严重影响静态工作点。QTICICEOUBE对于前面的电路（固定偏置电路）而言，静态工作点由UBE、和ICEO决定，这三个参数随温度而变化，温度对静态工作点的影响主要体现在这一方面。iCuCEQQ´温度上升时，输出特性曲线上移，造成Q点上移。常采用分压式偏置电路来稳定静态工作点。电路如下图。RB1+ECRCC1C2RB2CERERLuiuo分压式偏置电路I1I2IB(固定)TUBE(UB-UE)IBIC(IE)UE(IERE)IC本电路稳压的过程实际是由于加了RE形成了负反馈过程RB1+ECRCC1C2RB2CERERLuiuoI1I2IB稳定Q点的物理过程ICIEBEC例、已知EC=12V,RC=2K,RE=2K,RB1=20K,RB2=10K,晶体管的=37.5。试求静态值，并进行动态分析。RB1+ECRCC1C2RB2CERERLuiuoI1I2IBRB1+ECRCC1C2RB2CERERLuiuoI1I2IB直流通路：+ECRB1RCRB2REI1I2IBICUCEUBE静态分析+ECRB1RCRB2REI1I2IBICUCEUBE静态分析RB1+ECRCC1C2RB2CERERLuiuoI1I2IBRCRLRB2RB1RS动态分析交流通路RCRLRB2RB1RSRB2RB1RSrbeRCRL微变等效电路RB2RB1RSrbeRCRLriRB2RB1RSrbeRCRLRB2RB1RSrbeRCRLroRB1+ECRCC1C2RB2CERERLuiuoI1I2IB旁路电容如果去掉CE，Au，ri，ro?电压放大倍数：rbeBCEReRB2RB1RCRL65输出电阻：输入电阻：ri'rirbeBCERERB2RB1RCRL66r0U.无旁路电容CE有旁路电容CEAu减小分压式偏置电路ri提高ro不变ReRb1Rb2I2I1IBQCe改进：串联小电阻Re’。Re”>>Re’Re’Re”ReRb1Rb2I2I1IBQCeRe’Re”rbeBCERb2Rb1RCRLR’e注意:1.4.3射极输出器因对交流信号而言，集电极是输入与输出回路的公共端，所以是共集电极放大电路。因从发射极输出，所以称射极输出器。RB+ECC1C2RERLui+–uo+–++es+–RSRB+ECREIBIE直流通道一、静态分析：RB+ECC1C2RERLui+–uo+–++es+–RSRB+ECREIBIE折算二、动态分析：交流通路RB+ECC1C2RERLui+–uo+–++es+–RSRBRERLuiuoes+–RS微变等效电路RBRERLuiuoes+–RSrbeRBRLEBC+-+-+-RSRE1、电压放大倍数rbeRBRLEBC+-+-+-RSRE1、所以但是，输出电流Ie增加了。2、输入输出同相，输出电压跟随输入电压，故称电压跟随器。讨论rbeRBRLEBC+-+-+-RSRE2、输入电阻输入电阻高，对前级有利。ri与负载有关3、输出电阻用外加压求流法求输出电阻。rorbeRERs置0rbeRERsrbeRERs射极输出器的输出电阻很小，带负载能力强。共集电极放大电路(射极输出器)的特点：1.电压放大倍数小于1，约等于1;2.输入电阻高；3.输出电阻低；4.输出与输入同相。1、将射极输出器放在电路的首级，可以提高输入电阻，减轻信号源负担。2、将射极输出器放在电路的末级，可以降低输出电阻，提高带负载能。3、将射极输出器放在电路的两级之间，可以起到电路的匹配作用。（称为中间隔离级或缓冲级）射极输出器的应用主要利用它输入电阻高和输出电阻低的特点。耦合方式：信号源与放大电路之间、两级放大电路之间、放大器与负载之间的连接方式。

常用的耦合方式：直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。动态:传送信号减少压降损失静态：保证各级有合适的Q点波形不失真第二级

推动级

输入级输出级输入输出多级放大电路的框图对耦合电路的要求§1.6多极放大电路第一级第二级负载信号源两级之间通过耦合电容C与下级输入电路连接。RB1RC1C1C2RB2CE1RE1+++++–RS+–RC2C3CE2RE2RL+++UCC+––T1T2一、阻容耦合（1）静态分析

由于电容有隔直作用，所以每级放大电路的直流通路互不相通，每级的静态工作点互相独立，互不影响，可以各级单独计算。RB1RC1C1C2RB2CE1RE1–RS+–RC2C3CE2RE2RL+UCC+–T1T2（2）动态分析关键:考虑级间影响RB1RC1C1C2RB2CE1RE1–RS+–RC2C3CE2RE2RL+UCC+–T1T2Uo1ri2=RL1ri2第一级第二级rbeRB2RC1EBC+-+-+-RSrbeRC2RLEBC+-RB112ri