GB/T 37051-2018太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

ICS29045

H80.

中华人民共和国国家标准

GB/T37051—2018

太阳能级多晶硅锭硅片晶体

、

缺陷密度测定方法

Testmethodfordeterminationofcrystaldefectdensityin

PVsiliconingotandwafer

2018-12-28发布2019-04-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T37051—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

方法概要

3…………………1

试剂和材料

4………………1

仪器和设备

5………………2

试样制备

6…………………2

测试步骤

7…………………2

数据处理

8…………………4

精密度

9……………………5

干扰因素

10…………………5

报告

11………………………6

GB/T37051—2018

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口

(SAC/TC203)。

本标准起草单位英利集团有限公司中国电子技术标准化研究院江西赛维太阳能高科技

:、、LDK

有限公司泰州中来光电科技有限公司晋能清洁能源科技有限公司镇江仁德新能源科技有限公司天

、、、、

津英利新能源有限公司

。

本标准主要起草人李锋李英叶段青春张伟吴翠姑冯亚彬裴会川程小娟唐骏

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T37051—2018

太阳能级多晶硅锭硅片晶体

、

缺陷密度测定方法

1范围

本标准规定了太阳能级多晶硅锭硅片的晶体缺陷密度测定方法包含方法概要试剂和材料仪器

、,、、

和设备试样制备测试步骤数据处理精密度干扰因素和报告

、、、、、。

本标准适用于太阳能级多晶硅锭硅片晶体缺陷密度的测定

、。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

测量方法与结果的准确度正确度和精密度第部分确定标准测量方

GB/T6379.2—2004()2:

法重复性与再现性的基本方法

洁净室及相关受控环境第部分空气洁净度等级

GB/T25915.1—20101:

太阳能级铸造多晶硅块

GB/T29054

太阳电池用多晶硅片

GB/T29055

3方法概要

用硝酸氢氟酸混合液对硅片表面进行化学抛光再使用重铬酸钾氢氟酸混合液腐蚀硅片硅晶体

、,、,

缺陷被优先腐蚀使用显微镜观察试样腐蚀表面可观察到硅片的晶体缺陷特征并对缺陷计数

,,。

通过对不同位置的硅锭取样硅片样片测量得到不同部位硅片样片的晶体缺陷密度其最终结果可

,,

以表征硅锭的晶体缺陷密度

。

4试剂和材料

41重铬酸钾分析纯

.:。

42氢氟酸质量分数电子级

.:40%,。

43硝酸质量分数电子级

.:65%,。

44化学腐蚀抛光液V氢氟酸V硝酸

.:∶=1∶4。

45去离子水电导率小于或等于

.:1μS/cm。

46无水乙醇密度分析纯

.:0.79g/mL,。

47重铬酸钾溶液质量浓度称取重铬酸钾置于烧杯中用去离子水完全溶解后移入

.:44g/L。44g,,

容量瓶中用去离子水稀释至刻度混匀

1000mL,