标准解读
《GB/T 35007-2018 半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法》是一项国家标准,该标准详细规定了半导体集成电路中低电压差分信号(LVDS)电路的测试方法。它适用于各种类型的LVDS接口芯片,包括但不限于通信、计算机以及消费电子设备中的应用。
标准内容涵盖了LVDS电路的基本参数定义、测试条件设定、具体测试项目及流程、测试结果分析与报告编制等方面。其中,基本参数包括但不限于共模电压范围、差分电压摆幅等;测试条件则涉及电源电压水平、温度环境等因素的选择;测试项目通常包含静态特性测试(如输入输出电压电平)、动态特性测试(如传输延迟时间、抖动性能)等关键指标;而测试流程方面,则提供了从准备阶段到最终数据记录的一整套操作指南。
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....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2018-03-15 颁布
- 2018-08-01 实施
文档简介
ICS31200
L56.
中华人民共和国国家标准
GB/T35007—2018
半导体集成电路
低电压差分信号电路测试方法
Semiconductorintegratedcircuits—
Measuringmethodoflowvoltagedifferentialsignalingcircuitry
2018-03-15发布2018-08-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T35007—2018
目次
前言
…………………………Ⅲ
范围
1………………………1
规范性引用文件
2…………………………1
术语和定义
3………………1
总则
4………………………2
测试环境要求
4.1………………………2
测试注意事项
4.2………………………2
静态参数测试
5……………2
单端数字接口参数
5.1…………………2
输入高电平阈值电压V
5.2(TH)…………2
输入低电平阈值电压V
5.3(TL)…………3
输入电流I
5.4(IN)………………………4
电源关断输入漏电流I
5.5(IN-OFF)……………………5
输出高电压V
5.6LVDS(OHL)…………6
输出低电压V
5.7LVDS(OLL)…………7
共模输出电压V
5.8(OS)…………………8
互补态共模输出电压变化V
5.9(ΔOS)…………………8
差分输出电压V
5.10(OD)………………9
互补态差分输出电压变化V
5.11(ΔOD)………………9
输出短路电流I
5.12LVDS(OSL)………………………10
电源关断输出漏电流I
5.13(O-OFF)…………………11
输出高阻态电流I
5.14LVDS(OZL)……………………12
内置差分输入电阻R
5.15(IT)…………13
内置差分输出电阻R
5.16(OT)………………………13
静态电源电流I
5.17(DD)………………14
关断电源电流I
5.18(DDZ)……………15
动态参数测试
6……………16
输入电容C和输出电容C
6.1(I)(O)…………………16
动态电源电流I
6.2(DDA)………………18
最高工作频率f
6.3(MAX)………………18
最低工作频率f
6.4(MIN)………………19
最大数据率DR
6.5(MAX)………………20
输出由低电平到高电平传输延迟时间t
6.6(PLH)……………………20
输出由高电平到低电平传输延迟时间t
6.7(PHL)……………………22
输出由高阻态到高电平传输延迟时间t
6.8(PZH)……………………22
输出由高阻态到低电平传输延迟时间t
6.9(PZL)……………………24
输出由高电平到高阻态传输延迟时间t
6.10(PHZ)……………………24
Ⅰ
GB/T35007—2018
输出由低电平到高阻态传输延迟时间t
6.11(PLZ)……………………25
输出由低电平到高电平转换时间t
6.12(TLH)………25
输出由高电平到低电平转换时间t
6.13(THL)………27
脉冲时滞t
6.14(SKP)……………………27
通道间时滞t
6.15(SKO)…………………28
眼图高度e
6.16(H)……………………28
眼图宽度e
6.17(W)……………………29
确定性抖动Dj
6.18()…………………30
随机抖动Rj
6.19()……………………30
总抖动J
6.20(t)………………………31
附录资料性附录眼图测试对仪器的要求
A()…………32
Ⅱ
GB/T35007—2018
前言
本标准按照给出的规定起草
GB/T1.1—2009。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任
。。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出
。
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口
(SAC/TC78)。
本标准起草单位成都振芯科技股份有限公司工业和信息化部电子工业标准化研究院工业和信
:、、
息化部电子第五研究所深圳市国微电子有限公司深圳市众志联合电子有限公司中国电子科技集团
、、、
公司第二十九研究所
。
本标准主要起草人陈雁罗彬郭超王会影李锟蔡志刚邬海忠钟科
:、、、、、、、。
Ⅲ
GB/T35007—2018
半导体集成电路
低电压差分信号电路测试方法
1范围
本标准规定了半导体集成电路低电压差分信号电路以
(LVDS,lowvoltagedifferentialsignaling)(
下称为器件静态参数动态参数测试方法的基本原理
“”)、。
本标准适用于低电压差分信号电路静态参数动态参数的测试
、。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
半导体器件集成电路第部分数字集成电路
GB/T17574—19982:
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件
。
31
.
脉冲时滞pulseskew
同一通道内输出由低电平到高电平的传输延迟时间与输出由高电平到低电平传输延迟时间的
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